Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Защита нагрузки от перенапряжения




В случае выхода транзистора VT 1 из строя на нагрузку попадает полное напряжение питания, что может вывести нагрузку из строя. Необходима схема защиты нагрузки от возможного перенапряжения. В таких случаях используются быстродействующие электронные схемы защиты (рисунок 6).

Состоит из тиристора VS 5, стабилитрона VD 4 и двух резисторов. В исходном состоянии тиристор VS 5 закрыт, его управляющий вход подключен к катоду через сопротивление R 2. Стабилитрон VD 4 также закрыт его напряжение включения на 10% больше напряжения нагрузки. Как только напряжение на нагрузке увеличивается по каким-либо причинам, стабилитрон VD 4 открывается, открывается тиристор и закорачивает выходную цепь стабилизатора. После этого сгорает плавкий предохранитель FU.

Стабилитрон VD 4 выбирается на напряжение включения на 10% больше напряжения нагрузки. Сопротивление R 2 ограничивает ток стабилитрона на уровне 5 – 10 мА. Из таблицы 2 выберем стабилитрон КС213Б. А также выберем резистор с сопротивлением 7В/5мА=1,4 кОм. Мощность рассеяния на резисторе равен 35мВт, тип.

+ С 2
С 1
+
FU
R 3
VD 8
VD 7
VD 6
R 2
VS 5
R H
VT 1
U И
VD 4
Рисунок 7. Схема защиты и индикации
R 4
Ст


R 5

 

 


Сопротивление R 3 ограничивает ток анода тиристора. Выбираем его исходя из допустимого тока тиристора, который равен 670 Ом.

 

Индикация состояния стабилизатора

Индикация состояния стабилизатора осуществляется с помощью светодиодов. Нормальное состояние принято индицировать зеленым цветом, критическое состояние – красным. В нормальном состоянии тиристор закрыт и напряжение на аноде равно напряжению на нагрузке. Светодиод VD 6 (СИД) светится. Сопротивление R 4 =. Вычисляется мощность рассеяния на резисторе, выбирается его тип.

Индикация состояния перегрузки стабилизатора осуществляется с помощью СИД VD 8. В исходном состоянии диод не светится, т.к. напряжение ограничено стабилитроном VD 7. Напряжение включения стабилитрона выбирается на 10% больше максимального напряжения U КЭ транзистора VT 1. Получим 18.8 В Расчет сопротивления R 5 выберем резистор с сопротивлением 1,2В/5мА=240 Ом.

СИД выбирается с красным свечением.

Ток этой цепи удерживает тиристор в открытом состоянии.

Плавкий предохранитель FU выбирается на такой ток, чтобы он сработал при допустимом токе тиристора равным 100 мА.

Для устранения низкочастотных и высокочастотных помех на выходе стабилизатора параллельно нагрузке включаются емкости С 1 = 0,1 мкФ и
С 2 = 10 ÷ 20 мкФ.

 


ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В процессе выполнения курсовой работы успешно были достигнуты поставленные цели, рассмотренные основные понятия, касающиеся устройств в системах связи.

Также было рассчитаны устройства, применяемые в системах связи. Были расширены умения по использованию справочными данными, а также закрепилены знания, полученные при изучении теоретической части дисциплины в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, рассчитывать параметры этих устройств, и элементов входящих в их состав.

Поскольку все поставленные цели успешно достигнуты, а необходимые для работы навыки успешно усвоены, необходимые расчеты выполнены можно считать курсовую работу выполненной.

 

 

Литература

1. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высш.шк. 2000.

2. Лачин В. И. Электроника: учеб. пособие / В. И. Лачин, Н. С. Савёлов.

- Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс" 2007.

3. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника и микропроцессорная техника: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 2002. 622 с.

4. Воробьёв Н. И. Проектирование электронных устройств: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. шк., 1989. 223 с.

5. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Источники питания и стабилизаторы. – М.: Издательский дом «Додэка – ХХI», «Альтекс», 2007.

6. Матвиенко В.А. Характеристики и параметры полупроводниковых приборов. Учеб. пособие. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2007.

7. Молокова Г.Ф. Основные требования к оформлению дипломного проекта: Методические указания. – Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО
«СибГУТИ», 2005.

8. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989. 640 с.

 

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-04-03; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 377 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Чтобы получился студенческий борщ, его нужно варить также как и домашний, только без мяса и развести водой 1:10 © Неизвестно
==> читать все изречения...

2432 - | 2320 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.