При переходах электронов из валентной зоны или из примесных уровней в зону проводимости, или из валентной зоны на примесные уровни, возникают новые свободные носители заряда, способные участвовать в переносе тока. Это приводит к изменению концентрации носителей заряда.
Изменение концентрации носителей заряда в веществе при его освещении, приводящее к изменению его электрических свойств, называется внутренним фотоэффектом. При внутреннем фотоэффекте, в отличие от внешнего, оптически возбужденные электроны остаются внутри освещенного тела, электрическая нейтральность которого не нарушается.
Внутренний фотоэффект обуславливается собственным и примесным поглощением, так как остальные типы поглощения не создают свободных носителей зарядов. На рисунке 8.10 показаныфотоэлектрические переходы, в результате которых создаются свободные носители заряда.
 |
Рис.8.10. Фотоэлектрические переходы в полупроводниках:
1-собственные переходы, 2- примесные переходы,
Еad и Еaa энергии активации доноров и акцепторов
Внутренний фотоэффект - явление не поверхностное, а объемное, поэтому даже если коэффициент поглощения и будет незначительным, тем не менее эффект будет значительным.
Под действием оптического излучения изменяется проводимость полупроводника. Это изменение проводимости называется фотопроводимостью. Как известно, проводимость полупроводников определяется выражением: σ=σn +σp =e(nμn + pμp), (8.15)
где σn и σp – электронная и дырочная составляющие проводимости, μn и μp - подвижности электронов и дырок; n и p - объемные концентрации свободных электронов и дырок.
Из выражения (8.15) видно, что проводимость может изменяться в результате изменения концентрации носителей или их подвижности.
При поглощении излучения в собственной или примесной области спектра происходит оптическая генерация носителей заряда, т.е. увеличивается их концентрация, вследствие чего нарушается термодинамическое равновесие системы электрон-решетка. Поэтому избыточные электроны и дырки, генерирующиеся при освещении полупроводника, называются неравновесными носителями заряда (равновесные носители генерируются путем термического возбуждения).
Если концентрация свободных электронов в результате поглощения излучения изменится на величину Δn, а концентрация дырок на величину ∆p, то проводимость полупроводника изменится на величину
∆σ=е(μnΔn+μpΔp). (8.16)
Полная проводимость освещенного полупроводника может быть представлена как сумма равновесной проводимости в темноте (темновой проводимости) и фотопроводимости:
σ = σ0 + Δσ = еμn(n0 + Δn) + eμp(p0 + Δp). (8.17)
При определенных условиях освещения полупроводника может привести не к повышению, а к понижению его проводимости, т.е. Δn,Δp<0. Это явление называется отрицательной фотопроводимостью.
В неравновесных условиях концентрация электронов n=n0+Δn и дырок p=p0+Δp не может определяться положением уровня Ферми, которое имеет смысл только при термодинамическом равновесии. Однако неравновесную концентрацию зарядов удобно описывать выражениями, справедливыми для равновесной концентрации:
n = Ncexp(Ec - EFn/kT), (8.18.а)
p = Nvexp(EFp - Ev/kT), (8.18.б)
где величины Nc= (2/h3)(2πme*kT)3/2 и Nv= (2/h3)(2πmp*kT)3/2 - эффективные плотности состояний в этих зонах, EFn и EFp квазиуровни Ферми.
Увеличение неравновесной концентрации электронов в зоне проводимости эквивалентно смещению квазиуровня Ферми EFn вверх, а увеличение концентрации дырок – смещению квазиуровня Ферми EFp - вниз.
Энергетические модели полупроводников в равновесных и неравновесных случаях наглядно можно представить в следующих рисунках:
Рис. 8.11. Энергетические модели полупроводников: а) – равновесное состояние, б) и в) - неравновесное состояние.
