Поскольку в открытом состоянии транзистора напряжение между его базой и эмиттером составляет около 0,6 В, то напряжение покоя базы
UБ 0= 0,6 В
иможно найти ориентировочное значение входного сопоротивления транзистора
rвх= UБ 0 / IБ 0.
9. Находим величину сопротивлений резисторов делителя R1,R2.
Величина тока в делителе выбирается в пределах
І Д =(2÷5) ІБ 0,
что обеспечивает независимость задания режима покоя транзистора при изменении его параметров от влияния температуры, при замене транзисторов и др.
Падение напряжения на резисторе RЭ составляет
URЭ =(IK 0 + IБ 0 ) RЭ.
Тогда
R1 = 
R2 = 
Находим мощность, что выделяется в резисторах R1 і R2:
PR1 = (IБ 0 + IД)2 R1; PR2 = IД2 R2.
Из табл. 4, 5 выбираем резисторы R1 і R2 по мощности и сопротивлению. 
10. Находим емкость конденсатора С2.
Емкость С2 выбираем из условия обеспечения допустимого значения коэффициента частотных искажений Мн:
С2≥ 
значения получим в микрофарадах.
Рабочее напряжение С2 примем равным
UC2= 1,5 EK.
Из табл. 6 выбираем конденсатор С2.
11. Находим амплитудные значения тока и напряжения на входе каскада:
Iвх.т = 
де h21Э min – минимальное значение коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ для выбранного транзистора.
Uвх.т= Iвх.т rвх.
Необходимая мощность входного сигнала
Рвх = 
12. Находим расчетные коэффициенты усиления каскадапо току, напряжению и мощности:
К1=h21Э min 
КU=h21Э min 
КP=K1KU; [КP]дБ= 101g КP.
Каскад рассчитан правильно, если значения коэффициента усиления по мощности равны приблизительно 20 дБ, как и было, принято раньше.
Так как, диапазон возможных значений коэффициента усиления по току у транзистора очень широкий: для КТ315Гон составляет h21Э = 50...350, то каскад имеет запас по усилению.
ДОПОЛНЕНИЕ
Таблица 3 – Основные параметры некоторых транзисторов
| Тип транзистора | Струк-тура | Р к макс, мВт | h21Э (β) | ƒh21 МГц | Граничный режим | Клас по мощности | |
| Uк макс В | Iк макс мА | ||||||
| КТ 361 Г КТ 3107 Е КТ 315 Г | p-n-p p-n-p n-p-n | 50-350 120-220 50-350 | Малой мощности | ||||
| КТ 502 В КТ 503 В | p-n-p n-p-n | 40-120 40-120 | Средней мощности | ||||
| КТ 814 А КТ 816 А КТ 815 А КТ 817 А | p-n-p p-n-p n-p-n n-p-n | (10000) (25000) (10000) (25000) | >40 >20 >40 >20 | Большой мощности |
*) В скобках приведена мощность с дополнительным теплоотводом
Таблица 4 – Ряды номинальных значений
| Індекс ряда | Позиции ряда | Допустимые отклонения от номинальной величины, % |
| Е 6 | 1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8 | |
| Е 12 | 1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,2; 2,7; 3,3; 3,9; 4,7; 5,6; 6,8; 8,2 | |
| Е 24 | 1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1 |
Таблица 5 – Постоянные резисторы
| Тип транзистора | Диапазон сопротивлений | Номинальная мощность, Вт |
| МЛТ | 1 Ом – 3,01 МОм 1 Ом – 51 МОм 1 Ом – 10 МОм | 0,125 0,25;0,5 1;2 |
| С2-32 | 1 Ом – 3 МОм 1 Ом – 5,1 МОм 0,1 Ом – 5,1МОм 1 Ом – 10 МОм 1 Ом – 22МОм | 0,125 0,25 0,5 |
Таблица 6 – Конденсаторы постоянной емкости
| Номинальное напряжение, В | Номинальная емкость, мкФ | ||||
| К 50-7 | К 50-35 | К 50-18 | К 10-17 | К 73-17 | |
| 6,3 | 20;30;50; 100;200;500 | ||||
| 10;20;30;50; 100;200;500; 1000;2000;5000 | |||||
| 5;10;20;30;50; 100;200;300; 1000;2000;5000 | |||||
| 2;5;10;20;30;50;100;200;500; 1000;2000;5000 | |||||
| 2;5;10;20;30; 50;100;200; 500;1000;2000 | 0.001 0.01 0.022 0.056 | ||||
| 0.22;0.33; 0.47;0.68; 1;1.5;2.2; 3.3;.4.7 | |||||
| 0.5;1;2.5;10; 20;30;50 | |||||
| 2;50; 100; 200;500 | 1.2;5;10;20 | 1.5;2.2 | |||
| 10;20; 50; 100;200 | 0.047; 0.068;0.1; 0.15;0.22; 0.33;0.47; 0.68;1 | ||||
| 5;10; 20;50; 100;200 | |||||
| 10;20; 50;100 | |||||
| 10;20; 50;100 |
