Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Уточнение принципиальной схемы каскада. Сначала рассчитаем цепь базового смещения




Сначала рассчитаем цепь базового смещения. Поскольку напряжение смещения остается положительным, изменяясь при модуляции, цепь авто­смещения неприменима. Поэтому будем использовать базовый делитель. От* личие рассчитываемого делителя от цепи, использованной в подразделе 3.9, -то, что в верхнем плече делителя модулируемого каскада будет дополнитель­но к току делителя протекать постоянная составляющая тока базы. Это связа­но с тем, что при модуляции угол отсечки базового тока может достигать 120 градусов, а при углах, больших 90°, эмиттерный переход открывается, и ток из источника питания цепи смещения протекает непосредственно из базо­вого делителя в базу транзистора, а затем - в эмиттер и на общий провод. Ис­ходя из этого, произведём расчёт.

Примем ток делителя равным пяти постоянным составляющим тока базы в режиме молчания: Iдел= 0,80 А.

Сопротивление нижнего плеча делителя: R2 =11,07 Ом.

Сопротивление верхнего плеча делителя при напряжении питания цепи смещения, взятом из стандартного ряда значений и равном 3 В:

Ом

Мощность, на которую должны быть рассчитаны резисторы базового делителя:

Вт,

Вт.

Выберем» исходя из расчётных мощностей, для резистора R1 марку МЛТ-О,5 а для резистора R2 - МЛТ-2,

Чтобы базовый делитель не шунтировал вход усилительного элемента по высокой частоте, необходимо отделить его от базы транзистора высоко­частотным дросселем. Рассчитаем минимально допустимое значение индук­тивности этого дросселя:

Гн

Дроссель Lдр должен не только плохо пропускать высокую частоту, но и хорошо пропускать низкую частоту модулирующего сигнала. Исходя из этого, определим максимальную величину индуктивности, обеспечивающую пропускание верхних частот спектра модулирующего сигнала:

Гн

Между двумя полученными значениями примем величину индуктивно­сти дросселя равной 1 мкГн, как и индуктивности дросселей оконечного када. Одинаковые значения индуктивностей упростят изготовление передат­чика.

Как видно из результатов расчётов по формулам (4.17) и (4.18), xотя мощность, требуемая от модулятора, мала, входное сопротивление каскада низкочастотному модулирующему сигналу также мало. Поэтому подавать модулирующий сигнал непосредственно через разделительный конденсатор на базовый делитель в точку соединения резисторов нецелесообразно. Необходимо трансформировать низкое входное сопротивление каскада в высокое для модулятора при неизменной мощности возбуждения по низкочастотному входу. Такую функцию выполнит низкочастотный трансформатор. Вторичная обмотка данного трансформатора для получения эффекта сложения мгновенных напряжений (постоянного смещения и модулирующего сигнала) должна быть включена последовательно между источником смещения (базовым делителем) и нагрузкой (входом транзистора).

Перейдём к расчёту цепи коллекторного питания. Он полностью идентичен произведённому для оконечного каскада в подразделе 3,9. После расчета по формулам (3.26) и (3.27) получились следующие предельные значения но­миналов элементов: кГн, 0,48 пФ. Примем также величину индуктивности дросселя цепи коллекторного питания равной 1 мкГн.

Для точной подстройки резонансной частоты выходного контура * ааош транзистора в критический режим вместо конденсаторов СО и С1 будем использовать подстроечные конденсаторы переменной ёмкости. Их номиналы следует выбрать вблизи рассчитанных, но несколько больше с учётом того, в реальном устройстве может потребоваться изменение емкости, как в меньшую, так и в большую сторону.

Выберем номиналы элементов из стандартного ряда значений Е24. Ис­ходя из этого в заключение данного подраздела и всего раздела в целом, приведем окончательную принципиальную схему модулируемого каскада (Рисунок 4.3).

Рисунок 4.3. Окончательная принципиальная схема модулируемого каскада


5. РАСЧЁТ УМНОЖИТЕЛЯ ЧАСТОТЫ

5.1 Теоретические сведения и предварительные расчёты

 

Особенностью транзисторных умножителей частоты, по сравнению с усилителями мощности, является более низкий к.п.д. Это обусловлено, во-первых, меньшей амплитудой высших гармоник в импульсе коллекторного тока и, во-вторых, высокой добротностью колебательного контура (нагрузочной системы). Высокая добротность контура требуется, чтобы сигнал претерпевал меньшее затухание во время свободных колебаний между импульсами тока умножаемой частоты. Транзисторы рекомендуется выбирать с большим значением граничной частоты и работать при пониженном напряжении коллекторного питания. Если предельная частота коэффициента усиления тока в схеме с ОЭ для выбранного транзистора гораздо больше рабочей частоты, то транзистор можно считать безынерционным элементом. Рассчитаем требуемую выходную мощность умножителя по формуле, аналогичной (4.1)

В выражении (5.1) значение к.п.д. контура возьмём из результата расчёта колебательной системы в подразделе 5.4.

Определим требуемый коэффициент умножения частоты. Поскольку в кварцевых автогенераторах не рекомендуется использовать частоты выше 10 МГц, то коэффициент умножения определяется формулой:

где fаг.доп - допустимая частота колебаний задающего автогенератора.

Принимая n = 5, определим точное значение частоты колебаний автогенератора:

Получили частоту колебаний задающего автогенератора, несколько большую рекомендуемой, однако это вполне допустимо.

В одном каскаде умножителя частоты не рекомендуется использовать коэффициенты умножения, больше трёх. Это связано с большим затуханием свободных колебаний в контуре во время отсутствия импульсов умножаемой частоты. Однако расчёт, проведённый в данном подразделе показал, что, если в проектируемом радиопередатчике для упрощения принципиальной схемы воспользоваться одним умножителем с большим коэффициентом умножения частоты, то затухание амплитуды напряжения свободных колебаний в контуре за пять периодов умноженной частоты не превысит 5%. Такая величина затухания вполне допустима, т.к. при малых коэффициентах умножения затухание оказывается больше (порядка 15% за 2 периода умноженной частоты).

Рассчитаем угол отсечки импульсов тока [1]:

Для полученного угла отсечки определяем коэффициенты Берга: α0(24°) = 0,09, α1(24°) = 0,17, α5(24°) = 0,11.

 

Выбор транзистора

 

Выбор транзистора будем проводить аналогично тому, как это сделано в подразделе 3.2, т.е. исходя из мощности 150 мВт. По всем параметрам нам для данного каскада подходит высокочастотный транзистор средней мощности структуры n-p-n КТ610А. Приведём, требуемые для дальнейших расчётов, усредненные характеристики выбранного транзистора [5].

- максимальный постоянный ток коллектора....................................Iк.max = 300 мА;

- максимальный ток коллектора в импульсе...................................Iк.и.max = 500 мА;

- максимальное напряжение коллекторного перехода........................Uкэ.доп = 26 В;

- максимальная средняя мощность на коллекторе..................................Рк = 1,5 Вт;

- предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ……..fT = 1 ГГц;

- емкость коллекторного перехода при напряжении

на немUCк0=10В…………………………….……………...…………....Ск0 = З пФ;

- статический коэффициент передачи тока в

схеме с ОЭ.............................................................................................β0(50 - 300);

- высокочастотное сопротивление насыщения......................................rнас = 10 Ом;

- сопротивление базы..................................................................................rб = 50 Ом.

Примем раз.

 

5.3 Энергетический расчёт каскада умножителя

 

В [1] для энергетического расчёта каскада рекомендуется использовать приведенную ниже методику.

Вычислим вспомогательный параметр Eк.miт:

В

Примем напряжение источника питания 12В.

Определим величину проходной ёмкости при конкретном значении напряжения между коллектором и базой:

Ф.

Вычислим коэффициент использования коллекторного напряжения:

Амплитуда переменного напряжения на коллекторе:

В.

Амплитуда пятой гармоники коллекторного тока:

мА

Максимальное значение коллекторного тока:

А

Постоянная составляющая коллекторного тока:

мА.

Потребляемая мощность:

Вт.

Мощность, рассеиваемая на коллекторе:

Вт.

КПД:

Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ на частоте входных колебаний умножителя (частоте генерации автогенератора):

Крутизна усиления идеального транзистора без учёта внутренних сопротивлений r'б и r'э (рисунок 3.1):

А/В.

где t n - температура перехода в градусах Цельсия. Поскольку мощность, рассеиваемая транзистором, во много раз меньше допустимой, можно счи­тать, что переход разогревается незначительно и его температура больше комнатной, т.е 30°С.

Тогда фактическая крутизна проходной ВАХ транзистора определится как:

А/В

где r э - сопротивление цепи эмиттера (рисунок 3.1). Если этот параметр не приведён в справочнике, его рекомендуется принимать равным нулю.

Амплитуда переменного напряжения на базе:

 

 

В.

Амплитуда первой гармоники базового тока:

мА

Постоянная составляющая базового тока:

мА

Мощность возбуждения:

Вт.

Коэффициент усиления по мощности:

Входное сопротивление:

кОм.

Напряжение смещения на базе:

В. (5.2)

 

5.4 Электрический расчёт нагрузочной системы умножителя

 

Электрический расчёт нагрузочной системы каскада умножителя частоты идентичен, произведённому в подразделе 3.6, расчёту нагрузочной системы оконечного каскада. Вычисления были сделаны в математическом пакете MathCad 7.0. В результате получились следующие электрические параметры.

- величина характеристического сопротивления....................................ρ = 500 Ом;

- эквивалентная индуктивность контура.........................................L = 1,45·10-6 Гн;

- величина катушки индуктивности....................................................L0 = 1,6 мкГн;

- Дикость конденсатора СО.................................................................С0 = 58,36 пФ;

- ёмкость конденсатора С1..................................................................С1 = 17,29 пФ;

- ёмкость конденсатора С2....................................................................С2 = 4,05 нФ;

добротность нагруженного контура.........................................................QН = 367,6;

К.П.Д. нагруженного контура...................................................................ηк = 26,5%.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-27; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 366 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Так просто быть добрым - нужно только представить себя на месте другого человека прежде, чем начать его судить. © Марлен Дитрих
==> читать все изречения...

2463 - | 2219 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.012 с.