Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


‘отошаблоны и их производство




‘отошаблон €вл€етс€ основным инструментом литографии в планарной технологии. ƒл€ изготовлени€ каждой »— требуетс€ комплект фотошаблонов из 4 Ц 15 (и более) стекол.

“опологи€ структуры Ц рисунок, включающий в себ€ размеры элементов структуры, их форму, положение и прин€тые допуски;

ќригинал Ц увеличенный, поддающий воспроизведению рисунок отдельной детали фотошаблона, обычно одной или нескольких топологий структур издели€, предназначенной дл€ изготовлени€ фотошаблона методом последовательного уменьшени€ и мультипликации;

ѕромежуточный оригинал Ц фотошаблон с рисунком оригинала после его фотографического промежуточного уменьшени€ в один или несколько приЄмов, с размножением изображени€ или без него;

‘отошаблон Ц плоско - параллельна€ пластина из прозрачного материала дл€ фотолитографических целей с рисунком, состо€щим из непрозрачных и прозрачных дл€ света определенной длины волны участков, образующих топологию одного из слоЄв структуры прибора, многократно повторЄнного в пределах активного пол€ структуры;

ћаска Ц плоска€ пластина или плЄнка, содержаща€ рисунок в виде сквозных окошек и предназначенна€ дл€ локального экспонировани€;

ћеталлизированный фотошаблон Ц фотошаблон, экспонирующий рисунок которого представл€ет собой тонкую металлическую плЄнку, нанесенную на стекл€нную подложку;

Ёталонный фотошаблон Ц первый фотошаблон в процессе изготовлени€ структур, с которого обычно получают рабочие или первичные копии фотошаблонов;

–абочий фотошаблон Ц фотошаблон, примен€емый в фотолитографическом процессе при изготовлении полупроводниковых структур контактной или проекционной печатью на полупроводниковых пластинах, покрытых слоем фоторезиста;

‘игура совмещени€ Ц специальный топологический рисунок в виде штриха, щели, креста и т.д. дл€ облегчени€ юстировки рабочего фотошаблона при его совмещении с рисунком на

полупроводниковой пластине.

ѕолученна€ в результате проектировани€ »— информаци€ о топологии в цифровом виде преобразуетс€ генератором изображени€ в топологический рисунок на промежуточном шаблоне. “опологический рисунок генерируетс€ методом микрофотонабора, т.е. разбиением элементов топологии на элементарные пр€моугольники.

aЦ генераци€ сложного топологического элемента;

б, в Ц генераци€ простых топологических элементов


—хема генератора изображени€

 

1 Ц источник излучени€;

2 Ц затвор; 3 Ц конденсор; 4 Ц блок шторок; 5, 6 Ц неподвижна€ и подвижна€ шторки; 7 Ц проекционный объектив, передающий уменьшенное изображение; 8 Ц изображение элемента рисунка; 9 Цслой фоторезиста; 10 Ц координатный стол с приводами; 11 Ц система контрол€ положени€ стола; 12 - Ё¬ћ; 13 Ц ввод информации.

 

–абота генератора изображени€

ѕучок света от источника направлен сверху вниз.

”становка работает с остановками стола в заданном положении во врем€ экспонировани€.

 

Ёлементарные пр€моугольники формируютс€ блоком шторок, состо€щим из неподвижной и подвижной шторок. »х взаимное расположение определ€ет размеры элементарного пр€моугольника.  оординатный стол обеспечивает точное перемещение пластины с фоторезистом по координатам X и Y.

√енератор изображени€ может формировать до 300 тыс. экспозиций в час. ƒл€ »— с более чем 1 млн. элементов формирование 1 стекла фотошаблона займет несколько дес€тков часов.

ћаршруты изготовлени€ фотошаблонов

ћаршрут изготовлени€ фотошаблонов выбирают исход€ из степени сложности »—. „ем короче маршрут генерации и переноса изображени€, тем меньше вносимых дефектов.

ƒл€ »— малой и средней степени интеграции выбирают маршрут: 1Ц3Ц5Ц7Ц9Ц10Ц11Ц12Ц13. Ёто обеспечивает высокую производительность и низкие затраты за счЄт невысокой точности и высокого уровн€ дефектности.

ƒл€ »— высокой степени интеграции требовани€ к точности существенно возрастают. Ёто определ€ет маршрут: 1Ц3Ц4Ц7Ц8Ц12Ц13. «десь низка производительность и высоки затраты.

¬ случае —Ѕ»— выбирают маршрут, обеспечивающий максимальную точность и минимальный уровень дефектности не смотр€ на низкую производительность и очень высокие затраты: 1 Ц 3 Ц 5 Ц 6 Ц 13.

–азновидности фотошаблонов

ѕо технологии изготовлени€ фотошаблоны дел€тс€ на:

- металлизированные Ц в качестве непрозрачных участков используютс€ пленки металла (как правило, используют плЄнки хрома, нанесенные ионным распылением из-за их хорошей адгезии к стеклу и высокой износостойкости);

- эмульсионные Ц используютс€ плЄнки органических эмульсий;

- транспарентные (полупрозрачные) Ц непрозрачные участки обладают селективной светонепроницаемостью, т.е. прозрачны дл€ глаза оператора при λ>0,55 мкм и непрозрачны дл€ ”‘ при λ=0,35 Ц 0,45 мкм (CdSe, Fe2O3, SiO2)





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2016-03-26; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1970 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

„тобы получилс€ студенческий борщ, его нужно варить также как и домашний, только без м€са и развести водой 1:10 © Ќеизвестно
==> читать все изречени€...

1647 - | 1572 -


© 2015-2024 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.011 с.