Развитие микроэлектроники должно быть направлено на:
• разработку базовых технологий СБИС:
- КМОП технологии уровня 0,18-0,13 мкм на пластинах диаметром 200 мм с созданием опытного производства;
- опытной технологии КМОП СБИС с проектными нормами до 0,13 мкм и организация пилотной линии по выпуску специализированных СБИС на пластинах диаметром 200 мм;
- разработки технологии изготовления шаблонов с фазовым сдвигом и коррекцией оптического эффекта близости для производства СБИС и организацию межотраслевого центра проектирования, изготовления и каталогизации шаблонов технологического уровня до 0,13 мк;
- ускоренное развитие систем проектирования сложных СБИС, включая СБИС типа «система на кристалле», ориентированных на разработку конкурентоспособных электронных систем мультимедиа, телекоммуникаций, систем радиолокации, космического мониторинга, цифровых систем обработки и передачи информации, цифрового телевидения и радиовещания, систем управления технологическими процессами и транспортом, систем безналичного расчета, научного приборостроения и обучения, систем идентификации, сжатия и кодирования информации, медицинской техники и экологического контроля с использованием:
- унифицированных библиотек стандартных элементов (отечественных и зарубежных производств);
- библиотек макроблоков и СФ-блоков, ориентированных по классам ЭКБ;
- платформ и стандартных интерфейсов;
- программно-аппаратных средств архитектурного проектирования и программирования, включая генерацию тестов.
• разработку новых поколений электронной компонентной базы:
- функционально полной номенклатуры аналоговых и логических БИС для комплектации и модернизации действующих радиоэлектронных систем и аппаратуры, включая задачи импортозамещения;
- СФ-блоков для обработки, сжатия и передачи информации в том числе:
q сигнальные и цифровые процессоры (в том числе программируемые) и микроконтроллеры;
q цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи;
q шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т.д.);
q специализированные блоки для телекоммуникации, связи и АТМ технологии.
- комплектов специализированных СБИС типа «система на кристалле» сложностью до 10-50 млн. транзисторов для систем цифровой обработки сигналов (цифровое телевидение, радиовещание, сотовая и радиотелефонная связь, космический мониторинг, системы управления и контроля и т.д.);
- разработку приборов силовой электроники, включая:
- базовую технологию и конструкцию производства тиристоров и мощных транзисторов со структурой IGBT, силовых ключей прижимной конструкции на токи до 1500 А и напряжение до 6500 В;
- базовую технологию производства и конструкцию силовых микросхем, гибридных силовых приборов тиристорного типа, высоковольтных драйверов управления и интеллектуальных силовых модулей.
Системы на кристалле новый класс перспективной электронной элементной базы, одно из наиболее динамично развивающихся направлений микроэлектронной техники востребованной на рынке.
Развитие технологий СБИС «система на кристалле» неразрывно связано с развитием рынка СФ-блоков.
Динамика мирового рынка объема продаж СФ-блоков
Таблица 6
| Годы | Объем продаж, млн. руб. | Прирост, % |
| 97,9 | ||
| 73,7 | ||
| 54,5 | ||
| 54,9 | ||
| 33,7 | ||
| 38,6 | ||
| 41,8 | ||
| 37,2 | ||
| 32,9 | ||
| 32,2 |
Анализ динамики мирового рынка СФ-блоков в период 2000-2004гг. показал, что среднегодовые темпы роста составили в среднем 36,5%, а в целом за десятилетний период объем продаж СФ-блоков в мире вырос более чем в 26 раз.
Темпы развития сектора многократно используемых СФ-блоков, повышающих надежность, ускоряющих и удешевляющих разработку СБИС «система на кристалле», имеют еще большую динамику: число конструкций таких СФ-блоков в период с 2000 по 2004 гг. увеличилось более чем в три раза, а за десятилетний период – в 41,7 раза.
