Расчет контура гетеродина производится в следующем порядке.
1. Разбивка общего диапазона рабочих частот на поддиапазоны
Определяется коэффициент перекрытия поддиапазона k пд входного контура.
, (16)
где C эmax= C max + Спост ; C эmin = C min + С пост – соответственно, максимальная и минимальная результирующие емкости контура, пФ; С пост – составляющая емкости сигнальных контуров.
Диапазоны возможных значений Спост приведены в табл. 3.
Таблица 3
| Диапазон волн | Километровые | Гектометровые | Декаметровые | Метровые |
| Длины волн | 10…1 км | 1000… …100 м | 100…10 м | 10…1 м |
| Диапазон частот, МГц | 0,03…0,3 | 0,3…3 | 3…30 | 30…300 |
| Спост, пФ | 60…90 | 40…60 | 30…45 | 25…35 |
В табл. 4 представлены примерные значения емкостей переменных и подстроечных конденсаторов, требуемые для различных диапазонов частот.
Таблица 4
| Диапазон частот, МГц | Емкость конденсатора переменной емкости, пФ | Емкость подстроечного конденсатора, пФ | ||
| C min | C max | C пmin | C пmax | |
| 0,03…0,3 | 15…30 | 450…750 | 2…5 | 15…25 |
| 0,3…3 | 12…25 | 250…500 | 2…3 | 10…20 |
| 3…30 | 7…15 | 50…250 | 2…3 | 8…13 |
| 30…300 | 3…7 | 10…50 | 0,6…1,5 | 2…5 |
В соответствии с таблицами С пост=60 пФ, C min=12 пФ, C max=250 пФ,
C пmax=10 пФ, C пmin=3 пФ
C эmax= C max + Спост = 310 пФ; C эmin = C min + С пост= 72 пФ
= 
Разбивка на поддиапазоны общего диапазона частот требуется, если выполняется неравенство 
Следовательно разбивка на поддиапазоны не требуется.
Рассчитываются граничные частоты поддиапазонов контуров гетеродина по формулам:
f minг = f min + f пр; (17)
f maxг = f max + f пр. (17а)
f minг=0,15+0,11=0,26 МГц; f maxг=0,41+0,11=0,52 МГц
По формуле (18) рассчитывается коэффициент перекрытия поддиапазона гетеродина.
(18)
2. Рассчитываются значения емкостей С 3, С 2 и С 1э, входящих в состав контура входной цепи радиоприемника.
Подстроечный конденсатор С 3 со средней емкостью С п.ср служит для выравнивания начальной эквивалентной емкости контура. Значение С п.ср рассчитывается по формуле:
= 
, (19)
где С пmin и С пmax – соответственно, минимальная и максимальная емкости подстроечного конденсатора. Их значения берутся из табл. 4.
Значение емкости С 2 рассчитывается по формуле [36]:
, (20)
где С v = C max – C min – переменная часть емкости конденсатора переменной емкости; k пд – коэффициент перекрытия поддиапазона С v=238 пФ
Коэффициент HС представляет отношение производных от емкости настроечного конденсатора переменной емкости С по управляющему параметру х при минимальной fi min и максимальной fi max частотах поддиапазона:
. (21)
=95. (22)
=84,7 пФ
Значение емкости С 1э рассчитывается по формуле:
(23)
где 
;
3. Рассчитываются значения С3 г. и С1э.г.
С 1э.г = С 1э=0,57 пФ; (24)
С 2г = С 2=84,7 пФ; (25)
С 3г = С к.гmin – 
=6,5 пФ, (26)
где
= 
; (27)
; (28)
; (29)
С min и C max – минимальная и максимальная емкости КПЕ.
Величина емкости дополнительного конденсатора С 1г рассчитывается по формуле:
С 1г = С 1э.г – С м – СL= С 1э.г + С пост=0,57+60=60,57 пФ, (30)
где С ми СL – емкости монтажа и катушки индуктивности соответственно.
4. Рассчитывается необходимая индуктивность контура гетеродина на минимальной частоте поддиапазона fi гmax, мкГн:
= 
, (30)
где f гmax выражается в МГц; С к.гmin – в пФ.
5. Рассчитывается допустимый коэффициент включения p 2г контура в коллекторную цепь усилительного прибора:
(31)
где U ткmax – максимальное значение амплитуды напряжения на коллекторе транзистора; I ткmin – минимальная амплитуда первой гармоники коллекторного тока (при минимальной температуре эксплуатации, минимальном значении параметра h 21Е на минимальной частоте); 
– отношение наибольшего значения напряжения на коллекторе транзистора к наименьшему значению; r э.к – минимальное значение сопротивления эквивалентного колебательного контура.
Значение kU находится из следующего выражения:
(32)
где 
– относительное отклонение тока эмиттера вследствие отклонения коэффициента усиления тока эмиттера от среднего значения до максимального;
– относительное отклонение тока эмиттера вследствие повышения температуры окружающей среды от 20 °С до наибольшего значения 
;
b 
0,1¼0,15 – параметр стабилизации эмиттерного тока b=0,1;
k пд.г – коэффициент перекрытия поддиапазона контура гетеродина.
Величины 
и 
рассчитываются по формулам:
(33)
(34)
где R 1 и R 2 – сопротивления делителя, включенного в цепь базы транзистора; R э – сопротивления нагрузки в цепи эмиттера; I э 
1¼10 мА – постоянная составляющая тока эмиттера при отсутствии генерации, среднем значении h 21б и комнатной температуре; D T = 
– 20 °С – температура перегрева транзистора; t = 7 для кремниевых транзисторов.
Величина тока эмиттера I э, А, задается соотношением
(35)
где U кэ.р = (U п – 1)/2 – среднее напряжение на переходе коллектор-эмиттер, определяющее рабочую точку транзистора, В; P вых = (0,5¼0,7) P кmax – величина выходной мощности, рассеиваемой в нагрузке, Вт; U п – напряжение источника питания, В, которое определяется из выражения
U п = (0,6¼0,8) U кэmax=15В.
Выбирается ближайшее стандартное значение U п из ряда: 5,0; 6,0; 9,0; 12,6; 15; 24; 27 В.
Исходя из формулы определения значения тока насыщения I к.н. (рис.5), находим значения Rэ и Rк:
(36)
Отсюда 
(37)
Значение сопротивления делителя R 2, Ом, можно оценить по формуле:
(38)
где номинальное значение тока базы I б.р. оценивается из соотношения:
.
Величина сопротивления резистора R 1, Ом, рассчитывается по формуле:
. (39)
Значение максимального значения амплитуды напряжения на коллекторе транзистора U ткmax, В, рассчитывается по формуле:
U ткmax = 0,9(U п – I эmax R э – 0,5)=0,9(15-13,1*10-3*200-0,5)=11,6 В. (40)
Величина I эmax рассчитывается из выражения:
(41)
Значение I ткmin рассчитывается по формуле:
(42)
Величина сопротивления эквивалентного колебательного контура r э.к, Ом, рассчитывается по формуле:
(43)
где L к.г – индуктивность катушки контура гетеродина, мкГн; fi гmin выражается в МГц; Q э – добротность эквивалентного контура.
Величина Q э рассчитывается из выражения:
(44)
где Q к – конструктивная добротность контура (заданная в ТЗ).
6. Вычисляется величина индуктивности L 2г, подключаемой к коллекторной цепи транзистора:
, (45)
где k св 0,9 – коэффициент связи между катушкой L 2г и всей катушкой контура (кроме L 1г).
7. Рассчитывается коэффициент включения контура в цепь эмиттер-база p 1г, необходимый для получения выбранного значения U тэmin (в пределах 0,05…0,10 мВ):
(46)
8. Вычисляется индуктивность L 1г:
(47)
9. Рассчитывается разделительная емкость С рг, пФ:
= 
(48)
где I ткmin выражается в мА, U тэmin – в мВ, fi гmin – в МГц.
10. Рассчитывается емкость блокировочного конденсатора С бл:
(49)
11. Рассчитывается емкость С рк, пФ:
(50)
где fi г min выражается в МГц.
12. Расчет коэффициента усиления каскада по напряжению:
Без обратной связи. Для каскада, включенного по схеме с ОЭ, на средних частотах коэффициент усиления по напряжению определяется формулой:
где 
С учетом обратной связи. Для каскада, включенного по схеме с ОЭ, коэффициент усиления по напряжению с учетом обратной связи определяется формулой:
