.
(), , , .
, (. 6.43). . .
120-200 , . , . 200 800 , . 800-900 , , . - , . . 20-40 .
-
- . :
1. - 60-100 0,2-0,4 1-10 * .
2. , SiO2 , 1-2 , n+- 15-50 (. 6.44, ).
3. SiO2, n- 10 0,1 -1,0 *, SiO2 , , - (. 6.44, ).
4. 3 , - 5 = 150-300 (. 6.44, ).
5. 2 , n+- ps = 5-20 (. 6.44, ).
6. , SiO2 .
7. 1 , , , .
|
|
8. , , . 6.8.
9. SiO2. SiO2 .
10. .
- .
IC-
- --. , EPIC-, . Epitaxial Passivated Integrated Circuits.
EPIC-:
1. - 1-2 +-, SiO2, . , . 6.45, .
2. V- 10 50 .
3. SiO2. , . 6.45, .
4. SiO2 200 .
5. n- . n- . , . 6.45, .
EPIC- .
. :
1. ~- n+-.
2. - 1-3 .
3. . , . 6.46, . Si3N4 SiO2, . SiO2B , Si3N4 .
4. Si3N4 , 0,5 .
5. +-, , n- .
6. Si3N4 , -+-, SiO2, -n- (. 6.46, ).
|
|
7. , SiO2 , -.
8. n+-.
9. , , , . 6.46, ,
(S ≈ 800 2) - , 7-8 . , 7 . V- 5 . 3 U- .