Электронно-дырочный переход (сокращенно n-р-переход) возникает в полупроводниковом кристалле, имеющем одновременно области с n-типа (содержит донорные примеси) и р-типа (с акцепторными примесями) прово-димостями на границе между этими областями.
Допустим, у нас есть кристалл, в котором справа находится область полупроводника с дырочной, а слева — с электронной проводимостью (рис. 6). Благодаря тепловому движению при образовании контакта электроны из полупроводника n-типа будут диффундировать в область р-типа. При этом в области n-типа останется нескомпенсированный положительный ион донора.
Рис. 6
Перейдя в область с дырочной проводимостью, электрон очень быстро рекомбинирует с дыркой, при этом в области р-типа образуется нескомпенсированный ион акцептора.
Аналогично электронам дырки из области р-типа диффундируют в электронную область, оставляя в дырочной области нескомпенсированный отрицательно заряженный ион акцептора. Перейдя в электронную область, дырка рекомбинирует с электроном. В результате этого в электронной области образуется нескомпенсированный положительный ион донора.
Диффузия основных носителей через переход создает электрический ток I осн, направленный из р-области в n-область.
В результате диффузии на границе между этими областями образуется двойной электрический слой разноименно заряженных ионов, толщина l которого не превышает долей микрометра.
Между слоями ионов возникает электрическое поле с напряженностью 
. Это поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей: электронов из n-области и дырок из р-области.
Необходимо заметить, что в n-области наряду с электронами имеются неосновные носители — дырки, а в р-области — электроны. В полупроводнике непрерывно происходят процессы рождения и рекомбинации пар. Интенсивность этого процесса зависит только от температуры и одинакова во всем объеме полупроводника. Предположим, что в n-области возникла пара "электрон—дырка". Дырка будет хаотически перемещаться по η области до тех пор, пока не рекомбинирует с каким-либо электроном. Однако если пара возникает достаточно близко к переходу, то прежде, чем произойдет рекомбинация, дырка может оказаться в области, где существует электрическое поле, и под его действием она перейдет в р-область, т.е. электрическое поле перехода способствует переходу неосновных носителей в соседнюю область. Соответственно, создаваемый ими ток I неосн мал. так как неосновных носителей мало.
Таким образом, возникновение электрического поля приводит к появлению неосновного тока I неосн. Накопление зарядов около перехода за счет диффузии и увеличение будут продолжаться до тех пор, пока ток I неосн не уравновесит ток I осн (I неосн = I осн) и результирующий ток через электронно-дырочный переход станет равным нулю.
Если к n-р-переходу приложить разность потенциалов, то внешнее электрическое поле 
складывается с полем . Результирующее поле, существующее в области перехода, 
. Токи I осн и I неосн совершенно различно ведут себя по отношению к изменению поля в переходе, I неосн с изменением поля очень слабо изменяется, так как он обусловлен количеством неосновных носителей, а оно в свою очередь зависит только от температуры.
I осн (диффузия основных носителей) очень чувствителен к полю напряженностью 
. I осн быстро увеличивается с ее уменьшением и быстро падает при увеличении.
Пусть клемма источника тока соединена с n-областью. а "-" — с р-областью (обратное включение (рис. 7, а)). Суммарное поле в переходе усиливается: E > E ist и основной ток уменьшается. Если достаточно велика, то I осн << I неосн и ток через переход создается неосновными носителями. Сопротивление n-р-перехода велико, ток мал.
Рис. 7
Если включить источник так, чтобы область n-типа оказалась подключена к а область р-типа к (рис. 2, б), то внешнее поле будет направлено навстречу , и 
, т.е. поле в переходе ослабляется. Поток основных носителей через переход резко увеличивается, т.е. I осн резко возрастает.
Такое включение диода называется прямым. Таким образом, кристалл с электронно-дырочным переходом обладает односторонней проводимостью и может служить для выпрямления переменного тока. Вольт-амперная характеристика такого диода имеет вид, представленный на рисунке 8. Сплошная кривая соответствует прямому включению, а пунктирная — обратному.
Рис. 8
Для снятия этой характеристики можно воспользоваться электрической цепью, схема которой приведена на рисунке 9.
Рис. 9
Таким образом, n-р-переход по отношению к току оказывается несимметричным: в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном.
2 Задача
Какая масса воздуха требуется для наполнения камеры в шине автомобиля «Москвич», если объем ее 12 л? Камеру накачивают при 27°С до давления 2,2×105 Па.
| Дано: V=12л=1,2 ×10-2 м3 t= 27°C T= 300K p=2,2 ×105 Па М=29×10-3 кг/моль Найти: m=? |
Решение:
pV = m / R ×RT; m = pVM/ RT
R = 8,31 Дж / моль×К
m = 2,2 ×105 ×1,2 ×10-2×29×10-3 / 8,31×300 = 0,031 кг
Ответ: 0,031 кг
Билет №26
