Проверка термостабильности схемы. Для каскада, включенного по схеме с общим эмиттером, можно записать: 
,то есть полное приращение тока коллектора будет определяться приращением тока базы, обратного теплового тока коллектора и коэффициента передачи тока базы:
Дифференцируя это соотношение и переходя к конечным приращениям, получим:
где 
Расчеты показывают, что 
,это является свидетельством наличия ООС по постоянному току, поскольку ток базы с ростом температуры уменьшается.
Для определения тока базы преобразуем схему транзистора, включенного по схеме с ОЭ, в схему по Тевенину (рис.10).
Рис.10.Приведенная схема включения транзистора по Тевенину.
В соответствии с теоремой Тевенина потенциал базы определяется по следующей формуле: 
, а 
.
Для потенциала базы относительно общего провода можно записать следующее выражение:
,пренебрегая 
, получим 
.
Так как 
, то
, выражая отсюда ток базы, получим:
Теперь рассчитаем полное приращение тока коллектора:
Допустимое температурное отклонение 
тока коллектора от его значения в рабочей точке А оценивается по формуле:
В нашем случае 
– значит схема термостабильна.
Теперь выполним расчет температурного коэффициента тока коллектора. На основании формулы произведем расчет коэффициентов влияния:
Рассчитываем температурные коэффициенты входных параметров:
Тогда температурный коэффициент тока коллектора будет равен
Обоснование выбора элементной базы
Таблица 3.Сводная таблица элементов схемы
| Элементы | Расчетные значения | Выбранные значения | Компоненты |
| R1 | 10,7 кОм | 10 кОм | МЛТ-4,0-10 кОм±5% |
| R2 | 2,2 кОм | 2,2 кОм | МЛТ-0,75-2,2 кОм±5% |
| R3 (RK) | 400 Ом | 390Ом | МЛТ-0,125-390 Ом±5% |
| R4 (RЭ) | 200 Ом | 200 Ом | МЛТ-0,1-200 Ом±5% |
| С1г | 60,6 пФ | 62 пФ | К10-73-МП0-62 пФ  5 % -В
|
| C2, С2г | 84,7 пФ | 82 пФ | К10-73-МП0-82 пФ 5 % -В
|
| С3, С3г | 6,5 пФ | 6,8 пФ | К10-73-МП0-6,8 пФ 5 % -В
|
| Cбл | 7,4 нФ | 7,5 нФ | К10-73-МП0-7,5 нФ 5 % -В
|
| Ск | 17,4 пФ | 18 пФ | К10-73-МП0-18 пФ 5 % -В
|
| Срг | 486,9 нФ | 470 нФ | К10-73-МП0-470 нФ 5 % -В
|
| Срк | 61,2 пФ | 62 пФ | К10-73-МП0-62 пФ 5 % -В
|
| L1г | 2,8 мкГн | 2,7 мкГн | ДМ-0.1А-2,7 мкГн |
| L2г | 2,65 мкГн | 2,7 мкГн | ДМ-0.1А-2,7 мкГн |
| Lкг | 5,4 мГн | 5,6 мГн | ДМ-0.1А-5,6 мГн |
| VT1 | КТ312А |
Заключение
В ходе выполнения данного курсового проекта был произведен схемотехнический расчет схемы контура гетеродина радиоприемника.
При заданной полосе пропускания, равной 
, и промежуточной частоте 
резонансный контур имеет невысокую эквивалентную добротность 
.
Так же расчеты показали, что обратная связь значительно уменьшает коэффициент усиления по напряжению каждого из каскадов, а,соответственно, и всего усилителя.
В целом, конструкция спроектированного контура гетеродина радиоприемника отвечает требованиям технического задания.
Приложение
Приложение 1.Характеристики транзистора КТ312А.
Список литературы
1. Радиоприемные схемы на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет /Под ред. Валитова Р.А. и Куликовского А.А.- М.:Сов. радио, 1968.-383 с.: ил.
2. Екимов В.Д. Расчет и проектирование транзисторных радиоприемников. М.: Связь, 1972..
3. Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы широкого применения: Справочник /В.И. Галкин, А.Л. Булычев, П.М. Лямин. – Мн.: Беларусь, 1995. – 383 с.:ил.
4. Аксенов А. И., Нефедов А.В. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Конденсаторы. Резисторы: Справочник.- М.: Радио и связь. 1995. - 272 с.: ил.- (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1203).
5. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справ. пособие/Э.Т. Романычева и др. М.: Радио и связь, 1984.-356 с.: ил.
6. Демаков Ю.П. Курсовое проектирование компонентов радиоэлектронных средств: Учеб. пособие для вузов. – Ижевск: Изд-во ИжГТУ, 2002. - 220 с.: ил.