При розрахунку одновібратора з колекторно-базовими зв'язками задаються:
- амплітуда вихідного імпульсу Umax;
- тривалість імпульсу tu;
- тривалість позитивного фронту tф;
- період слідування;
- опір Rн навантаження;
- ємність Сн навантаження.
Обчислювання параметрів елементів схеми проводять у послідовності:
а) напругу джерела живлення Ек визначають за заданою амплітудою вихідних імпульсів Umax з умови:
Ek=(1,1….1,4) Umax; (12.1)
б) транзистор вибирають за колекторною напругою, струмом колектора та швидкодією:
1. для забезпечення надійної роботи допустимі колекторна напруга і струм:
Uкб>=1,5 Eк, Ікдоп>=2Iкн; (12.2)
2. для одержання заданої тривалості позитивного фронту імпульсу
(12.3)
причому транзистор вибирається за більшим значенням граничної частоти коефіцієнта передачі fa;
в) опір резисторів Rk1=Rk2=Rk обчислюють з співвідношення
при цьому перевіряють умову температурної нестабільності амплітуди вихідного імпульсу Rk<=0.05Umax/Ik0max та умову виключення впливу навантаження на роботу схеми Rk<=(0,1...0,2)RH
,
де Iko20 - тепловий струм колекторного переходу при 20 0 С
Амплітуда вихідної напруги
,
де g=1,5...2,0 – ступінь насичення транзистора.
Для масових транзисторів рекомендується співвідношення 
;
г) ємність часозадаючого конденсатора С визначається з співвідношення:
де 
;
д) напруга джерела Езм=(0,15…0,25)Ек;
е) опір резисторів R2 i R1 визначається, з умови:
;
;
ж) ємність прискорювального конденсатора
и) час відновлення схеми при цьому необхідно брати до уваги, що відновлення має закінчитися до приходу наступного вхідного імпульсу, тобто T-tu>tb;
к) тривалість негативного фронту імпульсу колекторної напруги транзистора VT1 дорівнює:
;
л) тривалість позитивних фронтів імпульсів обох транзисторів
;
м) діод VD вибирають з малою прямою напругою Uпр і 
;
н) амплітуда вхідного запускального імпульсу
де Rвн - внутрішній опір джерела сигналу і вхідний опір. Ємність 
визначається за формулою:
Недоліком схеми одновібратора з колекторно-базовими зв’язками є вплив опору навантаження на процеси перемикання схеми і велика тривалість фронту колекторної напруги Uk2 при закриванні транзистора VT2, яка визначається зарядом конденсатора С1. Ці недоліки відсутні в схемі ждучого мультивібратора з емітерним зв’язком.
Задані параметри одновібратора з емітерним зв'язком аналогічні схемі з колекторно-базовими зв'язками, а методика розрахунку дещо відрізняється.
1. Вибір джерела живлення Еk та типу транзистора визначають за методикою розрахунку одновібратора з колекторно-базовими зв’язками.
2. Опір резистора Rk1 вибирають з вимоги надійного відкривання та закривання транзистора VТ1 рівнями напруги Uе1 та Uе2, різниця між якими вибирається не менше 1.5...2 В.
Для створення такого перепаду емітерний струм транзистора VT2 має бути у кілька разів більшим за емітерний струм транзистора VT1 тому Rk1 вибирають з співвідношення:
,
.
3. Ємність часозадаючого конденсатора
.
де - 
4. Опір резисторів подільника R1 і R2 визначається з вимоги закривання транзистора VT1 в стійкому стані та вимоги насичення транзистора VT1 у квазистійкому стані:
5. Час відновлення схеми 
При цьому повинна виконуватись умова 
.
6. Тривалість фронтів імпульсу колекторного навантаження транзистора VT2
де Сн і Сk - ємність навантаження та колекторного переходу відповідно.
8. Амплітуда вихідних імпульсів
Параметри елементів схеми запуску аналогічні схемі одновібратора з колекторно-базовими зв’язками.
Регулювання тривалості вихідних імпульсів в схемах одновібраторів (рис.12.1а,б) можна досягти як зміною параметрів R і С часозадаючого ланцюга, так і ввімкненням резистора R до регульованого джерела напруги. В останньому випадку регулюється напруга до якої намагається перезаряджатися конденсатор С, в квазистійкому стані, а значить змінюється і момент досягнення напруги на конденсаторі нульового значення.
