Даний випадок освітлення р-n-переходу зустрічається значно частіше на практиці.
Розглянемо р-n-перехід зображений на рисЗ.
Кати потік фотонів Q падає перпендикулярно до площини р-n-переходу, то товщина 5,
в якій існує потенціальний бар'єр, дуже мала в порівнянні з розмірами р- і n-
областей, а також з дифузними довжинами носіїв в цих областях електричне в
Поле існує виключно в області бар'єру, а за межами цієї області
напруженість електричного поля рівна нулю, тому носії поза областю бар'єру перемішуються
Дифузно, а концепція носіїв є дуже мала і замість статистики Фермі можна застосувати
статистику Больцмана.
Рис.З.Перехід р-n-,освітлений перпендикулярно до площини переходу
При цих умовах рівняння неперервності для дірок в n - області має вигляд:
(10)
Подібне рівняння можна також записати для електронів в р-області. Швидкість генерації Парма в площині переходу буде рівна:
(11)
А залежність швидкості генерації для різних відстаней від площини переходу для обох сторін можна записати виразами:
(12)
(13)
Розв'язуючи рівняння 10 і застосовуючи граничні умови 
при xn=0, отримаємо вираз для розподілу концентрацій дірок в n-області:
(14)
Аналогічним чином можна отримати вираз для розподілу електронів з р-сбласті:
(15)
Із рівнянь 14 і 15 отримаємо вираз для діркової і електронної складової густини струму в р-n-переході, освітленому перпендикулярно до площини переходу:
(16)
(17)
Отже, вираз для загального струму може бути записаний у вигляді:
(18)
де 
; 
(19)
Являють швидкості теплової генерації неосновних носіїв в обох областях; L’h -ефективна дифузна довжина дірок в n-області:
(20)
а L’e - ефективна дифузна довжина електронів в р-області. Коли товщина р-області значно більша дифузної донжини електронів, тобто ωp >>Le,то L’e. L1 L2 є коефіцієнти, які визначаються виразами:
(21)
(22)
Рівняння 8 і 18 сімейства вольтамперних характеристик фотодіодів в графічній формі можна зобразити на рис.4. Область характеристик, що лежать в третьому квадранті, відповідають роботі освітленого приладу в фотодіодному режимі, тобто з прикладеною зовнішньою напругою, що змішує перехід в зворотньому напрямі.
Рис.4. Зміна вольтамперної характеристики р-n- переходу під дією випромінювання.
Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від конструктивних і технологічних параметрів переходу. Із формул 5-8 можна визначити фотострум фотодіода з переходом, освітленим паралельно.
(23)
В тому випадку, коли товщина пластики w значно менша дифузно довжин, швидкість генерації g визначається за формулою 9. Тоді, чутливість фотодіоду можна записати в А/Вт:
(24)
Вираз в квадратних дужках формули 24 визначає залежність чутливості фотодіода від конструктивних параметрів р-n- переходу Як бачимо, чутливість не залежить від товщини пластини ω. Це справедливо у випадку, коли ω >>1/α, тобто, коли ми маємо повне поглинання падаючого випромінювання.
Чутливість також не залежить від ширини пластини. Отже, чутливість фотодіода при паралельному освітленні переходу не залежить від площі переходу.
Єдиним конструктивним параметром, що впливає на чутливість фотодіода є довжина 1 р- і n- областей,або точніше кажучи від відношення іх довжин до дифузних довжин неосновних носіїв в цих областях.
Таким чином, величина Фотоструму і чутливості залежить від відношення довжинии обох областей переходу до дифузної довжини.
Величина фотоструму пропорційна функції 
яка представлена на рис. 5. Як видно, із збільшенням відношення 
фотострум збільшується і досягає практично максимальної величини, коли l в декілька раз більша L.
Рис.5. Допоміжні функції, для розрахунку фотоструму і чутливості фотодіода.
Чутливість фотодіода пропорційна функції 
зовсім інакше залежить від 
чим фотострум (рис.5.).
Коли 1»L, можна прийняти 
і рівняння 24 спроститься:
(25)
Розглянемо тепер залежність темнового струму і відношення світлового струму до темнового від конструктивних параметрів переходу, освітленого паралельно. Із формул 5,6,8 одержимо наступний вираз для темнового струму Фотодіода:
(26)
Де Ise, Ish -струм насичення для електронів і дірок, що залежать від фізичних параметрів напівпровідника. Множники в квадратних дужках визначають залежність темнового струму від прикладеної напруги. Для напруги U>0.1в, ехр(eU/kT), так, що Іm не залежить від прикладеної напруги до напруги пробою Um (рис.4).
Як бачимо, темновий струм також є функцією . Відношення 
для різних величин часу життя носіїв в базі від довжини бази при різних величинах швидкості рекомбінації, зображені на рис.6.
Рис.6. Вплив довжини бази переходу на струм насичення
при двох значеннях швидкості рекомбінації. і різних величинах
часу життя носіїв в базі.
У випадку, коли l» L, характеристики не випрямляючих контактів не впливають на розподіл концентрації носіїв з пластинці і вираз для темнового струму фотодіоду спрощується:
(27)
Розглянемо залежність відношення фотоструму до темнового струму фотодіода, коли перехід освітлено паралельно від товщини пластини.
В області насичення характеристик при умові l«L відношення:
(28)
Де С1 - коефіцієнт, який залежить від фізичних параметрів напівпровідника і довжини хвилі випромінювання;
Р - густіша потоку випромінювання;
js - густина струму насичення переходу;
ω - товщина пластини.
Таким чином, відношення струмів обернено пропорційне товщині пластинки.
Розглянемо тепер залежність вольтамперних характеристик фотодіода від конструктивно технологічних параметрів в випадку, коли перехід освітлений перпендикулярно до площини переходу.
Використовуючи залежності 17,10,4 вираз для фотоструму фотодіода запишеться:
(29)
Отже, чутливість фотодіода визначається за формулою:
(30)
Області р-n- переходу фотодіода, освітленого перпендикулярно, несиметричні не тільки з точки зору фізичних параметрів, але і відносно довжини. Оскільки вирази для L1 і L2, які входять в формулу чутливості є складні, то вираз для фото чутливості зручно переписати у вигляді:
(31)
Де Сλ - максимальна теоретична чутливість.
Якщо ωn» Lh, ωp» Le, вирази для L1 і L2 можна спростити:
(32)
(33)
Підставивши ці вирази в 31 отримаємо:
(34)
Якщо 
(35)
Відношення фотоструму до темнового струму в фотодіоді з переходом, освітленим перпендикулярно, не залежить від площі переходу, при чому темновий струм можна підрахувати по формулі 18
1.3. Аналіз залежності вольтамперних характеристик
