Лекции.Орг


Поиск:




Проверьте, как вы запомнили слова. 2.1.Переведите следующие слова, исходя из значений, приведенных в скобках:




2.1. Переведите следующие слова, исходя из значений, приведенных в скобках:

1. density n (плотность), dense a; 2. vulnerability n (уязви­мость), vulnerable a; 3. processibility n (обработка), process v; 4. intcrconnection n (взаимосвязь), connect v; 5. suitable а (пригодный), suit v; 6. contribution n (вклад), contribute v; 7. rectification n (выпрямление), rectify v; 8. amplification n (усиление), amplify v; 9. layer n (слой), lay v; 10. alternately adv (попеременно), alter v; 11. perfection n (совершенствование), per­fect v; 12. purity n (чистота), pure a;13. commercial а (имею­щийся в продаже), commerce n

 

2.2. Переведите следующие слова, исходя из значения их антонимов:

1. unstable a (stable a — устойчивый); 2. unconventional a (conventional а — обычный); 3. unlimited a (limited a — ограни­ченный); 4. uncontrolled a (controlled a — управляемый); 5. unsuitable a (suitable а — подходящий); 6. uncommon a (common a — обычный); 7. unlike a (like a — подобный); 8. impossible a (possible а — возможный); 9. imperfect a (perfect а — идеальный); 10. impurity n (purity n — чистота); 11. immo­bility n (mobility n — подвижность)

 

2.3. Определите значения английских слов, исходя из контекста:

1. новые материалы, которые exhibit другие характери­стики; 2. чем меньше dimension проводника, тем больше; 3. наблюдается delay по времени; 4. эти явления associated with с явлениями проводимости; 5. более высокий level ин­теграции; 6. to develop материал для новых схем; 7. полу­проводники обладают suitable свойствами для электронных приборов; 8. был сделан contribution в полупроводниковую физику; 9. процессы occurring в полупроводниках, показы­вают; 10. история развития может быть traced, начиная с 1947 года; 11. постепенно кремний gained favour над герма­нием.

 

2.4. Переведите глаголы, исходя из значений соответст­вующих существительных:

1. delay v (delay n — задержка); 2. level v (level n — уровень); 3. feature v (feature n — характеристика); 4. turn v (turn n — повот); trace v (trace n — след); 6. reason v (reason n — разум;

причина)

 

2.5. Переведите следующие слова. Обратите внимание на значения префиксов sutb—под, ниже, super-, over-— сверх, выше, under- — выше и semi- — полу:

sub-: subdivision n, substructure n, subcommittee n

super-: superheat n, superstructure n, supernatural a, superfast a

over-: overgrow v, overwork v, overheat v

under-: underproduce v, undergrow v, undercoat v, undercut­ting n

semi-: semiconductor n, semicircle n, semiannual a

 

Обсудите содержание текста.

2.6. Просмотрите текст еще раз (I часть). Ответьте на вопросы, используя информацию текста.

1. What would you say about the steady reduction of IC fea­ture sizes? 2. What has allowed the integration of more and more devices on the same chip? 3. What does higher integration level allow? 4. What are the dominant factors limiting device perfor­mance? 5. What limits the design of any machine? 6. Who has made a great contribution to the study of semiconductor physics? 7. What would you say about polycrystalline materials? 8. What is essential foundation for semiconductor products?

 

2.7. Обобщите информацию, данную в тексте. Расска­жите, что вы узнали о полупроводниках; об ученых, рабо­тающих в области полупроводниковых материалов; о кремнии и германии.

 

2.8. Просмотрите вторую часть (П) текста. Сообщите, что вы узнали о:

1. dominant role of silicon as a material; 2. silicon dioxide; 3. a film of silicon; 4. a non-water soluble oxide; 5. presence of oxygen in silicon; 6. silicon wafer; 7. point-defects concentrations; 8. gal­lium arsenide

 

Проверьте, умеете ли вы переводить определительные блоки указанных типов.

1) Блок типа N + Ved/3 form

1. The state of art influenced by the development of...

2. The prediction followed by the change of the pattern...

3. The event faced by the designers...

4. The wire joined completes...

 

2) Блок типа N + Ved/3 form + prp

1. The capability relied upon is reached...

2. The technique referred to in the paper responds...

3. The benefit called for can be achieved...

4. The array thought of points out that...

 

3) Блок типа N + Vto

1. The concept to be referred to evolves...

2. The point to be reached exceeds...

3. The mode to be considered stems from...

4. The reliability to be achieved reaches...

 

4) Блок типа А + enough + VtO

1. The impetus strong enough to give rise to...

2. The shift large enough to be considered...

3. The vehicle heavy enough to handle...

4. The shrink small enough not to be considered

 

5) Блок типа Num + (N) +A

1. The shrink 5 cm long is marked...

2. The unit 4 m high...

3. The film.1 mm thick...

 

6)Блок типа N +А типа available

1. Improvement available is...

2. Performance necessary can...

3. Chip area present is...

4. Technology similar to the previous one is...

5. The shift possible is used...

 

7) Блок типа N + in/under + N

1. The prediction in question gives...

2. The event under consideration shows...

3. The vehicle in operation reaches...

4. The pattern in use marks...

5. The chip under development provides...

8) Блок типа N + Ving (+ N2)

1. The wire linking the ends was...

2. The wire being linked completes...

3. The benefit predicting the result fits... The benefit being predicted is...

4. The reliability concerning the device points... The reliability being concerned stems from...

 

9) Блок типа N + Ved/3 form

1.The dimension required is responsible for... The dimension required the shift of...

2. The concept produced fits... The concept produced an impetus...

3. The response achieved is... The response achieved the value of...

 

2.9. Найдите существительные с левым определением. Определите их функцию в предложении и переведите:

1. The high level of control of film thickness and resistivity uniformity required has led to the study of the kinetics of the de­position. 2. Time delay associated with the interconnection is de­pendent on two parameters. 3. The markedly different growth rate observed implies that gas phase equilibrium is not established.

 

2.10. Найдите и переведите речевые отрезки, в которых слова one(s) и that, those являются заместителями сущест­вительного.

one, ones: 1. one or more units; 2. one more unit; 3. one more advantage; 4. one or more advantages; 5. one single crystal; 6. one of the benefits; 7. not a static field but a dynamic one; 8. not a special acceptor but a common one; 8. one may make an effort; 9. one can predict; 10. complete ones; 11. applicable ones

that, those: 1. is like that of a substrate; 2. is much more than that produced recently; 3. is lower than that provided by a new technique; 4. are more beneficial than those of new pattern

 

Учитесь читать.

Текст 2.1. Прочитайте текст. Скажите, что вы узнали о silicon, active and passive elements. Прочитайте текст еще раз. Озаглавьте его. Данные ниже слова/словосочетания помо­гут вам понять текст.

1. far from being-далеко от; 2. at all —вообще; 3. abun­dance — множество

All the components of the circuit must be fabricated in a crys­tal of silicon or on the surface of the crystal. Silicon is far from being ideal material for these functions and only modest values of resistance and capacitance can be achieved. Practical microelec­tronic inductors cannot be formed at all. On the other hand, sili­con is a material without equal for the fabrication of transistors, and the abundance of these active components in microelectronic devices more than compensates for the shortcomings of the pas­sive elements.

Текст 2.2. Переведите текст письменно без словаря. Время перевода —10 минут. Значения выделенных слов вы сможете понять из контекста.

 

HBTs

Most recently research efforts have led to the fabrication of hetero-junction bipolar transistors (HBTs) based on GaAs and other Ш-V compounds. These new devices offer the prospect of obtaining performance features similar to those of Si bipolar tran­sistor translated to substantially higher frequency.

HBTs have large amounts of current and power gain and mil­limeter-wave frequencies.

Devices are fabricated on semi-insulating GaAs substrates and may be monolithically integrated, together with thin-film resistors and Shottky diodes, using conventional GaAs IC techniques.

Their current handling capability input voltage dc matching, breakdown voltage, and I/O noise are potentially better than those for GaAs FETs. Based on these characteristics, HBTs are ex­pected to have bright future in microwave/miUimeter-wave ICs.

 

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ ВНЕАУДИТОРНОЙ РАБОТЫ

 

(ПОСЛЕ ПЕРВОГО ЗАНЯТИЯ)

 

Изучите следующие гнезда слов и словосочетаний.

1. feature n 1. особенность; свойство; 2. деталь

feature size размеры элемента

feature v 1. изображать, показывать; 2. быть характерной чертой

2. exhibit у 1. показывать, проявлять; 2. экспонировать

exhibition n 1. показ; 2. выставка

3. vulnerability n уязвимость

vulnerable а уязвимый

4. processibiliry n возможность обработки

processing n обработка

process n 1. процесс; 2. способ

process v обрабатывать processor л процессор

5. available a 1. доступный; имеющийся в распоряжении; 2. (при)годный

availability n 1. наличие; 2. пригодность

6. enhance v повышать; увеличивать; усиливать

7. delay n 1. задержка, препятствие; 2. замедление

delay v 1. задерживать; 2. откладывать

8. significant а важный; значимый significance n важность; значение

9. determine v 1. определять, устанавливать; 2. решать; 3. за­ставлять; 4. ограничивать

determination n 1. определение; решение; 2. установление

10. level n 1. уровень; 2. плоская горизонтальная поверх­ность

level a 1. одинаковый; 2. горизонтальный

level v выравнивать; уравновешивать

11. net n 1. сеть; 2. схема, цепь

network n 1. схема, цепь; 2. сеть

12. appreciable а заметный, ощутимый

appreciate v 1. оценивать, ценить; 2. различать

13. related а связанный; относящийся

relate v связывать; относиться

relationship n отношение

14. subtle a 1. тонкий; 2. острый; 3. искусный

15. design n 1. проект, план; 2. конструкция, разработка; 3. рисунок, эскиз; 4. расчет

design v 1. проектировать, конструировать; 2. предназна­чать

designer n конструктор, проектировщик

computer-aided design автоматизированное проектиро­вание

block design блочная конструкция

fault-tolerant design отказоустойчивая конструкция

geometry design топологическое проектирование схем

on-line circuit design оперативное проектирование схем

option design проектирование с выбором вариантов

16. tailor v приспосабливать, подгонять

tailoring n подгонка, подстройка

field tailoring подстройка поля

17. intrinsic a 1. присущий, свойственный; 2. существенный; внутренний; 3. собственный (об электропроводниках)

extrinsic а примесный (об электропроводниках)

18. suitable a 1. подходящий, соответствующий; 2. годный

suit v 1. удовлетворять требованиям; 2. соответствовать

19. common a 1. общий; 2. простой, обыкновенный; 3. рас­пространенный

in common вместе

commonly adv обычно

20. contribution n 1. вклад; 2. содействие; участие; 3. сотруд­ничество; работа; статья, доклад

contribute v 1. содействовать, способствовать; 2. делать вклад; 3. принимать участие, сотрудничать

contributor n 1. автор статьи; 2. содействующий

21. rectification n 1. выпрямление; 2. детектирование

rectify v 1. выпрямлять; 2. детектировать

barrier-layer rectification выпрямление на обедненном слое

diode rectification диодное детектирование

rectifier n 1. выпрямитель; 2. диод

tunnel rectifier выпрямитель на туннельном диоде

22. occur v 1. происходить, случаться; 2. приходить на ум; 3. встречаться, попадаться

occurrence n 1. случай; 2. наличие; 3. местонахождение, распространение; 4. возникновение failure occurrence возникновение отказа

23. turn v 1. вращаться; 2. обращаться, прибегать; 3. сосредо­точивать, направлять; 4. приводить в какое-л. состояние

turn n 1. поворот; 2. изменение; 3. очередность

in turn по очереди

24. amplifier n усилитель

bulk-effect amplifier усилитель на основе объемного эф­фекта

charge-transfer amplifier усилитель на ППЗ

off-chip amplifier навесной (внешний) усилитель

on-chip amplifier усилитель на одном кристалле с дру­гой схемой

sample-and-hold amplifier усилитель выборки и хране­ния

sense amplifier усилитель считывания

amplify v усиливать; увеличивать

25. alternately adv попеременно

alternate a 1. чередующийся; 2. другой

alter v чередовать; изменяться

alternating а переменный

26. trace v 1. прослеживать; 2. проводить линию; 3. относить к; относить на счет

trace n 1. след; 2. незначительное количество

traceability: batch traceability возможность контроля последовательности технологической обработки пар­тии (пластин)

27. grain n кристалл; гранула; зерно

grain v гранулировать

columnar grain зерно цилиндрической формы

28. recognize v 1. узнавать; 2. признавать

recognizable а могущий быть узнанным

recognition n 1. узнавание; опознавание; 2. признание

29. immense a 1. огромный; 2. необъятный

immensely adv очень, чрезвычайно

30. reason v 1. обсуждать; рассуждать; 2. резюмировать

reason n причина; основание

reasonable а умеренный; приемлемый

31. trap n ловушка; центр захвата

carrier-trap центр захвата носителей

electron trap электронная ловушка, центр захвата элек­тронов

trap v захватывать

32. affect v оказывать влияние, воздействовать

affected а нарушенный, поврежденный

33. additionally adv дополнительно

additional а дополнительный

addition n 1. дополнение; 2. сложение

in addition to 1. дополнительно, кроме того

add v прибавлять; дополнять

34. purity n чистота; беспримесность

impurity n примесь

pure а чистый, беспримесный

purely adv исключительно; полностью; совершенно, вполне

purify v очищать

35. perfection n 1. завершенность, законченность; 2. совер­шенство

perfect a 1. законченный; 2. идеальный

perfect v 1. заканчивать; 2. совершенствовать

perfectly adv совершенно

36. acceptor n 1. акцептор; 2. акцепторная примесь

accept v 1. принимать; 2. допускать; соглашаться

acceptable а приемлемый; допустимый

37. witness v 1. быть свидетелем; 2. свидетельствовать

38. gain v 1. получать; приобретать; 2. увеличиваться; 3. извлекать пользу

gain n 1. увеличение, прирост; 2. прибыль; 3. выигрыш; 4. коэффициент усиления

collector-to-base current gain коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером

current gain усиление по току

logic gain нагрузочная способность логической ИС

speed gain выигрыш в быстродействии

39. commercial a 1. торговый; 2. выгодный; 3. имеющийся на рынке

commerce n торговля

40. attributable а причастный; характерный

attribute n свойство, характерный признак, черта

attribute v относить; приписывать

41. soften v размягчать

soft a 1. мягкий; 2. ковкий; гибкий

software n математическое обеспечение ЭВМ

42. wafer n 1. полупроводниковая пластина; 2. пластинка; плата; подложка; 3. кристалл, ИС

bipolar wafer п/п пластина с биполярными интеграль­ными структурами

building-block wafer п/п пластина с сформированными конструктивными блоками

customed wafer п/п пластина с базовыми кристаллами

etch-separated wafer п/п пластина, разделяемая на кри­сталлах методом травления

flat-wafer пластина с плоскопараллельными поверхно­стями

process development wafer тестовая пластина, приме­няемая при разработке технологического процесса

wafering n резка п/п слитков на пластины

wafertrack n автоматизированная система обработки п/п пластин, управляемая микропроцессором

43. vapour n пар, пары

dopant vapour пары легирующей примеси

vaporization n испарение; парообразование

44. durable a 1. прочный; 2. длительный, долговременный

durability n 1. прочность; 2. продолжительность, срок службы

duration n продолжительность

45. adhere v 1. прилипать; 2. придерживаться чего-л.

adherence n 1. соединение, сцепление; 2. соблюдение

adhesion n прилипание, сцепление

adhesive n 1. клей, адгезив; 2. адгезия

46. mask n фотошаблон, маска; маскирующий слой

mask v маскировать

deposition mask шаблон для формирования металлиза­ции

doping mask шаблон для формирования легированных областей

evaporation mask маска для напыления

exposure mask 1. фотошаблон; 2. фоторезистный мас­кирующий слой

in situ mask локальная маска

master mask эталонный оригинал фотошаблона

metal-on-glass mask металлизированный фотошаблон

moving mask свободная маска

overlaid mask маска на п/п пластине

production mask рабочий шаблон

self-aligned mask самосовмещенный шаблон

maskant n материал для формирования маскирующего слоя

47. dopant n легирующая примесь; диффузант

donor dopant донорная примесь

implanted dopant ионноимплантируемая примесь

impurity dopant легирующая примесь

spin-on dopant примесь, наносимая на поверхность п/п

doped а легированный

doper n установка для легирования

dope v легировать

doping n легирование

48. band n 1. полоса частот; 2. лента, тесьма

49. gap n 1. промежуток, интервал; 2. пробел, пропуск; 3. раз­рыв, зазор

band gap запрещенная зона

direct gap запрещенная зона с прямыми переходами

graded band gap плавно изменяющаяся запрещенная зона

mask gap зазор между фотошаблоном и п/п пласти­ной

proximity gap микрозазор

50. permit v позволять; разрешать

permission n разрешение

permissible а разрешаемый, допустимый

51. impermeable a непроницаемый

permeate v проникать

52. coating n 1. покрытие, слой; 2. нанесение покрытия

dip coating нанесение покрытия методом погружения

53. overlayer n покрытие, верхний слой

layer n слой, пласт; пленка

lay v 1. класть, положить; 2. излагать, формулировать; 3. составлять план

barrier layer запирающий слой

buried layer скрытый слой

cap layer герметизирующий слой

evaporated layer напыленный слой

host layer исходный слой

multiple layer многослойная пленка

registered layers совмещенные слои

sandwiched layers слои трехслойной структуры

supported semiconductor layer п/п слой на подложке

layout n топология; разработка топологии

54. detrimental а вредный, нежелательный

detriment n вред

55. maintain v 1. поддерживать, сохранять; 2. обслуживать; 3. продолжать; 4. утверждать

maintenance n 1. уход, ремонт; 2. поддержка; 3. обслужи­вание

56. range n 1. ряд; цепь; 2. область распространения; 3. пре­дел, диапазон; 4. протяженность

range v 1. классифицировать; 2. колебаться в пределах; 3. тянуться, распространяться

57. specification n 1. спецификация, инструкция; 2. подроб­ность

specify v 1. точно определять; 2. давать спецификацию

specific a 1. характерный; 2. точный; 3. удельный

58. stringent а строгий, точный

59. refinement n 1. усовершенствование; 2. очистка

refine v 1. совершенствовать; 2. очищать

refined а очищенный

60. inherently adv по существу; по своей природе

inherent а присущий, свойственный

inherit v унаследовать

61. opportunity n возможность

62. explicit a: to be explicit зд. ясно проявиться

63. conventional а 1. общепринятый; 2. стандартный; 3. обычный

64. sufficients a достаточный

sufficiently adv достаточно

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-11-18; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 706 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Студент может не знать в двух случаях: не знал, или забыл. © Неизвестно
==> читать все изречения...

1117 - | 750 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.