· Реальная или физическая память (англ. real (physical) memory) — память, способ адресации которой соответствует физическому расположению её данных;
· Виртуальная память (англ. virtual memory) — память, способ адресации которой не отражает физического расположения её данных;
· Оверлейная память (англ. overlayable storage) — память, в которой присутствует несколько областей с одинаковыми адресами, из которых в каждый момент доступна только одна.
Удалённость и доступность для процессора
· Первичная память (сверхоперативная, СОЗУ) — доступна процессору без какого-либо обращения к внешним устройствам. Данная память отличается крайне малым временем доступа и тем, что неадресуема для программиста.
o регистры процессора (процессорная или регистровая память) — регистры, расположенные непосредственно в АЛУ;
o кэш процессора — кэш, используемый процессором для уменьшения среднего времени доступа к компьютерной памяти. Разделяется на несколько уровней, различающихся скоростью и объёмом (например, L1, L2, L3).
· Вторичная память — доступна процессору путём прямой адресацией через шину адреса (адресуемая память). Таким образом доступна основная память (память, предназначенная для хранения текущих данных и выполняемых программ) и порты ввода-вывода (специальные адреса, через обращение к которым реализовано взаимодействие с прочей аппаратурой).
· Третичная память — доступна только путём нетривиальной последовательности действий. Сюда входят все виды внешней памяти — доступной через устройства ввода-вывода. Взаимодействие с третичной памятью ведётся по определённым правилам (протоколам) и требует присутствия в памяти соответствующих программ. Программы, обеспечивающие минимально необходимое взаимодействие, помещаются в ПЗУ, входящее во вторичную память (у PC-совместимых ПК — это ПЗУ BIOS).
Положение структур данных, расположенных в основной памяти, в этой классификации неоднозначно. Как правило, их вообще в неё не включают, выполняя классификацию с привязкой к традиционно используемым видам ЗУ.
Управление процессором
· Непосредственно управляемая (оперативно доступная) память (англ. on-line storage) — память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору.[источник не указан 1031 день]
· Автономная память — память, реализованная, например при помощи службы внешних носителей в Windows 2000, предусматривающей оперативное управление библиотеками носителей и устройствами с автоматической подачей дисков, облегчающей использование съёмных носителей типа магнитных лент и съёмных дисков, магнитных или оптических.
Организация хранения данных и алгоритмы доступа к ним
Повторяет классификацию структур данных:
· Адресуемая память — адресация осуществляется по местоположению данных.
· Ассоциативная память (англ. associative memory, content-addressable memory, CAM) — адресация осуществляется по содержанию данных, а не по их местоположению.
· Магазинная (стековая) память (англ. pushdown storage) — реализация стека.
· Матричная память (англ. matrix storage) — ячейки памяти расположены так, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам.
· Объектная память (англ. object storage) — память, система управления которой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типом и размером записи.
· Семантическая память (англ. semantic storage) — данные размещаются и списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков.
Физические принципы
Эта классификация поторяет соответствующую классификацию ЗУ.
| Вид | Среда, хранящая информацию | Принцип чтения/записи | Примеры |
| Полупроводниковая память (англ. semiconductor storage) | сформированные в полупроводнике элементы, имеющие 2 устойчивых состояния с различными электрическими параметрами | включение в электрическую цепь | SRAM, DRAM, EEPROM, Flash-память |
| Магнитная память (англ. magnetic storage) | Намагниченность участков ферромагнитного материала (доменов) | Магнитная запись | Магнитная лента, магнитный диск, магнитная карта |
| Оптическая память (англ. optical storage, laser storage) | последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет | чтение: отражение либо рассеяние лазерного луча от питов; запись: точечный нагрев, изменяющий свойства отражающего слоя | CD, DVD, Blu-ray, HD DVD |
| Магнитооптическая память (англ. magnetooptics storage) | последовательность участков (питов), отражающих или рассеивающих свет | чтение: преломление и отражение луча лазера запись: точечный нагрев и электромагнитный импульс | CD-MO, Fujitsu DynaMO |
| Магниторезистивная память с произвольным доступом (англ. Spin Torque Transfer Random Access Memory, STT-RAM) | магнитные домены | В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля (спин). В свою очередь направление магнитного поля (справа — налево или сверху — вниз) вызывает изменение в сопротивлении (логические 0 и 1). | MRAM |
| Память с изменением фазового состояния (англ. phase change memory, PCM) | молекулы халькогенида (chalcogenide) | использует изменение фазового состояния халькогенида — вещества, способного под воздействием нагрева и электрических полей переходить из непроводящего аморфного состояния (1) в проводящее кристаллическое (0). В ней применены диоды вертикального типа и трехмерная кристаллическая структура. Не требует предварительного удаления старых данных перед записью новых, не требует электропитания для сохранения своего состояния. | PRAM |
| Ёмкостная память (англ. capacitor storage) | конденсаторы | подача электрического напряжения на обкладки | DRAM |
