Пусть источник подключен минусом к P, и плюсом к N.
Под действием 
через переход протекает очень небольшой обратный ток 
. Поле 
складывается с контактным полем. Результирующее поле возрастает. Высота потенциального барьера возрастает и даже при небольшом повышении барьера диффузионный ток прекращается, т. к. собственные скорости носителей малы. Ток проводимости остается неизменным. Выведение неосновных носителей через PN-переход, ускоряющихся электрическим полемсоздаваемое обратным напряжением называют экстракцией носителей заряда.
Обратный ток – ток проводимости, который вызван перемещение неосновных носителей. Обратный ток очень небольшой, т.к. неосновных носителей мало и сопротивление запирающего слоя очень велико. С повышением обратного напряжения поле в месте перехода становится сильнее, под действием его всё больше основных носителей выталкивается из пограничных областей вглубь p и n областей. Происходит обеднение слоя носителей, толщина запирающего слоя повышается, сопротивление слоя растет. Даже при небольших обратных напряжениях, обратный ток остается практически постоянным, т. к. число неосновных носителей ограничено. С повышением температуры концентрация неосновных носителей повышается, обратный ток растет, а обратное сопротивление падает. Включаем обратное напряжение. Сначала возникает процесс, связанный с движением основных носителей. Электроны в n- области движутся к плюсу источника, т. е. удаляются от pn-перехода, соответственно дырки p-области движутся к минусу источника. У минуса электрода идет рекомбинация дырок с электронами, которые приходят из проводника, т. е. от минуса источника. Т. к. из n-области уходят электроны, то она заряжается положительно, т. к. в ней остаются положительно заряженный атомы донорной примеси. Аналогично p-область заряжается отрицательно, т. к. дырки заполняются приходящими электронами и в ней остаются отрицательно заряженные атомы акцепторной примеси. Такое движение длится малый промежуток времени. Такой кратковременный ток подобен зарядному току конденсатора. По обе стороны PN-перехода возникают два разноименных объемных заряда, и вся система становится аналогом заряженного конденсатора с диэлектриком со значительным током утечки, роль которого играет обратный ток. Обратный ток PN-перехода мало зависит от напряжения.
