Переходы один или два компонента – п/п

ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80) Физические элементы полупроводниковых приборов

Термины и определения

ПО ТИПУ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ и используемых в переходах материалов

Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).

p‑n переход

Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.

Он создается в кристалле полупроводника путем введения примеси (диффузия, ионное легирование, вплавление) или наращиванием слоев (эпитаксия) на подложку.

Переход металл - п/п

Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.

Переходдиэлектрик - п/п

Переход металл-диэлектрик-полупроводник ( МДП) представляет собой структуру, в которой между слоем металла и полупроводника располагается тонкий слой диэлектрика (обычно двуокиси кремния SiO₂).

Изотипные переходы (или контакт полупроводник- полупроводник)

Если слои одного типа проводимости, но с разной концентрацией примесей, то получается электронно-электронный (n⁺-n) и дырочно-дырочный (p⁺-p) переходы. (“+” обозначает повышенную концентрацию).

Электронно-электронный переход (n‑n⁺ переход, n‑n⁺‑Ubergang, N‑N⁺ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Дырочно-дырочный переход ( p‑p⁺ переход, p‑p⁺‑Ubergang, P‑P⁺ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

ПО ШИРИНЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

Гомогенный переход (гомопереход,Homogener Ubergang, Homogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны, созданный в одном полупроводниковом материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия).

Гетерогенный переход (гетеропереход,Heteroubergang, Heterogenous junction) –электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-арсенид галлия.

ПО ВИДУ ВАХ (вольтамперной характеристики)

Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.

ПО ГРАДИЕНТУ состава на границе

Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.