Емкостное влияние
Причиной емкостного влияния могут быть паразитные, т.е. неустранимые схемным путем, емкости между проводами или проводящими предметами, принадлежащими разным токовым контурам. Практический интерес представляют следующие случаи:
-влияющий и испытывающий влияние контуры гальванически разделены;
-оба контура имеют общий провод системы опорного потенциала;
-провода токового контура имеют большую емкость относительно земли.
Гальванически разделенные контуры
На рис. 3.12, а показана упрощенная модель емкостного влияния. Предполагается, что длина контура мала по сравнению с длиной волны самой высокой учитываемой частоты. Система проводников 1,2 принадлежит к влияющему контуру, а 3, 4 - контуру, испытывающему влияние. Соответствующие элементы и образуют полное сопротивление влияющего контура (рис. 3.12, б), а элементы и - полное сопротивление Z контура, испытывающего емкостное влияние.
Рис. 3.12. Емкостное влияние между гальванически разделенными контурами: а - модель влияния; б - схема замещения; в - модель влияния при экранировании обоих контуров; г - схема замещения при наличии экранов
Отсюда нетрудно заметить, что напряжение помехи Ust равно нулю, если соблюдается условие симметрии:
Это условие можно обеспечить попарным скручиванием проводников (провода 1 с проводом 2, провода 3 спроводом 4), а в некоторых случаях - включением симметрирующих конденсаторов.
Следующей возможностью снижения емкостного влияния в гальванически разделенных контурах является применение экранированных проводов (рис. 3.12, в) с экранами и из хорошо проводящего материала, которые, как правило, соединяются с одной стороны с проводом системы опорного потенциала какого-либо контура. Благодаря этому увеличивается емкость связи . В ненагруженном состоянии для контура, испытывающего влияние (рис. 3.12, г) можно записать:
.
Из этого уравнения следует, что экранирующее воздействие тем лучше, чем больше емкость С34 проводника относительно экрана по сравнению с емкостями С13 и С24.
Контуры с общим проводом системы опорного потенциала
Такие контуры типичны для аналоговых и цифровых схем. В качестве примера на рис. 3.13, а приведена логическая схема, в которой может произойти непредусмотренное изменение состояния переключающего элемента при изменении сигнала на выходе элемента А из-за наличия паразитной емкости С13.
На рис. 3.13, б приведена соответствующая схема замещения. Принимая Rs>> rq, записываем напряжение помехи в операторной форме:
Рис. 3.13. Емкостное влияние контуров с общим проводом системы опорного потенциала 2, 4:
а - схема с элементами логики; б - схема замещения; 1,2 - влияющий контур; 3, 4 - контур, испытывающий влияние; С13 - паразитная емкость связи
(3.11)
Решение этого уравнения имеет вид
. (3.12.)
В этих уравнениях представляет собой постоянную скорость линейно возрастающего выходного напряжения элемента А в интервале (рис.3.14, а).
Рис. 3.14. Выходной сигнал элемента А на рис. 3.13, а (а) и сигнал помехи ust в интервале времени (б)
Изменение во времени напряжения помехи согласно (3.12) показано на рис. 3.14, б. Если постоянная времени максимально возможное напряжение помехи определяется по формуле:
. (3.13)
Емкость связи С13, входящая в уравнения (3.11) - (3.13), определяется геометрическими размерами и топологией проводников. В простейшем случае проводники диаметром D и длиной , расположенные параллельно друг другу на расстоянии (рис. 3.15), имеют емкость связи
Реальные значения емкости С13 составляют от 5 до 100 пФ/м.
Рис. 3.15. Параллельно проложенные цилиндрические проводки (а) и зависимость погонной индуктивности от отношения d/D (б)
Например, при С13 = 100 пф/м, rq = 50 Ом, l = 0,1 м и = 4 В/нc из (3.13) ориентировочное значение максимального напряжения помехи составляет примерно 2 В.
Мероприятия по снижению емкостного влияния контуров с общим проводом системы опорного потенциала следующие:
-обеспечение малой емкости связи С13 из-за сокращения длины проводов l, уменьшения диаметра провода D, увеличения расстояния d между проводами 1 и 2, исключения параллельной их прокладки, применения изоляции проводов и печатных плат с малой диэлектрической проницаемостью;
-увеличение емкости С34 путем размещения сигнальных продав между проводниками системы опорного потенциала (см. рис. 3.7), скрутки сигнальных проводов и проводов системы опорного потенциала, использования свободных жил кабеля в качестве проводников системы опорного потенциала, расположение плоских проводов системы опорного потенциала на минимальном расстоянии при монтаже (на печатных платах, в плоскиx соединительных жгутах), что также сказывается благоприятно и при снижении гальванических влияний;
-выполнение предельно низкоомными токовых контуров, подверженных влиянию;
-ограничение скорости изменения напряжения (в логических схемах скорость переключения должна быть не выше, чем требуемая для функционирования);
-экранирование проводов и контуров, чувствительных к влиянию (экраны S на рис. 3.16, а, провода и экранные дорожки S на печатных платах рис. 3.17, экранирующие пластины между печатными платами SW или отсеки S G для отдельных модулей (рис. 3.18), металлизация пластмассовых корпусов).
Под влиянием экрана существенно уменьшается емкость С13, а емкость С34 увеличивается, что в соответствии с (3.12) и (3.13) приводит при одной и той же скорости изменения напряжения кснижению напряжения помехи.
Рис. 3.16. Экранирование линии:
а - целесообразное соединение экрана S с системой опорного потенциала 2, 4; б - схема замещения; в - нецелесообразное соединение экрана с системой опорного потенциала; г - двустороннее соединение экрана с проводом опорного потенциала; А - источник помех (); rq - выходное сопротивление источника помех; RS - входное сопротивление ступени в экранированном контуре
Рис. 3.17. Экранирующие дорожки на печатных платах:
а - экранирующая дорожка S (схема замещения такая же, что и на рис. 3.16, б); б - короткозамкнутая дорожка - экран S с перемычкой В служит также защитой от индуктивного влияния
Рис. 3.18. Экранирование функциональных блоков печатных плат перегородками SW или функциональных модулей коробками SG:
2, 4 —пластина опорного потенциала
В любом случав экран S должен быть изготовлен из хорошо проводящего материала, чтобы на сопротивлении экрана R и его индуктивности L (рис. 3.16, б) не было заметного падения напряжения, накладывающегося на полезный сигнал в защищаемом корпусе. Экран в источнике питания должен быть соединен с проводом системы опорного потенциала (например, с проводом 2 и 4 на рис. 3.16, б). При соединении экрана с системой опорного потенциала у чувствительного к помехам элемента (рис. 3.16, в) ток вызывает падение напряжения помехи ust на сопротивлении R и индуктивности L провода системы опорного потенциала, которое накладывается на входное напряжение защищаемого контура.
Двустороннее присоединение экрана к системе опорного потенциала (рис. 3.16, г) целесообразно тогда, когда экран предназначен для ослабления воздействующего магнитного поля. Впрочем, ток ist в контуре, образованном экраном S и проводом системы опорного потенциала 2, 4, не должен создавать в проводе 2, 4 недопустимого напряжения помехи, попадающего в защищаемый контур.