Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе
Схема транзисторного усилителя низкой частоты
Упрощенная схема каскада, выполненного на биполярном транзисторе типа p-n-p, включенного по схеме ОЭ, приведена на рисунке. На схеме обозначены: R1, R2 - резисторы входного делителя, обеспечивающего нужное смещение на базе транзистора, Rк, Rэ - соответственно коллекторный и эмиттерный ограничивающие резисторы, Rн - сопротивление нагрузки. В простейшем случае резисторы R2 и Rэ могут отсутствовать (R2= ∞, Rэ=0), Rг - внутреннее сопротивление источника сигнала (генератора). Свх, Ср - разделительные конденсаторы. Резистор Rэ и конденсатор Сэ образуют цепь отрицательной обратной связи по току эмиттера. Полагаем, что на вход (на базу транзистора) относительно общей точки подаётся синусоидальный входной сигнал с такой амплитудой, чтобы каскад работал в квазилинейном режиме и на нагрузке выделялся усиленный синусоидальный сигнал. Это обеспечивается соответствующим выбором положения рабочей точки на характеристиках транзистора.
Выбор биполярного транзистора
В исходных данных указаны ток и мощность нагрузки, по которым следует определить конкретный тип и марку транзистора из следующих соображений:
а) Допустимое напряжение между коллектором и эмиттером выбирается
на (10-30)% больше напряжения источника питания
где Uкэ доп - допустимое напряжение по условиям пробоя р-n-перехода.
б) Максимальный (допустимый) ток коллектора должен быть в (1,5¸2)
раза больше тока нагрузки
Iк.доп.³ 2Iнм
где мА - амплитуда тока нагрузки;
Iк.доп.- допустимое (по условиям нагрева) значение тока коллектора.
В общем случае нужно учитывать значение температуры окружающей среды, в зависимости от которой значение допустимого тока изменяется. В данном расчете предполагается «нормальная» температура окружающей среды + (25¸27)°С.
Вышеперечисленным требованиям удовлетворяет транзистор КТ208А. Он имеет следующие параметры:
Uкэм = 20 В
Iкм = 300 мА
Pкм = 0.2 Вт
h21Э = 20…60 (в расчётах h21Э = 40)
fн = 1 кГц
Его входные и выходные характеристики:
Рисунок - входные и выходные характеристики транзистора КТ208А
Выбор положения рабочей точки
Расчет параметров графоаналитическим способом основан на использовании нелинейных статических характеристик. В первую очередь на семействе выходных характеристик изобразим кривую ограничения режима работы транзистора по мощности Ркм. Она строится согласно уравнению:
Ркм = UкэIк.
Задаваясь значениями Uкэ, находим Iк по заданному значению Рк.
Таблица 1
Uкэ, В | |||||
Iк, мА |
Далее на семействе выходных характеристик проводим нагрузочную линию, используя уравнение для коллекторной цепи
Полагая Uкэ = 0 В, получим
где Rобщ = Rк + Rэ - суммарное сопротивление в выходной цепи транзистора.
Полагая Iк = 0, имеем Uкэ = Eп = 12 В.
Так как Rобщ пока неизвестно, используем две точки (рисунок 3): точку А с координатой (Еп, 0) и выбранную по некоторым соображениям точку Р.
Положение точки Р нужно выбрать из следующих соображений:
а) точке Р соответствует значение тока
Iкр 1.2Iнм 9.6 мА
и значение напряжения
Uкэр Uвых.+ Uост = 5 + 1 = 6 В
Iкр - постоянная составляющая тока коллектора;
Iим - амплитуда переменной составляющей тока коллектора (тока нагрузки);
Uкэр - постоянная составляющая напряжения коллектор-эмиттер.
Uост маломощных транзисторов принимается ориентировочно равным 1В.
б) точка Р должка располагаться в области значений токов и напряжений, не попадающих в верхнюю область, ограниченную кривой Ркм (рисунок 3).
Определив координаты точки Р проводим на семействах выходных характеристик нагрузочную прямую APD (рисунок 3) и определяем значение тока базы Iбр, соответствующее выбранному значению тока коллектора Iкр:
Iбр = 0.24 мА
По значению тока базы Iбр определяем положение точки P1 на входной характеристике.
Определяем значения токов Iкм и Iк.мин :
Iкм = Iкр + Iнм = 9.6 + 8 = 17.6 мА,
Iк.мин =Iкр – Iнм = 9.6 – 8 = 1.6 мА,
Iнм - амплитуда переменной (синусоидальной) составляющей тока нагрузки.
Откладывая по оси токов значения Iкм, Iк.мин, находим на нагрузочной линии точки В и С, которым соответствуют значения токов базы
Iбм = 0.44 мА
Iб.мин = 0.04 мА
и значения напряжений
Uкэм = 11.2 В,
Uкэ.мин = 1.5 В.
Амплитуду синусоидальной составляющей напряжения коллектор-эмиттер находим из соотношения: