Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Схема соединения транзистора типа p – n – p с источниками электроэнергии




Эмиттер – База под прямым напряжением.

База – Коллектор под обратным напряжением.

Т.к. толщина базы невелика, то дырки пройдут без рекомбинации в область коллектора, где перемещаясь под действием коллекторного напряжения, создадут коллекторный ток I К. Небольшая часть дырок, рекомбинированных в базе, создадут небольшой ток базы I Б,

и I Э.

Коэффициент усиления по току

, приращение тока коллектора к приращению тока эмиттера,

при U = const.

 

Условные обозначения биполярных транзисторов

Схема включения транзистора с общей базой

Коэффициент усиления по току:

;

Коэффициент усиления по напряжению:

.

; по мощности .

Схема включения транзистора с общим эмиттером (распространение)

I Б – входной ток; I К – выходной. ; .

Схема включения транзистора с общим коллектором

Эмиттерный повторитель

; ; .

и - определяют экспериментально.

 

Полевые транзисторы

В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители электрического заряда.

«+» - большое входное сопротивление;

- устойчивость к проникающим излучениям;

- малое влияние температуры.

2 типа:

- с затвором p – n перехода;

- с изолированным затвором.

Схема с затвором p – n перехода

И – исток;

С – сток;

1 – объединенный слой;

2 – канал высокой проводимости.

От приложенного напряжения создается ток I C через сопротивление R н, обеспечивается движением основных носителей заряда.

Пластины n типа образуют затвор.

При увеличении U вх ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала проводимости уменьшается.

Т.о. изменяя напряжение U вх меняем I C и U вых.

 

ТИРИСТОРЫ

Тиристор от транзистора отличается наличием третьего перехода p – n.

Соединение греческого слова «тира» - дверь и английского слова «резистор» - сопротивление.

«+» способность переходить из одного непроводящего состояния в проводящее под действием относительно слабого входного сигнала, высокий к.п.д. и малые габариты.

Два устойчивых состояния:

1. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет 10 Мом при напряжении до 1 кВ.

2. В открытом сопротивление незначительно.

Тиристор с двумя выводами называют динистором.

Тиристор, снабженный третьим выводом называется тринистором.

Управляющий электрод позволяет с помощью небольшого сигнала (импульса напряжения) привести тиристор из закрытого положения в открытое при неизменном напряжении на основных электродах. Обратный переход невозможен.

Структура тиристора содержит четыре (p – n— p – n) или пять (p – n— p – n— p) слоев.

 

,

I 0 – обратный ток через переход П2 (n— p);

I К1 – коллекторный ток через транзистор p – n— p;

I К2 – коллекторный ток через транзистор n— p – n.

.





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-30; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 472 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Неосмысленная жизнь не стоит того, чтобы жить. © Сократ
==> читать все изречения...

2311 - | 2015 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.