Статические характеристики транзистора с общей базой

Статические характеристики транзистора отражают зависимость между

токами, проходящими в его цепях и напряжениями на электродах транзистора. За независимые переменные обычно принимают входной ток Iвх, выходное напряжение Uвых, а за зависимые – выходной ток Iвых и входное напряжение Uвх:

В схеме с ОБ транзистор имеет следующие характеристики:
- семейство входных (эмиттерных) характеристик.

- семейство выходных (коллекторных) характеристик.

- семейство характеристик прямой передачи.

- семейство характеристик обратной связи.

Входные характеристики:

Выходные характеристики:

 

 

Характеристика прямой передачи (близка к линейной зависимости):

Характеристика обратной связи:

Дополнение к выходной характеристики:

При и характеристика подобна обратной ветви p-n-перехода:

 

 

27. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.

- Семейство входных характеристик

- Семейство выходных характеристик.

- Семейство характеристик прямой передачи

 

- Семейство характеристик обратной связи

 

 

 

Эквивалентные схемы биполярного транзистора для включения с ОБ и ОЭ.

Физическая Т-образная эквивалентная схема БТ наряду с h-параметрами также достаточно полно отражает свойства реального транзистора на низких частотах и широко используется для анализа малосигнальных транзисторных усилителей. Физические Т-образные эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ представлены на рис. 4.6, а, б соответственно. Значения параметров эквивалентных схем БТ могут быть найдены с использованием известных h-параметров для включения БТ:

Поскольку коэффициенты обратной связи по напряжению и для обеих схем включения БТ имеют очень малую величину, точность их вычисления с использованием статических ВАХ оказывается низкой. В связи с этим расчет параметров эквивалентной схемы необходимо начинать с расчета дифференциального сопротивления эмиттерного перехода:

где– тепловой потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К; – ток эмиттера БТ в рабочей точке. С учетом этого в (4.11) объемное сопротивление базы БТ необходимо рассчитывать согласно выражению

Параметры эквивалентных схем маломощных БТ принимают следующие типовые значения: дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода – единицы – десятки ом; объемное сопротивление базы – сотни ом – единицы ки-лоом; выходное сопротивление в схеме с ОБ – сотни килоом – единицы мегаом; выходное сопротивление в схеме с ОЭ – десятки – сотни килоом.