При включении ключа с элементами, формирующими траектории переключения транзистора, время переключения определяется скоростью нарастания коллекторного тока, протекающего через дроссель L, обратный диод VD1 и транзистор VT1 в режиме насыщения,
,
где Iдоп – допустимое значение броска тока фазы.
Считая, это время таким же, как в ключе без формирующих элементов, найдем требуемую индуктивность дросселя, приняв
Емкость C2 определили из условия, чтобы время отключения ключа не превышало времени отключения без цепей формирования траектории переключения
С2= 
Примем C2 =0,001 мкФ, сопротивление разрядного резистора
В качестве разрядного диода VD3 выбираем высокочастотный диод КД212А. Оценим времена разряда дросселя и емкости C2 после включения или отключения ключа. При выполнении условий, 
справедливых в нашем случае, эти времена можно определить так:
Как видно, отвод энергии, накопленной в реактивных элементах ключа, требует достаточно большого времени. Если к очередному переключению эта энергия не израсходуется полностью, то цель введения формирующих элементов не будет достигнута. Поэтому полное время включения и отключения ключа следует считать равным
Расчёт мощности резисторов
PR1=U2БЭ1max/R1=4/10=0,4 Вт
PR2=U2БЭ2max/R2=4/10=0,4 Вт
PR3=I2R3отп*R3=(0,406)2*30=4,9Вт
PR4=U2R4/R4=(13,7)2/470=0,3Вт
PR5= U2R5/R5=(0,7)2/250=0,002Вт
PR6=U2БЭ5max/R6=(0,8)2/160=0,004Вт
PR7=I2пр.сд*R7=(0,02)2*180=0,072 Вт
P
R8=U
2п/R
8=(380)
2/300=481Вт
1. МЛТ – 0,125 – 10 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
2. МЛТ – 0,125 – 10 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
3. МЛТ – 0,125 – 30 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
4. МЛТ – 0,125 – 470 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
5. МЛТ – 0,125 – 250 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
6. МЛТ – 0,125 – 160 Ом±5% – А ГОСТ 2825-67
7. МЛТ – 0,125 – 180 Ом±5% – А ГОСТ 2825-60
ПЭВ – 100 – 300 Ом±5% – А ГОСТ 6513-66.
Транзистор КТ809А
М
Диод 2Д220Д
Оптопара диодная АОД101А
Литература
1. Справочник по электрическим конденсаторам под редакцией
Карабанова В. И., Преснякова В. И.
2. Справочник по электрическим машинам Копылова Т. Г.
3.
Рассказчиков Н. Г. «Электроника и полупроводниковые устройства системного управления». Методические указания к курсовому проектированию.
