Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


ѕути повышени€ анизотропии ѕ’“




 

„истое ѕ’“ при отсутствии каких-либо кристаллографических эффектов €вл€етс€ изотропным.

ƒл€ получени€ анизотропии процесса травление стимулируют бомбардировкой положительными ионами. »звестны два механизма стимул€ции анизотропного травлени€ ионной бомбардировкой:

1. —оздание радиационных нарушений.
2. ‘ормирование пассивирующего сло€ на боковых стенках.

 

—оздание радиационных нарушений

»оны, бомбардирующие кремний, создают радиационные нарушени€ в кристаллической решетке, простирающиес€ в глубину на несколько монослоев от поверхности. –адиационные повреждени€ катализируют процесс хемосорбции травител€.

 роме того, химическа€ реакци€ с нарушенной областью кристалла протекает с повышенной скоростью, причем глубина и количество радиационных нарушений завис€т от энергии ионов.

‘ормирование пассивирующего сло€ на боковых стенках

ќпределенные газы (например, CHF3, CClF3) или смесигазов (CF4-H2) распадаютс€ в плазме, образу€ элементы с ненасыщенными св€з€ми и радикалы, способные к полимеризации. Ёти элементы, взаимодейству€ с поверхностью, формируют адсорбированный слой, а в некоторых случа€х - сплошную пленку. јдсорбированный слой замедл€ет травление, адсорбиру€ элементы травител€ либо преп€тству€ доступу частиц травител€ к подложке. »онна€ бомбардировка поверхности удал€ет покрытие из ингибиторов, что вызывает анизотропию травлени€

ЅќЎ Ц процесс

ƒл€ глубокого анизотропного травлени€ используют так называемый ЅќЎЦпроцесс, который представл€ет собой чередование двух стадий:

- изоторопного ѕ’“;

- осаждени€ полимера.

ƒостоинства:

- высока€ скорость травлени€ (до 20 мкм/мин);

- возможность управлени€ степенью анизотропии;

- высока€ воспроизводимость процесса.

 

38. ѕлазмохимическое травление кремни€, пленок Si3N4, SiO2.

“равление кремни€

ѕлазмохимическое травление кремни€ осуществл€ют во фторсодержащей плазме. јтомы фтора реагируют с кремнием n и p типа проводимости, а

также с SiO2 и Si3N4, образу€ летучие соединени€.

¬ качестве источников фтора могут служить молекулы: F2, CF4, C2F6, C3F8, SF6, SiF4, NF3, ClF3, которые при диссоциации в плазме могут образовывать атомарный фтор, а также различные фторсодержащие радикалы. ¬ результате химических реакций с кремнием образуютс€ летучие продукты такие,как SiF2 и SiF4.

ƒл€ улучшени€ эффективности процесса в плазму добавл€ют кислород, который в атомарном состо€нии окисл€ет углерод до —ќ и —ќ2.

ѕ’“ слоЄв SiO2

»спользуемые газы: C3F8, CHF3, O2, He. C3F8 диссоциирует, образу€ химически активные радикалы CFX, а также атомарный фтор: C3F8 + e → 2CFX + 2F + e. –адикалы CFX (главным образом CF3+) взаимодействуют с SiO2 с образованием таких летучих продуктов, как SiF4, CO, CO2, COF2:

CFX + SiO2 → SiF4 + (CO, CO2 COF2).

 ислород способствует лучшему удалению из зоны травлени€ нелетучих углеродсодержащих соединений за счет образовани€ таких газов, как COF2, CO и CO2.

CHF3 при диссоциации образует радикалы CF3+, а также атомарный водород, св€зывающий атомы фтора:CHF3 → CF3+ + H,

H + F → HF. ѕри добавлении в газовую смесь CHF3 происходит увеличение скорости травлени€ SiO2 за счет увеличени€ концентрации радикалов CF3+ и уменьшени€ скорости травлени€ чистого кремни€ из-за уменьшени€ концентрации атомов фтора. Ёто позвол€ет обеспечить селективность травлени€ SiO2 по отношению к Si на уровне 10:1.

ƒобавка в газовую смесь гели€ позвол€ет эффективно охлаждать стенки реактора и пластину во врем€, и после травлени€, что необходимо дл€ сохранени€ геометрии фоторезистивной маски.

ѕ’“ слоЄв Si3N4

»спользуемые газы: SF6, He.

“равление осуществл€етс€ атомами фтора, которые освобождаютс€ в плазме гексафторида серы. ѕоскольку атомы фтора быстрее вступают в реакцию с Si3N4, чем с SiO2, то данный процесс характеризуетс€ селективностью травлени€ Si3N4 по отношению к SiO2. ƒобавка гели€ выполн€ет функцию хладоагента.

 





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2016-03-26; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 944 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

Ћогика может привести ¬ас от пункта ј к пункту Ѕ, а воображение Ч куда угодно © јльберт Ёйнштейн
==> читать все изречени€...

1478 - | 1460 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.011 с.