Уварова Л.В.
ЭЛЕКТРОНИКА
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ НА ELECTRONICS WORKBENCH
Методические указания
к выполнению лабораторных работ
для студентов специальности
230201 – «Информационные системы и технологии»
для всех форм обучения
Одобрено редакционно-издательским советом института
Старый Оскол
УДК 004
ББК 32.97
Рецензент: Зам. Начальника СПЦ №1 по эл. оборудованию Гасанов Э.З.
Уварова Л.В. Электроника. Методические указания к выполнению лабораторных работ. Старый Оскол. СТИ НИТУ МИСиС, 2012. – 76с.
Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсу «Электроника», для студентов специальности 230201 – «Информационные системы и технологии», для всех форм обучения, содержит указания к выполнению лабораторных работ и предназначено в помощь студентам при изучении курса.
Ó Уварова Л.В.
Ó СТИ НИТУ МИСиС
Содержание
Введение…………………………………………………….....4
1 Лабораторная работа №1. Полупроводниковые диоды…...6
2 Лабораторная работа №2. Маломощные выпрямители однофазного тока…………………………………………….16
3 Лабораторная работа №3. Исследование биполярного транзистора…………………………………………………...26
4 Лабораторная работа №4. Исследование работы транзисторных каскадов……………………………………..37
5 Лабораторная работа №5. Исследование неинвертирующих и инвертирующих усилителей………...51
6 Лабораторная работа №6. Компараторы………………….62
Список литературы…………………………………………..75
Введение
Разработка любого электронного устройства сопровождается физическим или математическим моделированием. Физическое моделирование связано с большими материальными затратами, поскольку требует изготовление макетов и их трудоёмкое исследование. Часто физическое моделирование просто невозможно из-за чрезвычайной сложности устройства. В этом случае прибегают к математическому моделированию с использованием средств и методов вычислительной техники. Для моделирования электронных устройств применяются программы: Micro-Cap V, DesignLab, Aplac 7.0, System View 1.9, Electronics Worcbench, CircuitMarker 6.0.
Программа Electronics Worcben (EWB) используется чаще всего благодаря простому и легко осваиваемому пользовательскому интерфейсу. Данная программа предназначена для моделирования и анализа электрических и электронных схем и предоставляет следующие возможности:
- создать принципиальную схему устройства;
- провести расчет статического режима;
- получить вольтамперные характеристики приборов и т.д.
Применение интегрированной среды EWB дает возможность студентам моделировать электронное устройство от начального этапа (постановки задачи) до программной реализации всех возможных режимов. Результатом выполненной лабораторной работы является полностью собранная и отлаженная виртуальная аппаратно-программная модель микропроцессорной системы.
Использование интегрированных сред разработки вычислительных систем для организации учебного процесса по курсу «Электротехника» позволяет значительно повысить готовность студентов к решению практико-ориентированных задач высокого уровня сложности, способствует вовлечению студентов в профессиональную деятельность.
Лабораторная работа №1
«Полупроводниковые диоды»
Цель работы:
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении по вольтамперной характеристике.
4. Построение вольтфарадной характеристики варикапа.
Теоретическое введение
Для исследования напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода достаточно иметь универсальный прибор - мультиметр. С помощью этого прибора можно снять вольтамперную характеристику (ВАХ) диода или любого другого нелинейного двухполюсника. Проще всего в этом случае измерять напряжение на диоде в схеме, показанной на рисунке 1.1, подсоединяя к диоду через резистор источники напряжения различной величины.
Рис. 1.1 - Схема измерения напряжения на диоде |
Ток диода при этом можно вычислить из выражения:
Iпр = (Е - Unp)/R (1.1)
где Iпр - ток диода в прямом направлении, Е - напряжение источника питания, Unp - напряжение на диоде в прямом направлении. Изменив полярность включения диода в той же схеме рисунок 1.1, можно снять ВАХ диода по той же методике и в обратном направлении
Iоб = (Е - Uoб)/R (1.2)
где Iоб - ток диода в обратном направлении, Uoб - напряжение на диоде в обратном направлении. Точность при таких измерениях оставляет желать лучшего из-за разброса сопротивлений у резисторов одного номинала. На рисунке 1.2 показана схема измерения тока диода. Для получения более точной характеристики при использовании только одного мультиметра, необходимо сначала измерить напряжение в схеме на рисунке 1.1, а затем ток в схеме на рисунке 1.2. При этом можно пользоваться по-прежнему только мультиметром, подключая его то как вольтметр, то как амперметр.
Рис. 1.2 Схема измерения тока диода |
Гораздо быстрее можно выполнить эту работу, если использовать и вольтметр, и амперметр. Тогда, включив их по схеме, показанной на рисунке 1.3, можно сразу видеть ток n напряжение на табло этих приборов.
Рис. 1.3 Схема для снятия ВАХ диода |
Вольтамперная характеристика может быть получена путем измерения напряжений на диоде при протекании различных токов за счет изменения напряжения источника питания Vs. Схема для исследования ВАХ диода с помощью осциллографа показана на рисунке 1.4.
Рис. 1.4 Схема для исследования ВАХ диода с помощью осциллографа |
При таком подключении координата точки по горизонтальной оси осциллографа будет пропорциональна напряжению, а по вертикальной - току через диод. Поскольку напряжение в вольтах на резисторе R2 численно равно току через диод в амперах (I=U/R=U/I=U), по вертикальной оси можно непосредственно считывать значения тока. Если на осциллографе выбран режим В/А, то величина, пропорциональная току через диод (канал В), будет откладываться по вертикальной оси, а напряжение (канал А) - по горизонтальной. Это и позволит получить вольтамперную характеристику непосредственно на экране осциллографа.
При получении ВАХ диода с помощью осциллографа на канал А вместо точного напряжения на диоде подается сумма напряжения диода и напряжения на резисторе R2. Ошибка из-за этого будет мала, так как падение напряжения на резисторе будет значительно меньше, чем напряжение на диоде. Из-за нелинейности диода его нельзя характеризовать величиной сопротивления, как линейный резистор. Отношение напряжения на диоде к току через него U/I, называемое статическим сопротивлением, зависит от величины тока. В ряде применений на постоянную составляющую тока диода накладывается небольшая переменная составляющая (обычно при этом говорят, что элемент работает в режиме малых сигналов). В этом случае интерес представляет дифференциальное (или динамическое) сопротивление dU/dI. Величина динамического сопротивления зависит от постоянной составляющей тока диода, определяющей рабочую точку на характеристике.
Построение вольтфарадной характеристики варикапа. Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости барьерной емкости Сбар от значения приложенного обратного напряжения называется варикапом. Это позволяет применить варикап в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Основной характеристикой варикапа является вольтфарадная характеристика - зависимость барьерной емкости от значения приложенного обратного напряжения. Схематическое изображение варикапа и его вольтфарадная характеристика приведены на рисунке 1.5.
Рис. 1.5 Схематическое изображение варикапа и его вольтфарадная характеристика |
В выпускаемых промышленностью варикапах значение емкости может изменяться от единиц до сотен пикофарад. Основными параметрами варикапа являются: Св - емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении; Кс - коэффициент перекрытия по емкости, используемый для оценки зависимости Св = f (Uo6p) и равный отношению емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения (Кс = 2 - 20). Варикапы применяются в качестве конденсатора с управляемой емкостью. Их делят на построечные и умножительные, или варакторы. Подстроечные варикапы используют для изменения резонансной частоты колебательных систем.
Для получения вольтфарадной характеристики можно использовать схему емкостного делителя с диодом, показанную на рисунок 1. 6.
Рис. 1.6 Схема ёмкостного делителя с диодом |
Порядок проведения экспериментов
Эксперимент 1. Измерение напряжения и тока через диод.
Построить схему по рисунку 1.1 и включить. Мультиметр покажет напряжение на диоде Unp при прямом смещении. Если перевернуть диод и запустить схему, то мультиметр покажет напряжение на диоде Uoб при обратном смещении.. Вычислите ток диода при прямом и обратном смещении по формулам (1.1) и (1.2). Запишите показания в раздел "Результаты экспериментов"
Эксперимент 2. Измерение тока
Построить схему по рисунку 1.2 и включить. Мультиметр покажет ток диода Inp при прямом смещении. Переверните диод и снова запустите схему. Мультиметр покажет ток Iоб диода при обратном смещении. Запишите показания в раздел "Результаты экспериментов".
Эксперимент 3. Измерение статического сопротивления диода
Измерьте сопротивление диода при прямом и обратном подключении, используя мультиметр в режиме омметра. Малые значения сопротивления соответствуют прямому подключению.
Эксперимент 4. Снятие вольтамперной характеристики диода
а) Прямая ветвь ВАХ. Построить схему по рисунку 1.3 и включить. Последовательно устанавливая значения ЭДС источника равными 5 В, 4 В, 3 В, 2 В, 1 В, 0.5 В, О В запишите значения напряжения Unp и тока Inp диода в таблицу а) раздела "Результаты экспериментов".
б) Обратная ветвь ВАХ. Переверните диод. Последовательно устанавливая значения ЭДС источника равными О В, 5 В, 10 В, 15 В. Запишите значения тока 1об и напряжения Uo6 в таблицу б) раздела "Результаты экспериментов".
в) По полученным данным постройте графики Inp=F(Unp) и Io6=F(Uo6).
г) Постройте касательную к графику прямой ветви ВАХ при Inp = 4 мА и оцените дифференциальное сопротивление диода по наклону касательной. Проделайте ту же процедуру для Inp = 0.4 мА и Inp =0.2 мА. Ответы запишите в раздел "Результаты экспериментов".
д) Аналогично пункту г) оцените дифференциальное сопротивление диода при обратном напряжении 5 В и запишите экспериментальные данные в раздел "Результаты экспериментов".
е) Вычислите сопротивление диода на постоянном токе Inp = 4 мА по формуле R= Unp/Inp, занесите результат в раздел "Результаты экспериментов".
ж) Определите напряжение изгиба. Результаты занесите в раздел "Результаты экспериментов". Напряжение изгиба определяется из вольтамперной характеристики диода, смещенного в прямом направлении, для точки, где характеристика претерпевает резкий излом.
Эксперимент 5. Получение ВАХ на экране осциллографа.
Построить схему по рисунку 1.4 и включить. На ВАХ, появившейся на экране осциллографа по горизонтальной оси считывается напряжение на диоде в милливольтах (канал А), а по вертикальной - ток в миллиамперах (канал В, 1 мВ соответствует 1 мА). Обратите внимание на изгиб ВАХ. Измерьте и запишите в раздел "Результаты экспериментов" величину напряжения изгиба.
Эксперимент 6. Построение характеристики варикапа.
Использовать схему емкостного делителя с диодом рисунок 1.6. Изменяя напряжение Uc источника смещения в схеме и измеряя мультиметром напряжение U0, с помощью формулы (1.3) найти зависимость барьерной емкости диода от напряжения Uc. Полученные значения свести в таблицу и построить график Ci = f(Uc). Ui - напряжение генератора, U0 - напряжение, снимаемое с мультиметра.
Ci = C0(Ui/U0-1) (1.3)
Необходимо учитывать, что мультиметр измеряет эффективное значение напряжения, которое для синусоидального сигнала составляет 0,707 от амплитудного, 0,578 - для треугольного, 1 - для меандра.
Результаты экспериментов
Эксперимент 1. Измерение напряжения и вычисление тока через диод.
Измерьте и запишите напряжения на диоде:
Напряжение при прямом смещении Unp=
Напряжение при обратном смещении Uoбp=
Вычислите:
Ток при прямом смещении Inp=
Ток при обратном смещении Iобр=
Эксперимент 2. Измерение тока. Измерьте и запишите:
ток при прямом смещении Iпр=
ток при обратном смещении Iобр=
Эксперимент 3. Измерение статического сопротивления диода.
Измерьте и запишите:
Сопротивление диода при прямом смещении Rnp=
Сопротивление диода при обратном смещении Rоб=
Эксперимент 4. Снятие вольтамперной характеристики диода. Вычислите и запишите токи и напряжения.
а) Прямая ветвь ВАХ
Е, В | Uпр, мВ | Iпр, мА |
0,5 | ||
б) Обратная ветвь ВАХ
Е, В | Uoб, мВ | Iоб, мА |
в) Построить графики ВАХ. Прямая ветвь ВАХ. Обратная ветвь ВАХ.
г) Вычислить по ВАХ дифференциальное сопротивление диода при прямом смещении
Rдиф, при Iпр=4мА
Rдиф, при Iпр=0,4мА
Rдиф, при Iпр=0,2мА
д) Вычислить по ВАХ дифференциальное сопротивление диода при обратном смещении
Rдиф, при Uобр= 5В
е) Вычислить R при Iпр=4 мА R=
ж) Измерить напряжение изгиба, полученное из ВАХ: Uизг= Эксперимент 5. Получение ВАХ на экране осциллографа. Получить график ВАХ на экране осциллографа.
Измерить напряжение изгиба, определенное из ВАХ, Uизг = Эксперимент 6. Построение вольтфарадной характеристики варикапа. Записать измеренные и вычисленные значения в таблицу.
По таблице построить график зависимости Сi = f(Uc)
UcВ | Uo, мВ | Ci, pF |
… | ||
Контрольные вопросы
1. В чем заключается особенность электропроводности полупроводников? Пояснить с помощью энергетических диаграмм металла, полупроводника, диэлектрика.
2. В чем отличие полупроводников с электронной и дырочной электропроводностью? Какие токи протекают в полупроводниках?
3. Какова структура p-n перехода? Пояснить электрические процессы, происходящие в отсутствии внешнего напряжения.
4. Какие процессы происходят при прямом и обратном включении p-n перехода? Показать с помощью диаграмм.
5. Привести идеализированное математическое описание характеристики перехода. В чем отличие теоретической и реальной вольтамперных характеристик p-n перехода?
6. Что такое пробой p-n перехода? Каковы виды пробоя? Как используют явление пробоя в полупроводниковых приборах?
7. Какие существуют емкости p-n-перехода? Показать зависимость барьерной емкости p-n-перехода от обратного напряжения, эквивалентные схемы p-n-перехода при различных включениях.
8. Каково назначение полупроводниковых диодов? Приведите статическую вольтамперную характеристику выпрямительного диода. Назовите виды диодов.
9. Какой диод называют варикапом? Привести характеристику варикапа, перечислить его виды и назначение.
Лабораторная работа №2.
«Маломощные выпрямители однофазного тока»
Цель:
1. Анализ процессов в схемах однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей.
2. Исследование работы трансформатора в схеме выпрямителя.
3. Анализ процессов в схеме выпрямительного диодного моста.
4. Сравнение максимального напряжения на диодах в мостовом и двухполупериодном выпрямителях.
5. Сравнение частот выходного напряжения в мостовом и двухполупериодном выпрямителях.
Теоретическое введение
Выпрямителем называют устройство, предназначенное для преобразования энергии источника переменного тока в постоянный ток. Схемы с потребляемой нагрузкой до нескольких сотен ватт относят к классу маломощных выпрямителей. Такие выпрямители предназначены для питания постоянным током различных устройств, решающих задачи управления, регулирования, переработки и отображения информации и т.д. При указанной мощности нагрузки задачу преобразования электрической энергии переменного тока в постоянный ток решают с помощью однофазных выпрямителей, питающихся от однофазной сети переменного тока. Структурная схема системы преобразования электрической энергии с однофазным выпрямителем показана на рисунке 2.1. Эта схема представляет собой схему маломощного источника питания.
Рис. 2.1 Структурная схема системы преобразования электрической энергии с однофазным выпрямителем |
Основой такой схемы является выпрямитель на одном или нескольких диодах, соединенных по определенной схеме. Функция трансформатора сводится к повышению или понижению вторичного напряжения U2 при заданном первичном напряжении Ui с целью получения требуемой величины постоянного напряжения на выходе.
Принцип выпрямления основывается на получении с помощью диодной схемы из двуполярной синусоидальной кривой напряжения U2 однополярных полуволн напряжения Ud. Напряжение Ud характеризует кривую выпрямленного напряжения выпрямителя. Ее постоянная составляющая определяет среднее значение выпрямленного напряжения.
Простейшим выпрямителем является схема однофазного однополупериодного выпрямителя (рисунок 2.2).
Рис. 2.2 Схема однофазного однополупериодного диодного выпрямителя |
Рассмотрим её работу в предположении, что входное напряжение изменяется по закону Uвx = Um Sin ωt. На интервале времени 0< t >T/2 полупроводниковый диод D1 смещён в прямом направлении и напряжение, а, следовательно, и ток на нагрузочном резисторе повторяют форму входного сигнала (рисунок 2.3). На интервале T/2<t > T диод DI смещён в обратном направлении, и напряжение и ток в нагрузке равны нулю. При заданном входном напряжении Uвx = Um Sin ωt для нечётных его полупериодов выпрямленный ток в нагрузочном резисторе будет создавать на нём падение напряжения, среднее значение которого равно Ud=Um/ п.
Рисунок 2.3- Временные диаграммы однополупериодного выпрямителя |
Анализируя временные диаграммы на рисунке 2.3, можно сделать вывод, что параметры выходного напряжения выпрямителя улучшаются, если ток нагрузки будет протекать в оба полупериода действия входного напряжения. Для этого используют два однополупериодных выпрямителя, работающих синхронно и противофазно на одну нагрузку. Такая схема называется однофазной двухполупериодной схемой выпрямителя со средней точкой (рисунок 2.4).
Рисунок 2.4 - Двухполупериодная схема выпрямителя со средней точкой
Нетрудно заметить, что в данном случае средние значения напряжения нагрузки будут в два раза превышать напряжение однофазной однополупериодной схемы Ud=2Um/ п.
Временные диаграммы двухполупериодного выпрямителя показаны на рисунке 2.5.
Рисунок 2.5 - Временные диаграммы двухполупериодного выпрямителя
T |
Частота выходного сигнала f для схемы с однополупериодным или двухполупериодным выпрямителем вычисляется как величина, обратная периоду выходного сигнала f =1/Т. При этом период сигнала на выходе однополупериодного выпрямителя в два раза больше, чем у двухполупериодного.
Максимальное обратное напряжение на диоде однополупериодного выпрямителя равно максимуму входного напряжения. Максимальное обратное напряжение Umax на каждом диоде двухполупериодного выпрямителя с отводом от средней точки трансформатора равно разности удвоенного максимального значения напряжения на вторичной обмотке трансформатора U2m и прямого падения напряжения на диоде Unp: Umax = U2m - Unp. Схема мостового выпрямителя приведена на рисунке 2.6.
Рисунок 2.6 - Схема мостового выпрямителя |
Среднее значение выходного напряжения Ud (постоянная составляющая) мостового выпрямителя вычисляется по формуле:
Ud=2Um / π
где максимум вторичного напряжения на полной обмотке трансформатора U2m вычисляется по формуле:
U2m= U1m(n2/n1)= U1m/20
U1m - максимальное значение напряжения на первичной обмотке трансформатора.
Максимальное обратное напряжение Umax на каждом диоде для схемы с выпрямительным мостом равно напряжению на вторичной обмотке U2m. Частота выходного напряжения f для схемы с двухполупериодным мостовым выпрямителем вычисляется по формуле: f=1/T, где Т — период напряжения на выходе выпрямителя.