СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ
Курсовая работа по дисциплине "Электроника"
Пояснительная записка
210312 000 000 876 ПЗ
Вариант № 12
| Руководитель | В.И.Паутов | |
| канд. техн. наук, доцент | ||
| Студент группы ВЕ-01б | Меликоров Д. В. |
Екатеринбург 2011
СОДЕРЖАНИЕ
Введение....................................................... 3
1 Методические указания по проектированию стабилизатора......... 4
1.1 Структурная схема стабилизатора........................... 4
1.2 Выбор транзистора....................................... 5
1.3 Выбор стабилитрона.......................................6
1.4 Источник стабильного тока.................................8
1.5 Расчет параметров стабилизатора............................ 10
1.6 Защита нагрузки от перенапряжения.........................11
1.7 Индикация состояния стабилизатора.........................11 Заключение……………………… ……………………………………. 13
Литература.................................................... 14
Приложения....................................................
ВВЕДЕНИЕ
Целью выполнения курсовой работы является закрепление знаний, полученных при изучении теоретической части дисциплины в частности, применения полупроводниковых диодов и транзисторов, усвоить навыки самостоятельной работы по разработке и анализу схем аппаратуры связи, использования справочной и специализированной литературой.
В данной курсовой работе были использованы следующие термины: транзистор, стабилитрон, а также я считаю необходимым рассмотреть механизмы, лежащие в работе стабилитора. Вышеперечисленные понятия и механизмы рассмотрены мною ниже:
Транзи́стор (англ. transistor) — электронный прибор из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п
Стабилитрон (диод Зенера) — полупроводниковый диод, предназначенный для поддержания напряжения источника питания на заданном уровне. По сравнению с обычными диодами имеет достаточно низкое регламентированное напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Материалы, используемые для создания p-n перехода стабилитронов, имеют высокую концентрацию легирующих элементов (примесей). Поэтому, при относительно небольших обратных напряжениях в переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой, в данном случае являющийся обратимым (если не наступает тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма:
- Лавинный пробой p-n перехода
- Туннельный пробой p-n перехода (Эффект Зенера в англоязычной литературе)
Стабилизаторы, рассматриваемые в курсовой работе, широко используются в зарядных устройствах, в качестве источников питания маломощных радиоэлектронных устройств.
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ПРОЕКТИРОВАНИЮ
СТАБИЛИЗАТОРА
Структурная схема стабилизатора
Структурная схема стабилизатора представлена на рисунке 1.
ИП – источник питания стабилизатора, СЭ – силовой элемент, ИОН - источник опорного напряжения, СЗ – схема защиты, И – индикация состояния стабилизатора, Н – нагрузка стабилизатора.
| ИП |
| СЭ |
| ИОН |
| СЗ |
| И |
| Н |
| Рис. 1. Структурная схема стабилизатора |
Выбор транзистора
Для примера примем напряжение стабилизации равным 9 В, номинальное значение тока нагрузки I Н = 170 мА. При таком токе сопротивление нагрузки составляет 53 Ом рис. 15. Примем также, что ток нагрузки может изменяться на ±20. Тогда I Hmax = 204 мА, I Hmin = 136 мА. Такой ток могут обеспечить транзисторы средней мощности германиевые n-p-n типа ГТ612Г или ГТ404А.
Транзистор включен по схеме общий коллектор, поэтому можно принять, что ток коллектора равен току эмиттера. По максимальному значению тока выбирается транзистор и по справочным данным определяются его параметры: коэффициент передачи тока базы В, допустимая мощность рассеяния коллектора при заданном максимальном значении окружающей температуры Р Кдоп. Коэффициент усиления В можно определить по вольт-амперным коллекторным характеристикам транзистора В = ∆ I K/∆ I Б при напряжении 30 В.
Исходя из характеристик рис. 21 транзистор типа ГТ612Г получаем
В ≈ 35.
Определим максимальный ток базы I Бmax = I Кmax / В = 5,5 мА.
Для нормальной работы транзистора средней мощности и с учетом изменения напряжения питания, напряжение между коллектором и эмиттером должно быть не менее 10 вольт. При этом минимальное напряжение на коллекторе оказывается равным 20 В. Максимальное значение напряжения источника питания равно 28 В. К транзистору прикладываем максимальное напряжение U КЭmax= 18 В. Для всех транзисторов средней мощности такое напряжение вполне допустимо.
Теперь определим мощность рассеяния Р К = U КЭmax I Кmax < Р Кдоп. Для данного транзистора оно равно Р К = 9.5 Вт, что вполне допустимо для транзисторов средней мощности..
Полученная мощность рассеяния превышает допустимую, то транзистор следует поместить на радиатор. Выбор необходимой площади радиатора проводим по графикам рисунка 22 справочных данных. Превышение мощности 65%, проводится горизонтальная линия до пересечения с графиком и получаем площадь радиатора равную 115 
Выбор стабилитрона
Напряжение на выходе стабилизатора принято равным 9 В. Учитывая падение напряжения на переходе база-эмиттер транзистора выберем стабилитрон типа 2С190Б. Его параметры по справочным данным:
U СТ = 9±5% В, I СТmax = 26 мА, rСТ = 15 Ом, ξ = + 6 10-2 %/ОС.
Оценим влияние температуры на напряжение стабилизации, если температура изменяется на 40оС.
| R 1 |
| VD 2 |
| R H |
| VT 1 |
| R1 |
| U И + |
| VD 1 |
| Рисунок 2. Включение термокомпенсирующих диодов рующих диодов рующих диодов рующих диодов |
| Рис. 3. Зависимость относительного ξСТ стабилитрона от напряжения стабилизации |
| % 0С |
| – 0,08 |
| 0,04 |
| – 0,04 |
| 0,08 |
| 4 8 12 16 В U СТ |
| ξСТ |
Решение.
[%] = 0,075·50ОС = 3,75. Напряжение U СТ = 10 В изменяется
Решение.
[%] = 0,06·40ОС = 2,4. Напряжение U СТ = 9 В на 2,4 %, что составляет 0,22 В. Такой температурный дрейф недопустим по заданию.
Требуется введение термокомпенсации путем введения дополнительных диодов VD 2, включенных в прямом направлении с отрицательным ТКН,
рис. 17.
Выберем необходимое количество диодов с ТКН = –2,5 мВ/ОС. При изменении температуры на 50ОС величина смещения напряжения одного диода составит 100 мВ. А скомпенсировать необходимо 220 мВ.
Выбор напряжения компенсации U К произведем по графику
рис. 18. При заданном изменении температуры необходим стабилитрон с
ξст = – 0,06 %/ОС. На графике проведем сечение (пунктирная линия) с указанным ξСТ.
Согласно графику необходим диод с напряжением стабилизации примерно 3В. Такому напряжению соответствует диод КС131А, напряжение
стабилизации которого U СТ = 3,1 В.
После этого необходимо вновь выбрать основной стабилитрон VD 1 с напряжением U СТ ≈ U Н – U К – 0,2 В и оценить окончательный. Для рассматриваемого примера подходит стабилитрон КС170А с параметрами U CT = 7,0 ± 5% B, rД = 6 Ом.
При заданном напряжении стабилизации более 9 В придется включить два термокомпенсирующих стабистора. При напряжении стабилизации более 12 В следует включить последовательно два стабилитрона. При этом желательно один из них выбрать на напряжение 5 В, при котором ξСТ ≈ 0
рис. 18.
Полной термокомпенсации данным способом получить не удается, т.к. стабилитроны имеют фиксированные напряжения.
Источник стабильного тока (генератор стабильного тока ГСТ)
Ток стабилитронов задает резистор R 1, подключенный к источнику питания. Изменение напряжения источника приводит к изменению тока стабилитронов, их сопротивления и в конечном итоге влияет на выходное напряжение стабилизатора (рис 4).
| U БЭ |
| U СТ |
| U К |
| I H |
| U Rэ |
| U КБ |
| U KЭ |
| U ЭK |
| VT 2 |
| R Э |
| VD 2 |
| R H |
| VT 1 |
| U И + |
| VD 1 |
| Рисунок 4. Схема включения ГСТ |
| R 1 |
| VD 3 |
| U H |
Для уменьшения влияния дрейфа напряжения источника питания U И на параметры стабилизатора застабилизируем ток стабилитронов с помощью специальной схемы, называемой генератором стабильного тока рисунок 4. Напряжение на базе транзистора VT 2 застабилизировано с помощью стабилитрона VD 3, поэтому транзистор включен по схеме общая база.
| R 1 |
Ток коллектора транзистора VT 2 задает ток стабилитронов и ток базы транзистора VT 1.
Рассчитаем параметры ГСТ и выбрать его элементы.
Зададимся током стабилитронов равным 20 мА и учтем ток базы транзистора VT 1 I Б = 1.2 мА. Ток коллектора VT2 вычисляется по соотношению
I K = (U Б – U БЭ) / R Э, (3.1 в методических указаниях)
где U Б - напряжение на базе транзистора VT 2,
U БЭ - напряжение база-эмиттер этого транзистора.
При выборе транзистора VT 1 примем, что минимальное напряжение на его коллекторе составляет 20 В, а напряжение U КЭ = 10 В. При этом напряжение U КБ для транзисторов на основе германия составит 9,7 В.
По транзистору VT 2 и по резистору R Э должен протекать ток, равный 21,2 мА. Сопротивление R Э = U Rэ / I Rэ = 4,7 В/21,2 мА = 221 Ом. Примем номинальное значение R Э = 220 Ом.
Напряжение на сопротивлении R Э = 4,7 В. Напряжение U БЭ = 0,2 В. Напряжение U Б = (4,7 + 0,2) = 4,9 В. Теперь можно выбрать стабилитрон на напряжение U CT = 4,9 B.
По справочным данным выберем стабилитрон КС148А.
Зададим ток диода VD 3 АЛ301Б равным 10 мА при минимальном напряжении источника U П. По сопротивлению R 1 будет протекать ток 10 мА. Прикладывается напряжение U П за вычетом напряжения на диодах VD 3 и VD 2. Эти напряжения в сумме дают 6,9 В. Тогда сопротивление R 1= (20 В – 6,9 В)/10 = 1,31 кОм.
Выбрем номинальное значение (округлив в меньшую сторону), получим R1=1,3 обозначается на схемах 1К3. Вычислить мощность рассеяния на резисторе и выбрать его тип.
Поскольку принято иное значение резистора, то следует вычислить фактическое значение тока
I R = (20 В – 6,9 В)/1,3 К = 10 мА.
Теперь можно определить сопротивления диодов VD 1 и VD 2. По диоду VD 1 течет ток 20 мА (стабилитрон КС170А), по диоду VD 2 (диод КС131А) течет ток 30 мА.
Воспользуемся графиком (рисунок 5), проведя сечения для соответствующих напряжений.
| Рисунок 5 Зависимость сопротивления стабилитрона от тока стабилизации |
| 5 10 15 В U СТ |
| 20мА |
| I CT= 15 мА |
| Ом |
| 0 |
| 20 |
| rСТ |
| 30мА |
| 25мА |
24 Ом, сопротивление диода VD 2 – примерно 7 Ом. Общее сопротивление, включенное в цепь базы транзистора VТ 1, составляет 31 Ом.
| К СТ = |
| rK |
| U H |
| U И |
| rСТ + h11 (1 + В) |
(3.2 в методических указаниях)
где rСТ – общее сопротивление стабилитронов,
rК – сопротивление коллекторной цепи транзистора VT 1,
h11 – входное сопротивление транзистора, которое определяется по входной характеристике I Б = f (U БЭ) для тока базы, определенного в предыдущих разделах.
Определяем параметры транзистора VT 1.
Сопротивление rЭ = φ T / I Э = 26 / 170= 0,15 Ом.
При температуре 20 ОС φ T ≈ 26 мВ.
Параметр h11 определяется по приращениям тока и напряжения на входной характеристике h11 = ∆ U БЭ /∆ I Б рис. 21. Ток базы был вычислен ранее (в примере I Б = 8 мА). Значение тока базы откладываем на оси тока базы, проводим прямую линию до пересечения с характеристикой, получаем положение рабочей точки (РТ). Строим характеристический прямоугольный треугольник так, чтобы РТ оказалась примерно в средине гипотенузы треугольника. Катеты проецируем на ось тока и напряжения. Вычисляем значения ∆ U БЭ и ∆ I Б.
Из построения находим, что ∆ U БЭ ≈ 0,1 В, ∆ I Б = 1 мА.
h11 = ∆ U БЭ /∆ I Б = 0,1В/1мА = 100 Ом.
Сопротивление rК определяется по коллекторным вольт-амперным характеристикам транзистора. Для этого проводим вертикальную прямую для напряжения 9 В, находится точка пересечения прямой с характеристикой тока базы, принятого в расчете. Возле этой точки строится характеристический треугольник, катеты которого проецируются на оси и находятся значения приращения тока и напряжения ∆ U КЭ и ∆ I К. Вычисляется сопротивление rК. Построения показаны на рис. 21 и рис. 13.
Из построения определяем ∆ U КЭ = 10 В, ∆ I К ≈ 20 мА.
rК = ∆ U КЭ /∆ I К = 10 В/12 мА = 0,83 кОм.
Коэффициент В определяется аналогичным способом В = ∆ I К/∆ I Б.
На рисунке 6 ∆ I К ≈ 10 мА (показано стрелкой на сечении), ∆ I Б = 0,4 мА.
Получаем В ≈ 25.
| ∙ |
| К СТ = |
| rK |
| U H |
| U Иm |
| rСТ + h11 (1 + В) |
| 1,2 |
| I Б , мА |
| U БЭ , В |
| 1,6 |
| 0,8 |
| 0,4 |
| 0,7 |
| 0,8 |
| UКЭ=5 В |
| I К, мА |
| U КЭ, В |
| 0,9 |
| I Б = 1,6 мА |
| 2,0 |
| 1,2 |
| 0,8 |
| Рисунок 6.Входная и выходная характеристики транзистора КТ605 |
| РТ |
| ∙ |
| 830 Ом |
| 10 В |
| = 83,64 |
| 20 В |
| (31 + 100) Ом |
Выходное сопротивление стабилизатора
R ВЫХ = rЭ + (rСТ + rб)/(1 + B) (3.3 в методических указаниях)
Сопротивление rб = h11 – rЭ (1 + B) = 100 – 0,15*26 = 97,4 Ом.
R ВЫХ = 0,1 + (31 + 97,4)/26 = 4,96 Ом.
