Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Обработка экспериментальных данных

1. Используя данные таблицы 1, построить входную характеристику биполярного транзистора.

2. Рассчитать величину дифференциального сопротивления база-эмиттерного перехода для своего варианта Iб (Приложение А).

3. Сделать выводы.

4. Используя данные таблицы 2, построить семейство выходных характеристик биполярного транзистора.

5. Построить на графике выходных характеристик нагрузочную прямую для своего варианта Eк и Rк (Приложение А).

6. Выбрать рабочую точку посередине нагрузочной прямой и определить начальный ток базы.

7. Рассчитать рассеиваемую мощность на коллекторном переходе транзистора и на Rк в рабочей точке.

8. Используя входную характеристику, определить начальное напряжение базы Uбэ.

9. Рассчитать коэффициенты усиления по напряжению и по току для своего варианта Eк иRк.

10. Используя данные таблицы 3, построить характеристику прямой передачи по току.

11. Рассчитать коэффициент передачи транзистора по току для своего варианта Iб (Приложение А).

12. Сделать выводы.

13. Используя данные таблицы 4, построить семейство выходных характеристик полевого транзистора.

14. Построить на графике выходных характеристик нагрузочную прямую для своего варианта Eк и Rк (Приложение А).

15. Выбрать рабочую точку посередине нагрузочной прямой и определить начальное напряжения затвора Uз.

16. Рассчитать рассеиваемую мощность на канале транзистора и на RC в рабочей точке.

17. Рассчитать коэффициент усиления по напряжению для своего варианта EC и RC.

18. Используя данные таблицы 5, построить график зависимости тока стока Iс от напряжения на затворе.

19. Рассчитать крутизну характеристики транзистора для своего варианта Uз (Приложение А).

20. Сделать выводы.

Содержание отчета о выполнении лабораторной работы

Отчёт должен содержать:

- титульный лист;

- цель лабораторной работы;

- схемы экспериментов;

- таблицы и графики результатов;

- расчеты;

- выводы.

Отчёт по лабораторной работе должен быть выполнен в соответствии требованиями ГОСТ.

Порядок защиты работы

Защита производится при наличии отчета и состоит в объяснениях полученных результатов и ответах на контрольные вопросы.

Контрольные вопросы

 

1. Каков принцип действия биполярного транзистора?

2. Какова полярность постоянных напряжений, прикладываемых к транзистору типа N-P-N?

3. Как выглядят выходные и входные статические характеристики в схеме с общим эмиттером?

4. Что такое статическая характеристика прямой передачи по току? Как ее построить?

5. Как определить статический коэффициент передачи транзистора по току?

6. Как построить линию нагрузки?

7. Как выбрать рабочую точку покоя?

8. Нарисуйте схему усилительного каскада с общим эмиттером.

9. Каково назначение элементов усилителя?

10. Как определить коэффициент усиления каскада по току и напряжению (графически и экспериментально)?

11. Что такое область активного усиления, насыщения, отсечки?

12. Каков принцип действия полевого транзистора с изолированным затвором?

13. Какова полярность постоянных напряжений, прикладываемых к полевому транзистору с изолированным затвором и каналом N-типа, в усилительном каскаде с общим истоком?

14. Как выглядят выходные и сток-затворные статические характеристики в схеме с общим истоком?

15. Что такое статическая сток-затворная характеристика? Как ее построить?

16. Как определить крутизну сток-затворной характеристики?

17. Нарисуйте схему усилительного каскада с общим истоком. Каково назначение элементов усилителя?

18. Как определить коэффициент усиления каскада по напряжению (графически и экспериментально)?

19. Что такое область активного усиления, насыщения, отсечки?

 

Библиографический список

1. Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника: учеб. для вузов / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. – 3-е изд. перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2004. – 790 с.

2. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов / И.П. Степаненко. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003. – 488 с.: ил.


Приложение а

(обязательное)

№ варианта IБ, мкА Ес, ЕК.В Rc, Rк, кОм Uз.,В
1 10 4 1 2,2
2 15 5 1,5 2,3
3 20 6 2 2,4
4 25 7 2,5 2,5
5 10 8 3 2,6
6 15 9 1 2,2
7 20 10 1,5 2,3
8 25 4 2 2,4
9 10 5 2,5 2,5
10 15 6 3 2,6
11 20 7 1 2,2
12 25 8 1,5 2,3
13 10 9 2 2,4
14 15 10 2,5 2,5
15 20 4 3 2,6
16 25 5 1 2,2
17 10 6 1,5 2,3
18 15 7 2 2,4
19 20 8 2,5 2,5
20 25 9 3 2,6
21 10 10 1 2,2
22 15 4 1,5 2,3
23 20 5 2 2,4
24 25 6 2,5 2,5
25 10 7 3 2,6

 

Заказ №____ от «___» __________20__г. Тираж_____экз.

Изд-во СевГУ



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Снятие характеристик мдп-транзистора | Основные параметры операционного усилителя
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2018-10-18; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 272 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Если вы думаете, что на что-то способны, вы правы; если думаете, что у вас ничего не получится - вы тоже правы. © Генри Форд
==> читать все изречения...

2260 - | 2183 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.012 с.