ЛИТЕРАТУРА
| 1. | Старосельский В.И. Физика p-n переходов и полупроводниковых диодов, конспект лекций. Москва, МИЭТ, 1986 г. |
| 2. | Старосельский В.И. Физика биполярных транзисторов. Бездрейфовые транзисторы, учебное пособие. Москва, МИЭТ, 1989 г. |
| 3. | Старосельский В.И. Физика МДП-транзисторов, учебное пособие. Москва, МИЭТ, 1989 г. |
| 4. | Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление. Пер. с англ. Под ред. М.В. Гальперина. 621.3.049.77, М.: Мир. 1985 |
| 5. | Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 621. 382.3(075.8), М.: Энергия, 1973 |
| 6. | Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Наука, М., 1977 г. 532.239.(075.8) Б-817, 100 экз. |
| 7. | Старосельский В.И. Электронные приборы на основе арсенида галлия., 621.382, М.: МИЭТ, 1997 |
| 8. | Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов. Диоды. Ч.1. Под ред. Парменова Ю.А., Москва, МИЭТ, 2005 г., 621.382.2(076.5) Л-125 |
| 9. | Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов. Транзисторы. Ч.2. Под ред. Парменова Ю.А., Москва, МИЭТ, 2005 г. 621.382.2(076.5) Л-125 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ РЕСУРСЫ
| http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | |
| http://avnsite.narod.ru/physic/pp/teor_p2.htm | |
| http://www.techno.edu.ru/db/msg/7457.html |
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
ЛЕКЦИОННЫЕ ЗАНЯТИЯ
| № | Содержание | ||
| Лекция 1 | Основы зонной теории. Классификация твердых тел на металлы, полупроводники и диэлектрики. Эффективная масса. Дырки-носители заряда в валентной зоне. Зонная структура основных полупроводников. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 2,3 | Примеси в полупроводниках. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Уровень Ферми. Собственные и примесные полупроводники. Доноры и акцепторы. Мелкие и глубокие примесные состояния. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 4 | Неравновесные носители заряда в полупроводниках. Генерация, излучательная и безизлучательная рекомбинация. Время жизни. Квазиуровень Ферми. Модель Шокли-Рида-Холла. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 5,6 | Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 7 | Явления переноса в полупроводниках. Подвижность и коэффициент диффузии, соотношение Энштейна, длины диффузии и дрейфа. Механизмы рассеяния носителей заряда. Амбиполярные диффузии и дрейф. Диффузно-дрейфовое приближение. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 8,9 | Твердотельная СВЧ электроника. Лавино-пролетный и туннельный диоды. Домены сильного поля и неустойчивости в полупроводниках с двумя типами носителей заряда. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 10 | Резонансно- туннельные диоды и функционально интегрированные полупроводниковые приборы. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 11 | Образование p-n перехода, база диода. Зонная энергетическая диаграмма перехода. Распределение свободных носителей в переходе. Ступенчатые и линейные переходы. Токи, протекающие через p-n переход в состоянии равновесия. Принцип детального равновесия. Процессы протекающие в переходе при прямом и обратном смещении | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 12,13 | Особенности ВАХ реального диода. Токи генерации и рекомбинации в p-n переходе. Омическое вырождение ВАХ диода. Температурная зависимость ВАХ диода. ТКН. ВАХ диода при высоком уровне инжекции. Пробой p-n перехода. Типы пробоя. Зависимость пробивного напряжения от температуры. Л.2., Л.7 | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 14 | Фотопроводимость, фотоэффект в p-n переходе, фотоэффект на барьере Шоттки. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 15 | Модели электрических параметров полупроводниковых приборов Bsim | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 16 | Структура, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора. Транзисторный эффект. Усилительные свойства биполярного транзистора при различных схемах включения. Эквивалентная схема Эберса- Молла для идеального транзистора. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 17 | Уравнение Эберса –Молла. Основные статистические параметры идеального транзистора. Входные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. Выходные ВАХ идеального транзистора в схеме ОБ и ОЭ. ВАХ идеального транзистора в схеме ОК. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 18- 20 | ВАХ реального транзистора. Сопротивления тел коллектора и базы в схеме Эберса-Молла. Эффект Эрли и его отображение на эквивалентной схеме транзистора. Статистические параметры биполярного транзистора. Эффективность переходов транзистора. Коэффициент переноса через базу. Коэффициент передачи эмиттерного тока. Пробой коллекторного перехода. Прокол базы. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 21,22 | Динамические свойства транзистора. Частотные зависимости коэффициента переноса через базу и коэффициента передачи биполярного транзистора в схемах ОБ и ОЭ. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 23,24 | Динамические параметры транзистора. Схема Эберса-Молла для реального транзистора. Малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора. Диод Шоттки. Энергетическая диаграмма. Качественное описание ВАХ диода Шоттки. Диодная и диффузионная теории выпрямления, ВАХ реального диода Шоттки. Статистические и динамические параметры диода Шоттки. Барьерная емкость. Эквивалентные схемы диода Шоттки. Л.7. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Лекция 25,26 | Структура и принцип работы МПД-транзистора. Физическая причина насыщения тока стока. Отсечка канала. Выходная ВАХ идеального МДП-транзистора в схеме ОИ. Проходная ВАХ идеального МДП транзистора. Типы транзисторов. | ||
| Программные продукты | Microsoft Windows, Microsoft Office Power Point | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
ЛАБОРАТОРНЫЕ ЗАНЯТИЯ
| № | Содержание | ||
| Работа 1 | Вольт-амперная характеристика биполярного диода. Контрольная работа. | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Работа 2 | Изучение пробойных явлений в полупроводниковым диоде. Контрольная работа. | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Работа 3 | Вольт-амперная характеристика биполярного транзистора. Контрольная работа. | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
| Работа 4 | Вольт-амперная характеристика МДП-транзистора. Контрольная работа. | ||
| Интернет -ресурсы | http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml | ||
САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА
Адрес: http://www.mocnit.miet.ru/oroks-miet/scripts/login.pl?DBnum=11
Кафедра: Интегральной электроники и микросистем
| № | Темы ЭМИРС | Используемый ПП |
| СРС 1 | Тест 1 «Физика полупроводников» | Windows, IE |
| СРС 2 | Тест 2 «Физика п/п приборов» | Windows, IE |
УЧЕБНАЯ ДИСЦИПЛИНА
«ФИЛОСОФИЯ»
