Схема соединения транзистора типа p – n – p с источниками электроэнергии

Эмиттер – База под прямым напряжением.

База – Коллектор под обратным напряжением.

Т.к. толщина базы невелика, то дырки пройдут без рекомбинации в область коллектора, где перемещаясь под действием коллекторного напряжения, создадут коллекторный ток I _К. Небольшая часть дырок, рекомбинированных в базе, создадут небольшой ток базы I _Б,

и I _Э.

Коэффициент усиления по току

, приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера,

при U = const.

 

Условные обозначения биполярных транзисторов

Схема включения транзистора с общей базой

Коэффициент усиления по току:

;

Коэффициент усиления по напряжению:

.

; по мощности .

Схема включения транзистора с общим эмиттером (распространение)

I _Б – входной ток; I _К – выходной. ; .

Схема включения транзистора с общим коллектором

Эмиттерный повторитель

; ; .

и - определяют экспериментально.

 

Полевые транзисторы

В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители электрического заряда.

«+» - большое входное сопротивление;

- устойчивость к проникающим излучениям;

- малое влияние температуры.

2 типа:

- с затвором p – n перехода;

- с изолированным затвором.

Схема с затвором p – n перехода

И – исток;

С – сток;

1 – объединенный слой;

2 – канал высокой проводимости.

От приложенного напряжения создается ток I _C через сопротивление R _н, обеспечивается движением основных носителей заряда.

Пластины n типа образуют затвор.

При увеличении U _вх ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала проводимости уменьшается.

Т.о. изменяя напряжение U _вх меняем I _C и U _вых.

 

ТИРИСТОРЫ

Тиристор от транзистора отличается наличием третьего перехода p – n.

Соединение греческого слова «тира» - дверь и английского слова «резистор» - сопротивление.

«+» способность переходить из одного непроводящего состояния в проводящее под действием относительно слабого входного сигнала, высокий к.п.д. и малые габариты.

Два устойчивых состояния:

1. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет 10 Мом при напряжении до 1 кВ.

2. В открытом сопротивление незначительно.

Тиристор с двумя выводами называют динистором.

Тиристор, снабженный третьим выводом называется тринистором.

Управляющий электрод позволяет с помощью небольшого сигнала (импульса напряжения) привести тиристор из закрытого положения в открытое при неизменном напряжении на основных электродах. Обратный переход невозможен.

Структура тиристора содержит четыре (p – n— p – n) или пять (p – n— p – n— p) слоев.

 

,

I ₀ – обратный ток через переход П₂ (n— p);

I _К1 – коллекторный ток через транзистор p – n— p;

I _К2 – коллекторный ток через транзистор n— p – n.

.