Питание цепей биполярного транзистора и стабилизация режима работы

Питание транзисторного усилителя, как правило, производится от одного источника постоянного тока.

Для установления нужного режима транзистора между его базой и эмиттером обычно прикладывают небольшое напряжение смещения (порядка десятых долей вольта).

Простейшим видом смещения является фиксированное смещение, которое осуществляется с помощью делителя напряжения R₁, R₁ (рис. 7, а).

Cэ

Фиксированное смещение пригодно лишь для каскадов, работающих при малых изменениях окружающей температуры, и должно быть подобрано для каждого устанавливаемого в каскад транзистора. При больших изменениях температуры или замене транзистора фиксированное смещение не обеспечивает необходимого постоянства работы. Поэтому применяются различные способы стабилизация режима при помощи смещения, автоматически изменяющегося при изменении температуры или замене транзистора.

Наиболее высокую стабильность режима дает эмиттерная стабилизация (рис.7, б). Здесь в цепь эмиттера введен стабилизирующий резистор R_э, падение напряжения на котором пропорци­ональное току эмиттера, уменьшает напряжение смещения, снима­емое с делителя R₁, R₂. Чтобы предотвратить уменьшение усиления каскада при введении резистора R_э, его шунтируют кон­денсатором С_э, через который проходит переменная составля­ющая эмиттерного тока.

 

При увеличении тока коллектора, вызванном повышением тем­пературы, увеличивается падение напряжения на сопротивлений резистора R_э. Потенциал эмиттера становится более отрицатель­ным, что влечет за собой уменьшение (по абсолютной величина) напряжения на базе U_бэ, и как результат – тока базы. Таким образом, из-за повышения температуры происходит увеличение тока коллектора, а из-за уменьшения тока базы - уменьшение тока коллектора, поэтому суммарное изменение тока коллектора незначительным.

Эмиттерная стабилизация в схеме с ОК осуществляется аналогично.

Задание №1

 

Ответить на теоретический вопрос. Ответ пояснить соответствующими схемами, графиками, выводами.

 

 

1. Как влияют примеси на проводимость полупроводника?
2. Электронная (типа n) проводимость полупроводника.
3. Дырочная (типа p) проводимость полупроводника.
4. Устройство, условно-графическое изображение и свойства точечных и плоскостных диодов. Различия между ними.
5. Устройство, принцип действия, условно-графическое изображение и свойства стабилитрона.
6. Устройство, условно-графическое изображение и свойства неуправляемого тиристора (динистора).
7. Устройство, условно-графическое изображение и свойства управляемого тиристора (тринистора).
8. Классификация и условно-графическое изображение полупроводниковых резисторов.
9. Классификация и условно-графическое изображение полупроводниковых диодов.
10. Принцип действия, схемы усилителя постоянного тока (УПТ).
11. Генераторы прямоугольных импульсов (релаксаторы). Принцип действия мультивибратора.
12. Устройство и работа полупроводникового транзистора.
13. как определяют коэффициент усиления одиночного усилительного каскада, многокаскадного усилителя?
14. Принцип действия схемы усилителя на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
15. Принцип действия схемы усилителя мощности на биполярном транзисторе.
16. Принцип действия схемы генератора пилообразного напряжения (ГЛИН).
17. Принцип действия автогенератора с самовозбуждением.
18. Принцип действия схемы однофазного выпрямителя.
19. Принцип действия схемы двухфазного выпрямителя.
20. Принцип действия схемы трехфазного выпрямителя.