Отличительной особенностью современного состояния СВЧ-техники в стране является то, что достигнутый технический уровень по ряду ключевых направлений (вакуумная СВЧ-техника) не уступает мировому, а в ряде случаев превосходит его, и разработанные изделия в основном являются конкурентоспособными. Основными составляющими рынка СВЧ-изделий являются:
-продукция, изготавливаемая в интересах Минобороны России и других заказчиков (радиолокационная аппаратура, включая АФАР, военная связь, в том числе спутниковая, аппаратура для антитеррористической и радиоэлектронной борьбы);
-продукция промышленного и бытового назначения (аэродромные и трассовые радиолокационные станции, спутниковая и наземная связь, цифровое телевидение, промышленная и бытовая электроника);
-продукция, изготавливаемая по международным контрактам (в основном военного назначения).
Вместе с тем, дальнейшее развитие отечественной СВЧ-техники сдерживается наметившимся отставанием в области твердотельной СВЧ-электроники, связанным с отсутствием современного технологического оборудования. Чтобы не уступить приоритет зарубежным производителям, необходим уровень 0,35-0,18 мкм для кремниевой технологии и 0,1-0,2 мкм для приборов на арсениде галлия и широкозонных полупроводниках.
Для достижения и развития нового уровня СВЧ-электроники в первую очередь необходимо сконцентрировать финансовые, технические и кадровые ресурсы в наиболее технологически развитых базовых организациях. Для поддержания критических технологий, способных обеспечить разработку и производство СВЧ- приборов в интересах перспективных систем вооружений и для гражданских применений, эти организации остро нуждаются в модернизации и техническом перевооружении действующих производственных мощностей. В отличие от микроэлектронных производств, ведущие центры СВЧ-электроники остались в государственной собственности. Государство имеет полный контроль над этими центрами. Наличие устойчивого рынка внутри страны и конкурентоспособность отечественных изделий СВЧ-техники на мировом рынке делает возможным получение максимального экономического и технического эффекта от реализации инвестиционных проектов по модернизации центров СВЧ-электроники и обеспечения развития производства исходных материалов и структур («кремний на изоляторе», гетероструктуры). Необходимо предусмотреть дальнейшее развитие работ в институтах РАН, где имеется значительный задел по технологии СВЧ-приборов на наногетероструктурах.
Существенным является поддержание высокого уровня технологий СВЧ-приборов и создание нового поколения высоконадежных вакуумных мощных СВЧ-приборов и высокоэффективных гибридных малогабаритных СВЧ-модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками. В области вакуумной СВЧ-электроники необходимо в первую очередь развивать те технологии которые обеспечат мировое лидерство. Прежде всего это относится к СВЧ-электронике больших мощностей.
