Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Выбор положения рабочей точки

Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе

Схема транзисторного усилителя низкой частоты

 
 

Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа p-n-p, включенного по схеме ОЭ, приведена на рисунке. На схеме обозначены: R1, R2 - резисторы входного делителя, обеспечивающего нужное смещение на базе транзистора, Rк, Rэ - соответственно коллекторный и эмиттерный ограничивающие резисторы, Rн - сопротивление нагрузки. В простей­шем случае резисторы R2 и Rэ могут отсутствовать (R2= ∞, Rэ=0), Rг - внутрен­нее сопротивление источника сигнала (генератора). Свх, Ср - разделительные конденсаторы. Резистор Rэ и конденсатор Сэ образуют цепь отрицательной об­ратной связи по току эмиттера. Полагаем, что на вход (на базу транзистора) относительно общей точки подаётся синусоидальный входной сигнал с такой амплитудой, чтобы каскад работал в квазилинейном режиме и на нагрузке вы­делялся усиленный синусоидальный сигнал. Это обеспечивается соответст­вующим выбором положения рабочей точки на характеристиках транзистора.


Выбор биполярного транзистора

В исходных данных указаны ток и мощность нагрузки, по которым сле­дует определить конкретный тип и марку транзистора из следующих сообра­жений:

а) Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером выбирается
на (10-30)% больше напряжения источника питания

где Uкэ доп - допустимое напряжение по условиям пробоя р-n-перехода.

б) Максимальный (допустимый) ток коллектора должен быть в (1,5¸2)
раза больше тока нагрузки

Iк.доп.³ 2Iнм

где мА - амплитуда тока нагрузки;

Iк.доп.- допустимое (по условиям нагрева) значение тока коллектора.

В общем случае нужно учитывать значение температуры окружающей среды, в зависимости от которой значение допустимого тока изменяется. В данном расчете предполагается «нормальная» температура окружающей среды + (25¸27)°С.

Вышеперечисленным требованиям удовлетворяет транзистор КТ208А. Он имеет следующие параметры:

Uкэм = 20 В

Iкм = 300 мА

Pкм = 0.2 Вт

h21Э = 20…60 (в расчётах h21Э = 40)

fн = 1 кГц

 

Его входные и выходные характеристики:

 


Рисунок - входные и выходные характеристики транзистора КТ208А

Выбор положения рабочей точки

Расчет параметров графоаналитическим способом основан на использовании нелинейных статических характеристик. В первую очередь на семействе выходных характеристик изобразим кривую ограничения режима ра­боты транзистора по мощности Ркм. Она строится согласно уравнению:

Ркм = UкэIк.

Задаваясь значениями Uкэ, находим Iк по заданному значе­нию Рк.

Таблица 1

Uкэ, В          
Iк, мА          

 

Далее на семействе выходных характеристик проводим нагрузочную линию, используя уравнение для коллекторной цепи

Полагая Uкэ = 0 В, получим

где Rобщ = Rк + Rэ - суммарное сопротивление в выходной цепи транзистора.

Полагая Iк = 0, имеем Uкэ = Eп = 12 В.

Так как Rобщ пока неизвестно, используем две точки (рисунок 3): точку А с координатой (Еп, 0) и выбранную по некоторым соображениям точку Р.

Положение точки Р нужно выбрать из следующих соображений:

а) точке Р соответствует значение тока

Iкр 1.2Iнм 9.6 мА

и значение напряжения

Uкэр Uвых.+ Uост = 5 + 1 = 6 В

Iкр - постоянная составляющая тока коллектора;

Iим - амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки);

Uкэр - постоянная составляющая напряжения коллектор-эмиттер.

Uост маломощных транзисторов принимается ориентировочно равным 1В.

б) точка Р должка располагаться в области значений токов и напряже­ний, не попадающих в верхнюю область, ограниченную кривой Ркм (рису­нок 3).

Определив координаты точки Р проводим на семействах выходных характеристик нагрузочную прямую APD (рисунок 3) и определяем значение тока базы Iбр, соответствующее выбранному значению тока коллектора Iкр:

Iбр = 0.24 мА

По значению тока базы Iбр определяем положе­ние точки P1 на входной характеристике.

Определяем значения токов Iкм и Iк.мин :

Iкм = Iкр + Iнм = 9.6 + 8 = 17.6 мА,

Iк.мин =Iкр – Iнм = 9.6 – 8 = 1.6 мА,

Iнм - амплитуда переменной (синусоидальной) составляющей тока нагрузки.

Откладывая по оси токов значения Iкм, Iк.мин, находим на нагрузочной линии точки В и С, которым соответствуют значения токов базы

Iбм = 0.44 мА

Iб.мин = 0.04 мА

и зна­чения напряжений

Uкэм = 11.2 В,

Uкэ.мин = 1.5 В.

Амплитуду синусоидальной составляющей на­пряжения коллектор-эмиттер находим из соотношения:




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Рекомендуемая последовательность расчета | Схема транзисторного усилителя низкой частоты
Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 1593 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Человек, которым вам суждено стать – это только тот человек, которым вы сами решите стать. © Ральф Уолдо Эмерсон
==> читать все изречения...

2276 - | 2132 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.