лматы 2006
УДК. 621.38(076)
лектроника және Өнеркәсіптік электроника» курсы бойынша зертханалық жұмыс жүргізуге әдістемелік нұсқау (күндізгі бөлім студентері үшін мамандықтары 350140- Электрондық жүйелер мен технологиялар, 050716-аспапжасау, 050702-автоматизация және басқару, 050718 - электроэнергетика) – Алматы: КазҰТУ, 2006, 1-30 б.
Әдістемелік нұсқау маманның бағалау сипаттамасына, Мемлекеттік стандартқа, педогогико-психологиялық ұйымдастыру негіздеріне және зертханалық жұмысты жүргізу талабына сәйкес құрылған.
Әдістемелік нұсқау «ЭЛЕКТРОНИКА ЖӘНЕ Өнеркәсіптік электроника» пәні бойынша электроника аспаптары мен құрылғылары сипаттамаларына арналған бөлімдерін өз бетімен оқуға мүмкіндік туғызу қажет.
Әдістемелік нұсқау күндізгі бөлім студентері үшін мамандықтары 350140- Электрондық жүйелер мен технологиялар, 050716-аспапжасау, 050702-автоматизация және басқару, 050718 – электроэнергетика арналған.
Әдебиеттер тізімі.- 7 атау.
Қазақстан Республикасы Білім және ғылым министрлігінің 2006 жылғы жоспары бойынша басылады.
© ҚазҰТУ, 2006 ж.
КІРІСПЕ
«Электроника және өнеркәсіптік электроника» пәні электронды техника негіздері бойынша аспап жасау мен автоматизация және басқару мамандықтарына базалық дайындықты қамтамасыз ету, арнайы пәндерді ойдағыдай оқып білу үшін қажетті, жобалық және зерттеулік мәселелерді қарастыру керек.
Осы нұсқауда электрондық аспаптар мен құрылғылардың жұмыс істеуін және сипаттамаларын зерттеу үшін жеті лабораториялық жұмыс берілген.
Бірінші лабораториялық жұмыс жартылай өткізгіш диодтардың статикалық сипаттамаларын алу мен зерттеуге арналған. Бұл жұмыста германийлық және кремнийлік түзеткіш диодтардың сипаттамалары алынып, олар бойынша диодтардың көрсеткіштері табылады.
Екінші лабораториялық жұмыста биполярлық транзистордың ортақ базамен және ортақ эмиттермен тізбекке қосылғандағы сипаттамалары алынып, олардан транзисторлық схеманың көрсеткіштері табылады.
Үшінші лабораториялык жұмыс транзистордан төменгі жиілікті күшейткішті зерттеуге арналган. Кері байланыстары бар төменгі жиілікті күшейткішті зерттеу төртінші лабораториялық жұмыста берілген. Осы екі жұмыста да амплитудалы-жиіліктік сипаттамасы түсірліп алынып, күшейту коэффиценті есептелініп шығарылады.
Бесінші лабораториялық жұмыста RС - генератор зерттелгсн. Белгілі жиліктегі тербелістер қалай туатыны осциллографпен бақыланып және оның көрсеткіштері анықталады.
Соңғы жұмыстар (№6, №7) операциялық күшейткіш негізіндегі триггердің жұмыс іетеу принциптерін зерттеуге арналган.
Берілген жұмыстар негізінде студенттер электроника, микроэлектроника аспаптарының құрылысымен, көрсеткіштерімен танысып, электрондық схемаларды талдап, есептеуді үйренеді.
Зертханалық жұмыс № 1
Жұмыстың мақсаты: жартылай өткізгішті диодтын көрсеткішін және вольтамперлік сипаттамасынын құрылуын зерттеу
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалық бейнесі |
| Функционалды генератор | 
|
| Мультиметр | 
|
| Осциллограф | 
|
| Тұрақты кернеу көзі | 
|
| Диод 1N4001 | 
|
| Резисторлар | 
|
| Амперметр | 
|
| Вольтметр | 
|
Iтура = (E – Uтура)/ R,
мұнда Iтура - тура бағыттағы диодтын тогы,
Е – қорек көзінің кернеуі,
Uтура – тура бағыттағы диодтын кернеуі.
Iкері= (E – Uкері)/ R,
мнда Iкері – кері бағыттағы диодтын тогы ток,
Uкері – кері бағыттағы диодтын кернеуі.
1-сурет.
2-сурет.
1.1 Тәжірбиелерді өткізу тәртібі
Тәжірибе 1 – Диод арқылы кернеу мен токты өлшеу
1-суретпен сәйкес схеманы жинастырамыз. Қорек көзін қосқан кезде, вольтметрде диодтын тура ығысқандағы кернеуін Uтура көрсетеді. Амперметр диодтын тура ығысқандағы тогын Iтура көрсетеді. Диодты теріс айналдырып қойып, схеманы қайтадан қосамыз. Енді вольметр диодтын кері ығысқандағы кернеуін Uкері көрсетеді, ал амперметр кері ығысқандағы тогын Iкері көрсетеді. Формулаға сәйкес диодтын тура және кері ығысқандағы тогын есептеп шығарындар.
Тәжірибе 2 – Диодтын статикалық кедергісін өлшеу
Омметр режимінде мультиметрді қолдана отырып, диодты тура және кері қосқан кездегі кедергісін өлшендер. Кедергінің кіші мәндері тура қосылуға сәйкес келеді, омметрдің басқа шкалалары үшін олар әртүрлі.
Тәжірибе 3 – Диодтын вольтамперлік сипаттамасын алу
1) ВАС тура тармағы. 1-суретпен сәйкес схеманы жинастырындар. Схеманы қосындар. ЭҚК қорек көздері мәндерін тізбектей 5В, 4В, 3В, 2В, 1В, 0.5В, ОВ тең деп орналастырып, диодтын ток Iтура пен кернеу Uтура мәндерін жазып алындар.
2) ВАС кері тармағы. Диодты аударып қойындар. Е қорек көздері мәндерін тізбектей 0В, 5В, 10В, 15В тең деп орналастырып, диодтын ток Iкері пен кернеу Uкері мәндерін жазып алындар.
3) Алынған мәндерден графиктер құрастырамыз Iтура (Uтура) және Iкерә (Uкері).
4) Iтура= 4 мА кезінде ВАС тура тармағына жанама сызық салындар және жанама сызықтын еңкейуі бойынша диодтын дифференциалды кедергісін бағаландар. Iтура= 0.4 мА мен Iтура= 0.2 мА үшін де осы прцедураны жасандар.
5) Тұрақты токта диодтын кедергісін RСТ= Uпр / Iпр мына формула бойынша есептеп шығарындар.
Тәжірибе 4 - Осциллографтын экранында ВАС алу
2-суретпен сәйкес схеманы жинастырындар. Схеманы қосындар. Осциллографтын экранында шыққан ВАС-да, горизонталь ось бойынша диодтын кернеуі милливольт (А каналы) бойынша есептелінеді, ал вертикаль бойынша ток миллиампермен есептелінеді (В каналы, 1 мВ сәйкес 1 мА-ге).
1.2 Тәжірбиелердің нәтижесі
Тәжірибе 1 – Диод арқылы ток пен кернеуді өлшендер
| Тура ығысудағы кернеу, Кері ығысудағы кернеу, Тура ығысудағы ток, Кері ығысудағы ток, Есептелген токтар: Тура ығысудағы ток, Кері ығысудағы ток, | Uтура = ______ Uкері = ______ Iтура = ______ Iкері= ______ Iтура = ______ Iкері = ______ |
Тәжірибе 2 – Диотын статикалық кедергісін өлшеу
Тура ығысу кезіндегі диодтын кедергісі Rтура = ______
Кері ығысу кезіндегі диодтын кедергісі Rкері = ______
Тәжірибе 3 – Диодтын ВАС алу
Ток пен кернеуді есептеп жазып алындар.
1) ВАС тура тармағы. 2) ВАС кері тармағы.
1-кесте
| E, B | Uтура, мВ | Iтура, мА |
| 0.5 | ||
| E, B | Uкері, мВ | Iкері, мА |
3) ВАС графигін құрастыру.
4) ВАС алынған, тура ығысу кезінде диодтын дифферециалды кедергісі.
Iтура = 4мА кезінде Rдиф = ______
Iтура = 0.4мА кезінде Rдиф = ______
Iтура = 0.2мА кезінде Rдиф = ______
5) Iтура = 4мА кезінде RСТ есептеп шығарындар RСТ = ______
Тәжірибе 4 - Осциллографтын экранында ВАС алу
ақылау сұрақтары.
1. Донорлық және акцепторлық қоспалармен легирленген жартылай өткізгіштір мен таза өткізгіш үшін аймақтық диаграмма сызындар.
2. Электронды-кемтіктік жұптардың термогенерациясы дегеніміз?
3. Жартылай өткізгіштер немен және қандай мақсатпен легирленеді?
4. Жартылай өткізгіште рұқсат етілетін және рұқсат етілмейтін аймақ қалай қалыптасады?
5. Жартылай өткізгішті құрылымдарда Ферми деңгей деген не?
6. Жартылай өткізгіште дрейфтік және диффузиялық ток қалай пайда болады?
7. Электрлік бейтараптылықтың жағдайы деген не?
8. Өріс эффектісі деген не?
9. Әртүрлі типті электрөткізгіштігі бар жартылай өткізгіштердің идеалды байланыс кезінде р-п өткел қалай пайда болады?
10. Сыртқы кернеу жоқ болған кезде р-п өткел арқылы тасмалдаушылардың қозғалысы бола ма?
11. Шама тәртібі бойынша тура және кері ығысу кезінде диодтағы кедергіні салыстырындар. Неге олар әртүрлі?
12. Диодтын қанығу тогы деген не?
13. Омметр режимінде мультиметрмен өлшеген кезде диодтын кері және тура кедергісі немен ерекшелінеді? Осы өлшеулер арқылы диодтын бұзылғандығы туралы білуге бола ма?
14. Тұрақты және айнымалы токта диод кедергілерінің шамаларында айырмашылық бола ма?
Зертханалық жұмыс № 2
Стабилитронды зерттеу
Жұмыстың мақсаты: Стабилитроннын көрсеткіші мен сипаттамасын зерттеу.
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалық бейнесі |
| Функционалды генератор |
|
| Мультиметр |
|
| Осциллограф |
|
| Тұрақты кернеу көзі |
|
| Стабилитрон 1N4733 | 
|
| Резисторлар |
|
ICT= (E-UCT)/ R.
РСТ= ICT *UCT.
1-сурет.
2.1 Тәжірибені өткізу тәртібі
Өлшеулер мен есептеулер нәтижелерін «Өлшеулер нәтижесі» деген бөлімге кіргізіндер.
Тәжірибе 1 – Стабилитрон арқылы токты есептеп және кернеуді өлшеу
1) 1- суретке сәйкес схеманы жинастырамыз. Стабилитронда қорек көзінің ЭҚК мәндері 0, 4, 6, 10, 15, 20, 25, 30, 35 В кезінде UCT кернеу мәндерән өлшендер.
2) UCT әрбір кернеу мәндеріне стабилиторнның тогын ICT есептеп шығарындар.
3) Кестенің мәлеметтері бойынша стабилиторнның вольтамперлік сипаттамасын құрастырындар.
4) Стабилиторнның вольтамперлік сипаттамасы арқылы кернеу стабилизациясын бағаландар.
5) Е = 20 В кернеу кезінде стабилитронда шашыратылатын қуатты РСТ есептеп шығарындар.
6) Стабилизация ауданында стабилитронның дифференциалды кедергісін бағаландар.
Тәжірибе 2 – Параметрлік стабилизатордың жүктемелік сипаттамасын алу
1) Резистор R 2 =75 Ом стабилитронға параллелді қосындар. ЭҚК қорек көзінің мәндерін 20В тең деп орнатындар. Схеманы қосындар. Стабилитрондағы кернеу UCT мәндерін жазып алындар.
2) Пункты қайталандар а) қысқаша тұйықталу кезінде және резисторлар кедергісі кезінде R 2 75 Ом, 100 Ом, 200 Ом, 300 Ом, 600 Ом, 1 кОм.
3) Қорек көзімен тізбектей қосылған, R 1 резистор арқылы I 1 тогын, R 2 резистор арқылы I 2 тогын және де әрбір R 2 мәндері үшін ICT стабилитрон тогын есептеп шығарындар.
Тәжірибе 3 – Осциллограф экранында стабилитронның ВАС алу
2- суретпен сәйкес схеманы жинастырамыз. Схеманы қосамыз. Осциллографтың экранында графиктен алынған стабилизация кернеуін жазып алындар..
2-сурет.
2.2 Тәжірбиелер нәтижесі
Тәжірибе 1 - Стабилитрон арқылы токты есептеп және кернеуді өлшеу
1) Стабилитронның ВАС құрастыру үшін мәлеметтер.
1-кесте.
| Е, В | UCT, В | ICT, мА |
2) Стабилитронның ВАС құрастыру
3) Стабилизация кернеуі, UCTАБ =______
4) Е =20 В кернеу кездегі стабилитронның шашырату қуатты, РСТ =_____
5) Жұмыстық ауданда график еңкейуі арқылы анықталған, стабилитронның дифферециалды кедергісі, RДИФ =_________
Тәжірибе 2 - Параметрлік стабилизатордың жүктемелік сипаттамасын алу
Е =20 В кездегі токтар мәндері мен стабилитрон кернеуі.
2-кесте.
| R 2, Ом | UCT, В | I1, мА | I2, мА | ICT, мА |
| 1 К | ||||
| к.з. |
Тәжірибе 3 - Осциллограф экранында стабилитронның ВАС алу
Осциллограф көмегімен вольтамперлік сипаттама алынған, кернеу стабилизациясы UСТАБ =__________.
Бақылау сұрақтары
1. Жартылай өткізгішті стабилитрондар неге кремнийден жасап шығарады?
2. Стабилитронды қосу схемасында баланстық кедергі не үшін керек?
3. Кернеудің температуралық коэффициентті деген не?
4. Кремнийлік стабилитрондардың негізгі көрсеткіштерінің физикалық мағынасын түсіндіріндер?
5. Ойылу және ойылудың түрлері деген не?
6. Кремнийлік стабилитрондар жылулық ойылу режимінде жұмыс істей ала ма?
7. Жүктеме кедергісің мәні стабилизатордың шығыс кернеу стабилизация деңгейіне әсер ете ме?
8. Стабилитронның тогы 20 мА төмен болса, UСТ стабилитронның кернеуі қалай өзгереді?
9. 15В кіріс кернеу кезінде, ICT стабилитрон тогынын мәні қандай?
10. R 1=200 Ом кедергі мәні кезінде, ICT стабилитрон тогынын мәні қандай?
11. R 1 кедергісі азайған кезде, стабилизатор шығысында кернеу қалай өзгереді?
Зертханалық жұмыс № 3
БИПОЛЯРЛЫҚ ТРАНЗИСТОРДЫ ЗЕРТТЕУ
Жұмыстың мақсаты: биполярлық транзистордың статикалық сипаттамасын зерттеу.
Зертханалық жұмыста қолданылатын, аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикалық бейнесі |
| Биполярлық транзистор 2N3904 | 
|
| Тұрақты кернеу көзі |
|
| Айнымалы ЭҚК қорек көзі | 
|
| Токпен басқарылатын, кернеу қорек көзі | 
|
| Кернеумен басқарылатын, кернеу қорек көзі | 
|
| Осциллограф |
|
.
-токты берудің статикалық коэффициентті,
.
.
1-сурет.
,
мұнда 
- жартылай өткізгіштің базалық аудандағы кедергіні орналастыру,
- база-эмиттер өткеліндегі дифференциалды кедергі, мынадан анықталған:
, мұнда 
- эмиттердің миллиамперде тұрақты тогы.
.
.
.
.
3.1 Тәжірбиелерді өткізу тәртібі
Барлық өлшемдер мен осциллограф нәтижелерін арнайы бөлімге кіргізу керек.
Тәжірибе 1 – Транзистордың токты беру статикалық коэффициенттімен анықтау
1) 1- суретке сәйкес схеманы жинастырамыз. Схеманы қосамыз. База мен коллектор токтары және коллектор-эмиттер кернеулерінің өлшенген нәтижелерін жазып алу керек, транзистордың статикалық токты беру коэффициенттің есептейміз.
2) 2,68В дейін 
ЭҚК қорек көзінің номиналын өзгертеміз. Схеманы қосамыз. База мен коллектор токтары және коллектор-эмиттер кернеулерінің өлшенген нәтижелерін жазып алу керек. Алынған нәтижелері бойынша коэффициенттің есептейміз.
3) 5В дейін қорек көзінің ЭҚК номиналын өзгертеміз. Схеманы қосамыз.
База мен коллектор токтары және коллектор-эмиттер кернеулерінің өлшенген нәтижелерін жазып аламыз. Алынған нәтижелері бойынша транзистордың статикалық беру коэффициенттің есептейміз.
Тәжірибе 2 – Коллектордың кері тогын өлшеу
1-суреттегі схемада 0 В –қа дейін Еб қорек көзінің ЭҚК номиналын өзгертеміз. Схеманы қосамыз. База мен коллектор токтары және коллектор-эмиттер кернеулерінің өлшенген нәтижелерін жазып аламыз.
Тәжірибе 3 – ОЭ схемасында транзистордың шығыс сипаттамасын алу
а) Схемада (1-сурет) Ек және Еб әрбір мәндері үшін 
коллетор тогын өлшейміз. 1-кестені толтырамыз. Кесте мәлеметтері бойынша Еб әрбір мәндері үшін Ек –ден отбасылық тәуелділігін құрамыз.
б) 2- суретте схеманы жинастырамыз. Схеманы қосамыз. Масштабты сақтай отырып, осциллографтын шығыс сипаттамасын саламыз. 1-кестеден Еб әрбір мәні үшін өлшемді қайталаймыз. Базаның әртүрлі токтары үшін осциллограмманың шығыс сипаттамсын бір графикке саламыз.
в) 
, 10мкА –ден 30 мкА-ге дейін базалық токтың өзгеруі кезінде, шығыс сипаттамасы бойынша 
токты беру коэффициенттің табамыз
2-сурет.
Тәжірибе 4 – ОЭ схемасында транзистордың кіріс сипаттамасын алу
1) 1-суретпен жиналған схемаға қайтып келеміз. 2-кестемен сәйкес қорек көзі кернеунің әртүрлі мәндері үшін эмиттер мен коллектор токтарын, база-эмиттер кернеулерін, база тогы өлшемін жүргізу және Ек = 10В кернеу қорек көзінің мәннің орналастыру. Коллекторлық ток эмиттер тізбегіндегі токқа тең екендігіне көңіл бөліндер.
2) 2-кесте мәлеметтері бойынша база-эмиттер кернеуінен база тогынын тәуелділік графигін саламыз.
3) 3-сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Схеманы қосамыз. Масштабты сақтай отырып, транзистордың кіріс сипаттамасын саламыз.
4) 10 мкА ден 30 мкА дейін база тогынын өзгеруі кезінде, кіріс сипаттамасы бойынша 
кедергіні табамыз.
3-сурет.
Тәжірибе 5 – Ортақ база схемасында транзистордың кіріс сипаттамасын алу
1) 2- кесте мәлеметтері бойынша 2-кесте мәлеметтері бойынша база-змиттер кернеуінен эмиттер тогынын тәуелділік графигін саламыз.
2) 4-сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Схеманы қосамыз. Алынған сипаттамадан осциллограмманы салу керек.
3) 5 мА ден 10 мА-ге дейін эмиттерлік токты өзгерткен кезде, алынған сипаттамадан кедергіні табамыз.
4) 
кезде, 2-кестеден 
мәнін қолданып, 
формула бойынша эмиттер кедергісін табамыз.
4-сурет.
3.2 Тәжірбиелер нәтижесі
Тәжірибе 1 - Транзистордың токты беру статикалық коэффициенттімен анықтау
1) Еб - 5.7 В ЭҚК көзінің кернеуі
Транзистордың база тогы Iб = _________
Транзистордың коллектор тогы Iк = _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ = _________
Токты беру статикалық коэффициенті bDC =__________
2) Еб – 2.68 В ЭҚК көзінің кернеуі
Транзистордың база тогы Iб = _________
Транзистордың коллектор тогы Iк = _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ = _________
Токты беру статикалық коэффициенті bDC =__________
3) Ек – 5 В ЭҚК көзінің кернеуі
Транзистордың база тогы Iб = _________
Транзистордың коллектор тогы Iк = _________
Коллектор-эмиттер кернеуі Uкэ = _________
Токты беру статикалық коэффициенті bDC =__________
Тәжірибе 2 - Коллектордың кері тогын өлшеу
Коллектордың кері тогы Iко = ___________
Транзистордың база тогы Iб = ___________
Коллектор – эмиттер кернеуі Uкэ = ___________
Тәжірибе 3 - – ОЭ схемасында транзистордың шығыс сипаттамасын алу
3-кесте
| Еб, В | Iб, мкА | Еб, В | |||||
| 0.1 | 0.5 | ||||||
| Iк, мА | |||||||
| 1.66 | |||||||
| 2.68 | |||||||
| 3.68 | |||||||
| 4.68 | |||||||
| 5.7 |
Токты беру коэффициенті bАС ___________
Тәжірибе 4 - ОЭ схемасында транзистордың кіріс сипаттамасын алу
Таблица 4
| Еб,, В | Iб, мкА | Uбэ, мВ | Iк, мА | Iэ, мА |
| 1.66 | ||||
| 2.68 | ||||
| 3.68 | ||||
| 4.68 | ||||
| 5.7 |
Өшеудің нәтижесінде rкірь кедергісі есептелген
Тәжірибе 5 - Ортақ база схемасында транзистордың кіріс сипаттамасын алу
Кедергі rэ
Өшеудің нәтижесі бойынша есептеу _______
Формула бойынша есептеу _________
Бақылау сұрақтары
1. Транзистордың коллектор тогы неге тәуелді?
2. bDC коэффициенті коллектор тогына тәуелді ме? Егер я болса, онда қандай дәрежеде? Жауапты дәлелде.
3. Коллектор – эмиттер кернеуі және база тогына коллектор тогы тәуелді екенің шығыс сипаттамадан не айтуға болады?
4. Кіріс сипаттамасынын қандай да болсын нүктесінде rкір мәндері бірдей ме?
5. Эмиттер тогынын қандай да болсын мәнінде rэ мәндері бірдей ме?
6. Есептеу және тәжірибелік мәлеметтер айырмашылығы қандай?
7. Токты берудің статикалық коэффициентіні өзгергенде жұмыстық нүктенің орны өзгереді ме?
8. Қиылу режиміне транзисторды өткізу үшін, қандай жағдайлар жасау керек?
Зертханалық жұмыс № 4
Жалпы бастауы бар қосу сұлбасы үшін басқарушы р-п өткелі бар өрістік транзистордың шығыс сипаттамасын зерттеу
Жұмыстың мақсаты: Жалпы бастауы бар қосу сұлбасы үшін басқарушы р-п өткелі бар өрістік транзистордың статикалық шығыс сипаттамасын зерттеу.
Аспаптар мен элементтер
| Аталуы | Графикаклық бейнесі |
| Өрістік транзистор 2N5484 | 
|
| Токпен басқарылатын, кернеу көзі |
|
| Кернеумен басқарылатын, кернеу көзі |
|
4.1 Теориялық бөлімі
Басқарушы р-п өткелі бар өрістік транзистордың негізгі тасмалдаушылардың тек қана бір типі қолданылады (кемтіктер мен электрондар), тасмалдаушылардың негізгі қозғалу әдісі электрлік өрістегі дрейф болып келеді. Екі электрод арасындағы бастау (исток) және құйма (сток) аталатындар, п-типті жартылай өткізгіштен п-каналда (арна) орналасқан. Өрістік транзистордың бастау тогы жаппадағы (затвор) кернеу мен бастаудағы кернеуге тәуелді: 
. Сондықтан олар екі отбасылық (семейство) статикалық ВАС сипатталады:
,
.
Осы теңдеулердің біріншісі құйма-жаппалық немесе өтпелік отбасылығы өрістік транзистордың статикалық сипаттамасын, екіншісі – құймалық немесе шығыстықты жазбалайды. Басқарушы р-п өткелі және п-типті арнасы бар өрістік транзистордың отбасылық шығыс ВАС 1- суретте көрсетілген. Қисықтардың (кривые) жоғарғысы жаппанын кернеуіне сәйкес келеді, ол 0-ге тең, ал келесі- жаппадағы кері кернеу, абсолюттік мәннен көп болған сайын, қисық төмен орналысады. Жаппадағы кернеу кесілу кернеуімен тең болған сайын, бастайтың ток күші құймада қандай да кернеу кезде 0-ге тең болып келеді. Қарастырылып отырған отбасынын әрбір қисығына үш сипатты аудан бөлуге болады. Бастапқы аймақта (а) 
тәуелділігі сызықты сияқты, оның еңкейуі жаппадағы 
берілген кернеу кездегі арна өткізгіштігімен анықталады.
1-сурет.
Құймадағы кернеу 
қаңығу кернеуімен ұлғайғанда, 
құйманың тогы 
тәуелді емес болып келеді: (1- суреттегі в аудан). 
кезде қанығу кернеуі максималды және кесілу 
кернеуіне сандық түрде тең. Uз шамасы бойынша үлкейген сайын, қанығу кернеуі азаяды. Өрістік транзистордың құймадағы максималды жеткілікті кернеу р-п өткелдің ойылумен (пробой) шектелген. Бұл көрініс ойылу кернеуін асыратын құйма мен жаппа арасындағы потенциалдар айырмасы пайда болған кезде және құйманың ток күшін аяқ астынан өсуіне алып келеді. 
кернеуін артық өсіру жаппа мен құйма арасынан лавиндік ойылу туғызады.
кезінде 
, 
кезінде 
ішкі арна кедергісімен және 
күшейтудің статикалық коэффициентімен өрістік транзисторлар статикалық көрсеткіштерімен сипатталады.
Өрістік транзисторлар ОҚ (ортақ құйма), ОБ (ортақ бастау) мен ОЖ (ортақ жаппа) схемасымен қосылу мүмкін. Бірақ екі соңғы қосылу схемасы жиі қолданылады.
4.2 Тәжірбиелерді жүргізу тәртібі
Барлық өлшемдер мен осциллограф нәтижелерін арнайы бөлімге кіргізу керек.
жірибе 1 – ОБ схемасы үшін басқарушы р-п өткелі бар өрістік транзистордың статикалық шығыс сипаттамасын құрастыру.
1) Схеманы жинап қосу керек және құйманың тогын 1-кесте мәлеметтерімен өлшем жүргізу керек. Алынған мәлеметтерден басқарушы р-п өткелі бар өрістік транзистордың статикалық шығыс сипаттамасынын отбасылығымен құру керек.
2) 
, 
кезінде өрістік транзистор арнасынын 
ішкі кедергі мәнің анықтау керек.
3) Алынған мәлеметтерден кезінде өтпелі сипаттаманы құру керек.
4) Өтпелі сипаттаманын 
кезінде S тіктіктің мәнің анықтау керек.
5) Өрістік транзистордың 
күшейтудің статикалық коэффициенттің анықтау керек.
2-сурет.
Тәжірибе 2 – ОБ схемасы үшін басқарушы р-п өткелімен өрістік транзистордың шығыс динамикалық сипаттамасын құрастыру
3- сурет бойынша схеманы жинастырамыз. Осциллографтың жұмыс режимін 4-суретке сәйкес беру керек. 
: 10 Ом, 100 Ом, 1 кОм, 10 кОм кедергілер мәндері кезінде өрістік транзистордың ОБ схемасынын шығыс сипаттамасынын осциллограммасын салу керек.
3-сурет.
4-сурет.
4.3 Тәжірбиелер нәтижесі
