Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Получение стоко-затворных характеристик полевого транзистора на экране характериографа




 
 

папка:“_lab\tr_pol”

имя: “tr_pol_02.ewb”

 

Описание схемы

Стоко-затворная характеристика:IС= f(UЗИ) | UСИ-const

Пилообразное напряжение с генератора GEN (U = 10 В, f = 1 Гц) через ограничительный резистор подается на затвор транзистора.

В течении первых 1,75 секунд работы схемы напряжение на стоке 0 В, далее реле времени переключают последовательно 1, 2, 4, 12 В.

На горизонтальные пластины подается напряжение канала A, а на вертикальные – канала B, т.е на горизонтальные – напряжение на затворе транзистора, на вертикальные – ток стока. Таким образом, можено наблюдать семейство входных характеристик транзистора на экране осциллографа.

Это источник напряжения управляемый током. Он в данном случае необходим для снятия значения тока в цепи стока без внесения погрешностей. Для него задается коэффициент трансформации Ампер в Вольты, размерность коэффициента В/А = Ом, в данном случае коэффициент = 1 Ом, т.е. при токе в цепи базы в 1мА, на осциллограф будет подано напряжение в 1 мВ.

Порядок выполнения работы

1. Открыть файл со схемой рис. 4.2. Для этого в меню программывыбрать File \ Open, в каталоге “_lab\tr_pol” найти файл “tr_pol_02.ewb”, выделив его, нажать “ ОК ”.

2. Запустить и выключить схему.

включить тумблер в верхнем правом углу, после того как схема отработала шесть секунд модельного времени – схему отключить (тем ж тумблером). Существуют горячие клавиши: Включить {Ctrl-G}, Отключить {Ctrl-T}.

3. Просмотр/редактирование/сохранение результатов моделирования

В меню выбрать Analysis / DisplayGraph, или нажимаем на иконку.

Во вкладке Oscilloscope находятся результаты полученные осциллографом в ходе процесса моделирования. Можно менять диапазон по абсцисс/ординат (вкладка BottomAxis/LeftAxis соответственно в Graph Properties), вкл/выкл сетку (ToggleGrid в выпадающем меню), надписи на осях и главную надпись (в Graph Properties).

Полученное семейство стоко-затворных характеристик полевого транзистора с учетом масштаба по каналам А и В перерисовать в отчет.

4.3. Получение выходных характеристик полевого транзистора на экране характериографа

папка: “_lab\tr_pol”

имя: “tr_pol_03.ewb”

Описание схемы

выходная характеристика:

IС= f(UСИ) | UЗИ-const

Пилообразное напряжение с генератора GEN (U = 10 В, f = 1 Гц) через ограничительный резистор прикладывается к стоку транзистора.

В течении первых 1,75 секунд работы схемы напряжение на затворе 0 В, далее реле времени подключают ЭДС с напряжением 1 В и 3 В.

На горизонтальные пластины подается напряжение канала A, а на вертикальные – канала B, т.е на горизонтальные – напряжение на стоке транзистора, на вертикальные – ток стока.

Источник напряжения управляемый током в данном случае необходим для снятия значения тока в цепи стока без внесения погрешностей. Для него задается коэффициент трансформации Ампер в Вольты, размерность коэффициента В/А = Ом, в данном случае коэффициент = 1 Ом, т.е. при токе в цепи базы в 1мА, на осциллограф будет подано напряжение в 1 мВ.

Порядок выполнения работы

1. Открыть файл со схемой рис.4.3

Для этого в меню программы выбрать File \ Open,, в каталоге “_lab\tr_pol” найти файл “tr_pol_02.ewb”, выделитв его, нажать “ ОК ”.

2. Запустить и выключить схему.

включить тумблер в верхнем правом углу, после того как схема отработала четыре секунды модельного времени – схему отключить (тем же тумблером). Существуют горячие клавиши: Включить {Ctrl-G}, Отключить {Ctrl-T}.

3. Просмотр/редактирование/сохранение результатов моделирования

В меню выбираем Analysis / DisplayGraph, или нажимаем на иконку.

Во вкладке Oscilloscope находятся результаты полученные осциллографом в ходе процесса моделирования. Можно менять диапазон по абсцисс/ординат (вкладка BottomAxis/LeftAxis соответственно в Graph Properties), вкл/выкл сетку (ToggleGrid в выпадающем меню), надписи на осях и главную надпись (в Graph Properties).

Полученное семейство выходных характеристик полевого транзистора, (ОИ) с учетом масштаба по каналам А и В перерисовать в отчет.

Обработка материалов измерений и содержание отчета

1. По данным таблицы и характериографа построить семейство стоко-затворных и выходных характеристик.

2. По характеристикам определить параметры полевого транзистора:

- крутизну стоко-затворной характеристики ;

- внутреннее сопротивление переменному току (кОм).

3. Используя выражение ,

где при Uзи=0, а U0 =Uзи при Iс=0

построить стоко-затворную характеристику и сравнить с результатами пункта 1.

4. Используя выражение определить крутизну стоко-затворной характеристики при заданном токе Iс и сравнить с результатами пункта 2.

5. Отчет должен содержать:

- цель работы;

- схемы исследований;

- таблицы и графики;

- расчет параметров;

- выводы.

Контрольные вопросы

1. Принцип действия и физические процессы полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

2. Принцип управления током каналом в полевых транзисторах с изолированным затвором (МДП-транзистор).

3. Разновидности полевых транзисторов и их условные обозначения.

4. Стоко-затворные ВАХ полевых транзисторов. Какие параметры и как можно определить по этим характеристикам?

5. Выходные характеристики и параметры полевого транзистора, определенные по выходным характеристикам.

6. Почему полевой транзистор можно использовать в качесве генератора стабильного тока (ГСТ).

7. Почему полевой транзистор обладает высоким входным сопротивлением?

список рекомендуемой литературы

1. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника/ А.И. Кучумов– М.: Гелиос АРВ, 2002.

2. Лагин В.И.Электроника/ В.И. Лагин, И.С. Савельев – Ростов-на-Дону «Феникс», 2002.

3. Горбачев Г.И. Промышленная электроника/ Г.И. Горбачев, Е.Е. Чаплыгин – М.: Энергоатомиздат, 1988.

4. Игумнов Д.В. Основы микроэлектроники/ Д.В. Игумнов, Г.В. Кокорев – М: Высшая школа, 1991.

5. Панфилов Д.И. Практикум на Electronics Workbench/ Д.И. Панфилов Том 1,2 – М: ДОДЭКА, 1999.

6. Жеребцов И.П. Основы электроники/ И.П. Жеребцов– Л.: энергоатомиздат, 1989.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 813 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Своим успехом я обязана тому, что никогда не оправдывалась и не принимала оправданий от других. © Флоренс Найтингейл
==> читать все изречения...

2377 - | 2186 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.007 с.