Параметры полупроводниковых стабилитронов

Тип	U ст (В)	I ст.мин (мА)	I ст.макс (мА)	r ст (Ом)
Д814А
Д814Б
Д814В
Д814Г
Д814Д
Д815А	5,6			0,6
Д815Б	6,8			0,8
Д815В	8,2			1,0
Д815Г				1,8
Д815Д				2,0
Д815Е				2,5
Д815Ж				3,0
Д816А				7,0
Д816Б				8,0
Д816В
Д816Г
Д816Д
Д817А
Д817Б
Д817В
Д817Г
КС133А	3,3
КС139А	3,9
КС147А	4,7
КС156А	5,6
КС168А	6,8
КС175Ж	7,5	0,5
КС182Ж	8,2	0,5
КС191Ж	9,1	0,5
КС210Ж		0,5
КС211Ж		0,5
КС212Ж		0,5
КС213Ж		0,5
КС215Ж		0,5	8,3
КС216Ж		0,5	7,3
КС218Ж		0,5	6,9
КС220Ж		0,5	6,2
КС222Ж		0,5	5,7
КС224Ж		0,5	5,2
КС482А	8,2
КС510А
КС512А
КС515А
КС518А

 

Окончание табл. П1.1

Тип	U ст (В)	I ст.мин (мА)	I ст.макс (мА)	r ст (Ом)
КС522А
2С524А
КС527А
2С530А
КС533А
2С536А
КС551А			14,6
КС591А			8,8
КС600А			8,1
КС620А
КС630А
КС650А		2,5
КС680А		2,5

 

Таблица П1.2

Параметры транзисторов

Тип	I к.макс, А	U кэ макс, В	h21Э	U кэ нас, В
п-р-п
КТ815А	1,5		40...70	0,6
КТ815Б	1,5		40...70	0,6
КТ815В	1,5		40...70	0,6
КТ815Г	1,5		30...70	0,6
КТ704А	2,5		10...100
КТ704Б	2,5		10...100
КТ704В	2,5		10...100
КТ817А				0,6
КТ817Б				0,6
КТ817В				0,6
КТ817Г				0,6
КТ805А				2,5
КТ805Б
р-п-р
КТ814А	1,5			0,6
КТ814Б	1,5			0,6
КТ814В	1,5			0,6
КТ814Г	1,5			0,6
КТ816А				0,6
КТ816Б				0,6
КТ816В				0,6
КТ816Г				0,6
КТ837А	7,5		10...40	2,5
КТ837Б	7,5		20...80	2,5
КТ837В	7,5		50...150	2,5
КТ837Г	7,5		10...40	0,5
КТ837Д	7,5		20...80	0,5
КТ837Е	7,5		50...150	0,5
КТ837Ж	7,5		10...40	2,5

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

Номинальные сопротивления резисторов стандартизованы. Для постоянных резисторов согласно ГОСТ 2825-67 установлено шесть рядов: Е6, Е12, Е24, Е48, Е96 и Е192. Цифра после буквы Е указывает число номинальных значений в каждом десятичном интервале.

Наиболее часто применяется ряд Е24. Номинальные значения декады ряда Е24 представлены в табл. П2.1. Значения десятков и сотен Ом, кОм и МОм получаются умножением номинального значения на 10ⁿ, где n=0;1;2;3...

Таблица П2.1

1,0	1,1	1,2	1,3	1,5	1,6
1,8	2,0	2,2	2,4	2,7	3,0
3,3	3,6	3,9	4,3	4,7	5,1
5,6	6,2	6,8	7,5	8,2	9,1

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

Таблица П3.1

Параметры полупроводниковых диодов

Тип	I пр.ср (А)	I пр.и (А)	U обр. (В)	U пр.ср. (В)
МД217	0,1			1,0
МД218	0,1			1,0
МД218А	0,1			1,1
МД226	0,3	2,5		1,0
МД226А	0,3	2,5		1,0
МД226Е	0,3	2,5		1,0
Д237А	0,3			1,0
Д237Б	0,3			1,0
Д237В	0,1			1,0
Д237Е	0,4			1,0
Д237Ж	0,4			1,0
Д242				1,25
Д242А				1,0
Д242Б				1,5
Д243				1,25
Д243А				1,0
Д243Б				1,5
Д245				1,25
Д245А				1,0
Д245Б				1,5
Д246				1,25
Д246А				1,0
Д246Б				1,5
Д247				1,25
Д247Б				1,5
Д248Б				1,5
КД102А	0,1
КД102Б	0,1
КД105Б	0,3
КД105В	0,3
КД105Г	0,3
КД202А				0,9
КД202В				0,9
КД202Д				0,9

Окончание табл. П3.1

Тип	I пр.ср (А)	I пр.и (А)	U обр. (В)	U пр.ср (В)
КД202Ж				0,9
КД202К				0,9
КД202М				0,9
КД202Р				0,9
КД208А	1,5			1,0
КД209А	0,7			1,0
КД209Б	0,5			1,0
КД209В	0,5			1,0

Таблица П3.2

Параметры полупроводниковых диодных блоков (мостовой выпрямитель)

Тип	I пр.ср (А)	I пр.и (А)	U обр. (В)	U пр.ср. (В)
КЦ402А	1,0			1,2
КЦ402Б	1,0			1,2
КЦ402В	1,0			1,2
КЦ402Г	1,0			1,2
КЦ402Д	1,0			1,2
КЦ402Е	1,0			1,2
КЦ402Ж	0,6			1,2
КЦ402И	0,6			1,2
КЦ403А	1,0			1,2
КЦ403Б	1,0			1,2
КЦ403В	1,0			1,2
КЦ403Г	1,0			1,2
КЦ403Д	1,0			1,2
КЦ403Е	1,0			1,2
КЦ403Ж	0,6			1,2
КЦ403И	0,6			1,2
КЦ404А	1,0			1,2
КЦ404Б	1,0			1,2
КЦ404В	1,0			1,2
КЦ404Г	1,0			1,2
КЦ404Д	1,0			1,2
КЦ404Е	1,0			1,2
КЦ404Ж	0,6			1,2
КЦ404И	0,6			1,2
КЦ405А	1,0			1,2
КЦ405Б	1,0			1,2
КЦ405В	1,0			1,2
КЦ405Г	1,0			1,2
КЦ405Д	1,0			1,2
КЦ405Е	1,0			1,2
КЦ405Ж	0,6			1,2
КЦ405И	0,6			1,2
КЦ407А	0,5			2,5
КЦ410А				1,2
КЦ410Б				1,2
КЦ410В				1,2
КЦ412А				1,2
КЦ412Б				1,2
КЦ412В				1,2

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Таблица П4.1

Конденсаторы с оксидным диэлектриком

Тип	Номинальное напряжение, В	Номинальная емкость, мкФ	Допустимая амплитуда напряжения переменной составляющей, %
К50 - 6	6,3	5; 10; 20; 50; 100; 200; 500	20...25
	5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000	5...25
	1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000	5...25
	1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000	5...25
	1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 4000	5...20
	1; 5; 10; 20	10...15
	1; 5; 10; 20
К50 - 7		20; 30; 50; 100; 200; 500	5...15
	10; 20; 30; 50; 100; 200	5...15
	5; 10; 20; 30; 50; 100; 200	3...10
	5; 10; 20; 30; 50; 100	3...10
	5; 10; 20; 30; 50; 100	3...10
К50 - 18	6,3	100000; 220000;	13...15
		11...15
	22000; 68000; 100000	6...9
	15000; 33000; 100000	6...8
	4700; 10000; 15000; 22000	5...6
	4700; 10000; 15000	4...5
	2200; 4700; 10000	4...6
К50 - 20	6,3	10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000; 5000	10...16
	2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000	10...16
	2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000	10...16
	1; 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500; 1000; 2000	3...16
	1; 2; 5; 10; 20; 50; 100; 200
	2; 5; 10; 20; 50; 100; 200
	20; 50
	2; 5; 10; 20; 50
	2; 5; 10; 20
	2; 5; 10; 20

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 5

Таблица П5.1

Условные графические обозначения электронных элементов

Условное графическое обозначение	Наименование элемента
	Контакт соединения разборного (а) и неразборного (б)
	Выключатель с одной группой замыкающих (а) или размыкающих (б) контактов
	Переключатель с одной (а) и с двумя (б) группами переключающих контактов
	Общий провод (а), заземление (б), антенна (в)
	Предохранитель (а), постоянный резистор (б), подстроечный резистор (в)
	Конденсатор постоянной емкости (а), оксидный неполярный конденсатор (б)
	Стрелочный индикатор: миллиамперметр (а) и вольтметр (б)
	Неоновая индикаторная (а) и люминесцентная осветительная (б) лампы

 

Окончание табл. П5.1

	Полупроводниковый диод (а), стабилитрон (б) и диодный мост (в)
	Динистор (а), тиристор (б), симистор (в)
	Фотодиод (а), светодиод (б)
	Катушка индуктивности (а), трансформатор (б)
	Биполярный транзистор
	Геркон (а), лампа накаливания (б)

Библиографический список

1. Бурков А.Т. Электронная техника и преобразователи: Учеб. для вузов ж.-д. трансп. – М.: Транспорт, 1999. – 464 с.

2. Либерман Ф.Я. Электроника на железнодорожном транспорте: Учебное пособие для вузов ж.д.транспорта.- М.: Транспорт, 1987.- 288 с.

3. Сидоров И.Н. Малогабаритные трансформаторы и дроссели. Справочник.- М.: Радио и связь, 1985.- 276 с.

4. Сидоров И.Н., Скорняков С.В. Трансформаторы бытовой радиоэлектронной аппаратуры: Справочник.- М.: Радио и связь, 1994.- 320 с.

5. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А.Зайцев и др.; Под ред. Н.Н. Горюнова.- М.: Энергоиздат, 1982.- 744 с.

6. Диоды: Справочник / О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.- М.: Радио и связь, 1990.- 656 с.

7. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/А.А.Зайцев, А.И.Миркин, В.В. Мокряков и др.; Под ред. А.В. Голомедова - М.: Радио и связь, 1989.- 640 с.

8. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник / К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др.; Под ред. Б.Л. Перельмана. -М.: Радио и связь, 1981.- 656 с.

9. Щербина А., Благий С. Микросхемные стабилизаторы серий 142, К142, КР142.-Радио, 1990, №8, с.89-90; №9, с.73-74.

10. Булычев А.Л. и др. Аналоговые интегральные схемы: Справочник / А.Л. Булычев, В.И. Галкин, В.А. Прохоренко.- 2-е изд.-Минск: Беларусь, 1993.- 382 с.

11. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С. Куликов и др.; Под ред. Э.Т. Романычевой. – М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.

12. Ревич Ю.В. Занимательная электроника. – 2-е изд., перераб. и доп. – СПб.: БХВ-Петербург, 2009. – 720 с.