11.1. , , . , , . . , , , . , , , , , , , .. : ‒ ( ), ‒ (. 11.1, , AIIBVI), ‒ (, . .).
11.1. ,
II | III | IV | V | VI | VII | |
B | C | N | ||||
Al | Si | P | S | |||
Zn | Ga | Ge | As | Se | ||
Cd | In | Sn | Sb | Te | I | |
Hg | ||||||
: Si (), Ge (), Se (), Te ().
IIIV :
‒ (N)
‒ (P)
‒ (As)
‒ (Sb)
IIVI :
‒ VI
( ‒ S, Se, Te) (Zn, Cd, Hg):
(, , )
(, , )
(, , )
, , . . , . , ZnSb CdSb, , , , Zn3Sb2 Cd3Sb2. To NaSb, KSb, ZnAs2, CdAs2 . . (, AIIIBVI) . (, AIIBVI) , . AIIIBV AIIBVI . , , α-. , 8. , . . 4. , . , . 11.2. AIIIBV AIIIBV III V . III IIIV , ( ). V AIIIBV , , . . AIIIBV, , , Al, Ga, In , , , . AIIIBV . ( AIII BV) , ( ) (. 11.1).11.1 :
|
|
A3; B5
, AIIIBV , . , c. 1, , . . . , AIIIBV AIII BV , , BV AIII. ‒‒‒, AIII BV .. 11.2 A3B5
A3B5 , -. , , A3 B5, B5.
. 11.2 . B5 , ( B5) ( A3). , . . , B5.
A3 , B5 . ( q) , . . . A3B5 , .
|
|
A3B5 , , - . , . , . , n -.
A3B5 , . II ‒ Be, Mg, Zn Cd, , A3B5 . VI ‒ S, Se, ‒ B5 . IV . , IV A3, B5, . . . IV . , , . . , A3 B5. , .
3- 5- A3 B5 , . , .
A3B5 B5, . , , . , . , . A3B5. A3B5 . , ( 200‒300 ) . () - V . , , S, Se , ( Ga2S3).
|
|
GaAs ‒ , AIIIBV. ( ) . , , , , . .
. 300 5,6533 , ‒ 2,45 ; ‒ 144,63; 1 3 ‒ 4,421022; GaAs ‒ 5,32 /3, ‒ 5,71 /3; = 1238 ; ~ 1.105 (0,98 ), . ‒ 4,5; = 6,4×10-6 -1; ‒ 1,43 ; ‒ 12,9, ‒ 10,89.
, . n- p- . n- S, Se, Te, Si, Sn, p- Zn.
, . . 300 . . 600 , . , . . .
GaAs
GaAs N d ( , ). . N d = (5-10).103 -2, ‒ N d = 5.102 -2. , GaAs n- p- , . . - () GaAs. .
|
|
GaAs , . , . , , . . ( ), .
GaAs :
‒ (Liquid Encapsulated Czochralski LEC), , -GaAs;
‒ () (Horizontal Bridgman HB) (Horizontal Gradient Freeze HGF), n- , Si;
‒ (Vertical Bridgman VB Vertical Gradient Freeze VGF), , .
LEC GaAs. , , . . . , 1×104 2×105 -2 .
. . , , . , . . . . .
LEC ( 60-70 . 20-30 . ). -GaAs 7N, , . (1×1015 /3) GaAs, (3×1015 /3) (108 ×), - GaAs .
LEC , . LEC--GaAs 100 , 20% 150 .
GaAs, Si , () . , . 100 .
|
|
:
1) () GaAs (107 .). () . GaAs, ( ), - , .
2) GaAs n- . . (1017-1018 -3) GaAs, , . , - , , - ( ). , , , , .
3) , , .
4) GaAs, ,
5) .
(InAs) ‒ . AIIIBV 0.354 . ‒ ( ). 5,68 /3. = 942 . , , , , .
InSb ‒ , . ( ) III‒V , , , FLIR-, , . 1-5 . , - .
AIIIBV 0.17 300 K 0,23 80 K, 0,2355 (0 ), 0,180 (298 ); m = 0,013 m 0, m = 0,42 m 0 (m 0 ); 77 1,1×106 ²/(·), 9,1×103 ²/(·).
- . 500 C, , , . 0,648 .
: , -. . (Ar, He, N2) , ( 50 ).
(~0,1 ) 800‒850 C. .
: . , , .[3] (, ). :
- ,
- , ,
- (. fast transistors).
( )
GaSb ‒ . . 5,619 /3, = 710 .
, . AIIIBV 0.726 300 K. , , .
GaSb Ga 5%- Sb 2, , GaSb .
11.6
BN, , : α-BN, β-BN () γ-BN.
-BN
α-BN , . α-BN , , Z. 3,34 , . . , (3,40 ), . - α-BN . BN .
, α-BN, 2000 . ( B2O3) B2O3 (, ) .
α-BN = 3000 ( ). 2,3 /3. α-BN . ( 3,7 ), . BN B2O3. , ‒ . , , , α- .
, , . 700 . ( BF3 N2) HF ( NH4BF4); NH3.
1000 .
-BN ()
62 1350 β-BN β-BN . . , . 3,615 25 . ( .)
, BN (.) BN (.) , , . , . . , , . , . , . , 104 109 ..
3,45 /3. ( 10 ), ( 2000 ) .
, .
2000 . 2000 , 875 .
2500 40000 .
-BN
γ-BN . , β- . = 2,504 , = 10,01.
. , , , , , . , , .
. , , , , .
, , . , (, , , ); ( , ), ( , ).
. .
-
( ) . pn np, , , (n+n)- ( , ; + ) (p+p)- ( ).
, , . , , . .
, :
- , - () - () . . in situ ( ). . - 1960- . . (J. R. Arthur) (Alfred Y. Cho).
MOCVD. (. Metalorganic chemical vapour deposition) , , () , . , ((CH3)3Ga) (C6H5)3As). 1968 .[1] - (, "- ", ) , ( 2 100 ).
( [1]). , .
2000 .
, , .