Все характеристики полевых транзисторов с каналом n-типа расположены в верхней половине графика (см. Рис.1) → имеют положительный ток, что соответствует положительному U на стоке.
Все характеристики полевых транзисторов с каналом p-типа расположены в нижней половине графика (см. Рис.1) → имеют отрицательный ток, что соответствует отрицательному U на стоке.
Ха-ки ПТУП при U=0 на затворе имеют макс. значение I, которое называется начальным Iс.нач.
При увеличении запирающего напряжения Uзап. ток стока Iс. уменьшается и при напряжении отсечки Uотс. становится близким к 0.
Вых. ха-ки ПТУП (канал n-типа)
Выделяются 2 области: линейная и насыщения (см. Рис.2.).
В линейной области ПТУП используется как R, управляемое U-ем на затворе.
В области насыщения – как усилительный элемент.
МОП-транзисторы. Принцип работы, передаточная и выходная характеристики. Встроенные и индуцированные каналы.
Транзисторы на основе МОП-структур (металл-оксид-полупроводник) называют МОП-транзисторами (англ. metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET) или ПТИЗ (полевой транзистор с изолированным затвором) – наиболее широко используемый тип полевых транзисторов.
МОП-транзисторы, в отличие от биполярных, управляются U-ем, а не током и относятся к полевым или униполярным транзисторам, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа (n - электроны или p - дырки).
Структура состоит из металла (затвор), изолированного от полупроводникового канала слоем оксида кремния SiO2.
В общем случае структуру называют МДП (металл – диэлектрик - полупроводник).
Передаточные ха-ки ПТИЗ
| Выходные ха-ки ПТИЗ
|
Полупроводниковый канал м.б:
a) Индуцированным – когда он обеднён носителями зарядов - эл. поле затвора повышает его проводимость
b) Встроенным - когда он обогащён носителями зарядов - эл. поле затвора приводит к обеднению канала носителями зарядов
В результате ПТИЗ м.б. 4-х типов: с каналом n- или p-типов, каждый из которых м. иметь индуцированный или встроенный канал.
Основные параметры полевых транзисторов. Маркировка транзисторов.
| Основные параметры полевых транзисторов. | Маркировка транзисторов | ||||||||||
1. Коэффициент усиления по U:
 , (вых. ток при IC = const)
2. Крутизна:
 , (при UСИ = const)
3. Дифференциальное Rвых:
 , (при UЗИ = const)
4. Дифференциальное R участка затвор-сток:
|
порядковый номер
разработки
полупроводника (кремний) мощность и частота класс транзистора (Т – биполярный П - полевой) |
КТ 809 А
материал серия
