Схематическое устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом представлено на рис. 9.4
Рис. 9.4 Упрощенная структура полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом представляет собой монокристалл полупроводника n - типа проводимости.
По торцам кристалла методом напыления сформированы электроды, а посередине, с двух сторон, созданы две области p -типа проводимости также с электрическими выводами от этих областей, соединенные между собой (возможны и другие варианты структуры, например – цилиндрическая с кольцевым затвором).
На границе раздела областей с различным типом проводимости возникнет
р-n переход.
ПТ содержит три полупроводниковые области: две одного и того же типа проводимости, называемые соответственно истоком (И) и стоком (С), и противоположной им типа проводимости, называемой затвором (З).
Область между стоком и истоком называется каналом.
К каждой из областей (стоку, истоку и затвору) присоединены соответствующие выводы (невыпрямляющие контакты, омические).
В транзисторе используется движение носителей заряда одного знака (основных носителей), которые, ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ, СОЗДАВАЕМОГО ВНЕШНИМ ИСТОЧНИКОМ (Uси), движутся из истока через канал в сток.
Этим объясняются названия: исток - область, из которой выходят носители заряда, и сток - область, в которую они входят.
p-n переход при нормальном режиме работы транзистора должен быть обратносмещенным.
