Задачей данного варианта курсовой работы является овладение методикой расчета усилительного каскада по схеме с общим эмиттером на биполярном транзисторе по постоянному и переменному току с учетом температурной стабилизации усилительного каскада. Принцип работы и схемы построения усилительных каскадов изложены в литературе [5], [6], а методика и порядок расчета приведены в [7]. Параметры заданного типа транзистора и бланк индивидуального задания (номер варианта) приведены соответственно в приложениях 2 и 3.
Требования к оформлению:
1. Пояснительная записка должна быть выполнена на листах формата А4, компьютерный набор: шрифт Times New Roman, 12, интервал – 1,5.
2. Бланк индивидуального задания необходимо поместить на первой странице пояснительной записки.
3. Схемы и графики должны быть выполнены в соответствии с ГОСТ и ЕСКД.
Литература.
1. Р. Кофлин, Ф. Дрискол. Операционные усилители и линейные интегральные схемы. Издательство «Мир», М., 1979.
2. Библиотека электронных компонентов. №5. Термисторы фирмы Siemens и Matsushita. Додека, 1999.
3. Б. И. Горошков, А. Б. Горошков. Электронная техника. М. «Академия», 2008 г.
4. И.И. Сидоров. Малогабаритные трансформаторы и дроссели.
5. Л.А. Пигарев. Конспект лекций по дисциплине «Электроника» при подготовке
бакалавра по направлению 110800.62 – «Агроинженерия», (заочная форма обучения).
6. Ю.С. Забродин. Промышленная электроника. «Высшая школа», М., 1982.
7. Электроника. Методические указания по изучению дисциплины и задание для контрольной работы (студентам заочникам). М., 1985.
Приложение 2.1.
Параметры биполярных транзисторов и их входные и выходные характеристики
ГТ308Б
Транзистор сплавно-диффузионного типа, проводимость р-n-р.
Обратный ток коллектора при температуре Т0 °К Iко = 5 мкА.
Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τк = 400 пс =
400 10–12 с.
Емкость коллекторного перехода Ск = 8 пФ = 8 10–12 Ф.
Предельный режим.
UКЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………15
IК – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50
PК – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150
fhэ – предельная частота, мГц…………………………………………….20
 | |||
 |
Приложение 2.2.
КТ340Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, проводимость n - р- n.
Обратный ток коллектора при температуре Т0 °К Iко = 1 мкА.
Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τк =60 пс =
60 10–12 с.
Емкость коллекторного перехода Ск = 7 пФ = 7 10–12 Ф.
Предельный режим.
UКЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………20
IК – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50
PК – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150
 |
fhэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100
 |  | ||
Приложение 2.3.
КТ315Г
Транзистор кремниевый планарно-эпитаксиальный, проводимость n -р- n.
Обратный ток коллектора при температуре Т0 °К Iко = 0,5 мкА.
Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τк = 500 пс =
500 10–12 с.
Емкость коллекторного перехода Ск = 7 пФ = 7 10–12 Ф.
Предельный режим.
UКЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………35
IК – постоянный ток коллектора, мА……………………………………100
PК – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150
fhэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100
 |
Приложение 2.4.
КТ361Б
Транзистор кремниевый планарно-эпитаксиальный, проводимость р- n-р.
Обратный ток коллектора при температуре Т0 °К Iко = 1 мкА.
Постоянная времени цепи обратной связи на предельной высокой частоте τк = 500 пс =
500 10–12 с.
Емкость коллекторного перехода Ск = 9 пФ = 9 10–12 Ф.
Предельный режим.
UКЭ – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В…………………25
IК – постоянный ток коллектора, мА……………………………………50
PК – постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе, мВт………..150
 |
fhэ – предельная частота, мГц…………………………………………….100
 |
Приложение 2.5
Приложение 3.
Поместить на первой странице пояснительной записки.
Задание по курсовой работе (тема 2) по дисциплине «Электроника»
студенту ____ курса Санкт-Петербургского государственного аграрного университета
_________________________________________________________ №__________________
(фамилия, имя, отчество) (шифр)
Провести расчет однокаскадного усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером (см. рис. 1 методических указаний).
Исходные данные для расчета:
тип транзистора ________________;
амплитуда напряжения на входе каскада Uвхк = _______ В;
сопротивление источника сигнала RГ = _______кОм;
сопротивление нагрузки RН = _______кОм;
нижнее значение усиливаемой полосы частот fН = _______ Гц;
допустимые частотные искажения МН = МВ = _______;
минимальная рабочая температура Т° Кмин ______°К;
максимальная рабочая температура Т° Кмак ______°К;
напряжение источника питания ЕК = ______В;
относительное отклонение тока коллектора ∆IK / IK = _______.
| «_______» _______________2013г. | _______________________________ |
| (подпись выдавшего задание) |
