Вдосконалення методів маскування закладних пристроїв|устроїв| як шляхом маскування, так і шляхом встановлення спеціальних режимів роботи, наприклад| радіоуправління, зажадало розробки пристроїв|устроїв| підповерхневого|поверхового| виявлення закладок|закладень| до складу яких входять напівпровідникові елементи. Виявилось, що такі пристрої|устрої| можуть бути виявлені методами локації, тобто опромінювання|опромінення| деяких об'ємів|обсягів| і подальшого|наступного| аналізу відбитих сигналів.
Дослідження в цій області показали, що поряд з|поряд з| фізичними напівпровідниками в природі існують матеріали з|із| квазінапівпровідниковими властивостями, т.з. хибні напівпровідники. Практично такими матеріалами є|з'являються| метали з|із| окисними плівками на їх поверхні. Звичайно|звичний| це однорідні| або різнорідні шматки металів,
а) б)
Рисунок 9.4 –Вигляд вольт-амперних характеристик напівпровідникового а) і хибного б) з’єднань
дотичні один до|із| одного і що знаходяться|перебувають| в агресивному середовищі|середі|, наприклад у вологості, під землею|грунтом|, замуровані в стіну, бетон і тому подібне. З часом|згодом| вони виявляються|опиняються| розділеними один від одного окисною плівкою. Така плівка і утворює хибні напівпровідники.
При порівнянні електричних характеристик р-n| переходів і хибних з'єднань|сполучень| було встановлено|установлений| відмінність їх вольт-амперних характеристик (ВАХ). На початкових ділянках (в області малих струмів і напруг) ця характеристика ВАХ напівпровідника описується квадратичною залежністю, а хибне з’єднання - кубічною залежністю струму від напруги.
При опромінюванні таких матеріалів на частоті f1, потужність зворотних віддзеркалень (відгуків) для напівпровідникових елементів буде максимально інтенсивною на другій гармоніці - на f2 = 2·f1, а для хибного напівпровідника – на частоті третьої гармоніки f3 = 3·f1.
На цьому принципі будуються сучасні локатори нелінійностей|. Основне завдання|задача| при проектуванні і виробництві|створінні| локаторів нелінійностей (ЛН) – це створення|створіння| двоканальних приймальних|усиновлених| пристроїв|устроїв|, для роботи на частотах другої і третьої гармонік|гармошок| з|із| максимально незалежними і ідентичними по коефіцієнту посилення каналами, а також ідентичними індикаційними для вимірювача блоками. При цьому і передавач і приймачі працюють на одну спільну|спільну| антену (рис. 9.5).
Рисунок 9.5 – Варіант структурної схеми локатора нелінійностей
Передавачі ЛН можуть працювати як в безперервному режимі, так і в імпульсному. Рівні потужності в безперервному режимі – від 1 до 10 Вт, а потужності імпульсних передавачів – від| 10 до 150 Вт в імпульсі. Частота першой гармоніки для цих приладів лежить в межах 600-1000 МГц.
