Ћекции.ќрг


ѕоиск:




 атегории:

јстрономи€
Ѕиологи€
√еографи€
ƒругие €зыки
»нтернет
»нформатика
»стори€
 ультура
Ћитература
Ћогика
ћатематика
ћедицина
ћеханика
ќхрана труда
ѕедагогика
ѕолитика
ѕраво
ѕсихологи€
–елиги€
–иторика
—оциологи€
—порт
—троительство
“ехнологи€
“ранспорт
‘изика
‘илософи€
‘инансы
’ими€
Ёкологи€
Ёкономика
Ёлектроника

 

 

 

 


¬опрос 17. Ќазначение сигнала динамической пам€ти RAS#?




Ќазначение сигнала динамической пам€ти RAS#?

ƒинамическа€ пам€ть Ц DRAM (Dynamic RAM) Ц получила свое название от принципа действи€ ее запоминающих €чеек, которые выполнены в виде конденсаторов, образованных элементами полупроводниковых микросхем. ѕри отсутствии обращени€ к €чейке со временем за счет токов утечки конденсатор разр€жаетс€ и информаци€ тер€етс€, поэтому така€ пам€ть требует периодической подзар€дки конденсаторов (обращени€ к каждой €чейке) Ц пам€ть может работать только в динамическом режиме. Ётим она принципиально отличаетс€ от статической пам€ти, реализуемой на триггерных €чейках и хран€щей информацию без обращений к ней сколь угодно долго (при включенном питании).

«апоминающие €чейки микросхем DRAM организованы в виде двумерной матрицы. јдреса строки и столбца передаютс€ по мультиплексированной шине адреса (Multiplexed Address) и стробируютс€ по спаду импульсов (Row Access Strobe) и (Column Access Strobe).

Row Access Strobe Ц строб выборки адреса строки. ѕо спаду сигнала начинаетс€ любой цикл обращени€; низкий уровень сохран€етс€ на все врем€ цикла. ѕеред началом следующего цикла сигнал должен находитьс€ в неактивном состо€нии (высокий уровень) не менее, чем врем€ предварительного зар€да RAS (TRP Ц RAS precharge time)

¬рем€ доступа TRAC (RAS Access Time) Ц задержка по€влени€ действительных данных на выходе относительно спада импульса RAS (см. рисунок). Ётот основной параметр спецификации пам€ти, измер€емый в единицах или дес€тках наносекунд, обычно €вл€етс€ последним элементом обозначени€ микросхем и модулей (ххх‑7 и ххх‑70 означают врем€ доступа 70 нс). ƒл€ современных микросхем характерно врем€ доступа 40‑100 нс.

 

¬ременные диаграммы чтени€ и записи динамической пам€ти

 

 





ѕоделитьс€ с друзь€ми:


ƒата добавлени€: 2015-05-05; ћы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 779 | Ќарушение авторских прав


ѕоиск на сайте:

Ћучшие изречени€:

Ќе будет большим злом, если студент впадет в заблуждение; если же ошибаютс€ великие умы, мир дорого оплачивает их ошибки. © Ќикола “есла
==> читать все изречени€...

749 - | 589 -


© 2015-2023 lektsii.org -  онтакты - ѕоследнее добавление

√ен: 0.008 с.