Статические ВАХ ПТ с управляющим р -n переходом

 

1. Статическая стоковая характеристика

 

Ic = f(Uc) при U_ЗИ = const, см.рис.9.7

 

Рис. 9.7 Стоковая характеристика

 

 

При U_ЗИ < U_пор - транзистор закрыт, и его ВАХ подобна обратной ветви полупроводникового диода (нижняя кривая на рис.9.7).

Она практически совпадает с осью напряже­ний, отклоняясь от нее в области электрического пробоя.

 

При U_3И = 0 и малых значениях U_СИ ток стока изменяется прямо пропорционально с изменением на­пряжения (участок АБ).

В точке БВ из-за заметного сужения стокового участка канала и уменьше­ния его общей проводимости намечается некоторое отклонение характеристики от прямой линии.

На участке БВ существенное сужение стокового участка канала и значи­тельное уменьшения его общей проводимости вызывают замедление роста тока I_С с увеличением U_{С И}.

В точке В, при U_{СИ нас} ток стока достигает величины I_{С нас} и в дальнейшем остается почти неизменным.

 

2. Статическая стоко-затворная характеристска

 

Ic = f(Uзи) при Uси = const. рис. 9.8

 

 

канал “n” типа

 

Рис. 9.8Cтоко-затворная характеристска

 

Нормальный режим работы транзистора при U_СИ > U_СИнас.

Прямое включение p-n перехода не применяется т.к. при этом происходит инжекция неосновных носителей и входное сопротивление транзистора резко падает, теряется основное достоинство полевого транзистора - высокое входное сопротивление.

 

Основные параметры:

1. Начальный ток стока I_cнач приU_зи = 0
2. Напряжение отсечки U_ОТС при котором ток стока I_c=0
3. Крутизна стоко-затворной характеристики

 

S = DI_С /DU_ЗИ [мА/В], при U_С = conct

 

Флеров А.Н. курс “ Физические основы микроэлектроники”

Для самостоятельного изучения