Исходные данные для расчёта.
PН;RН;UВХ = 2…2,5 В; д иапазон рабочих частот f = 40 Гц…16 кГц,
режим работы – в классе В.
Порядок расчёта
1. По заданной РН, приняв коэффициент запаса kz = 1,15...1,2, определяем расчетное значение мощности:
РН.Р = kz × РН.
2. Амплитуда напряжения на нагрузке
UН.m = UKЭ.m =
,
3. Напряжение источников питания:
US1= – US2 = UKЭ.m + UОСТ,
где остаточное напряжение: UОСТ = (1... 1,5) В.
Окончательно значение напряжения источников питания желательно принять одним из из ряда:15; 20; 24; 30; 36 В
Значение наибольшей амплитуды напряжения на коллекторах транзисторов

4. Коэффициенты усиления:
- всего усилителя

- первой предоконечной ступени (на ОУ)

(в формулу необходимо подставить Uвых.ОУ.m = 10 B с учетом запаса
Кзап.» 1,2 по наибольшему напряжению на выходе ОУ
(U ВЫХ.ОУ. MAX = 12…13 В по паспорту для операционнх усилителей
КР140УД6А, КР140УД608, КР140УД8, КР140УД14).
Из формулы коэффициента усиления предоконечной ступени:

Выбираем резисторы R11 = R13 со стандартным (Е24) сопротивлением.
- второй предоконечной ступени (на транзисторах VT1... VT5)
К2 = КU / К1
5. Сопротивления R12 и R14 определим по формуле:

Выбираем R12 = R14 (по ряду Е24)
При таких значениях сопротивлений коэффициент
усиления второй ступени будет иметь значение:
Выбор транзисторов VT3(VT5)
1. Наибольшая мощность, рассеиваемая транзистором VT3(VT5)


где: RНЭ - значение эквивалентного сопротивления
RНЭ = (1/RН + 1/(R11+R12))-1
2. Наибольшая амплитуда тока коллектора: 

3. Наибольшая амплитуда напряжения на коллекторе VT3:
UКЭ.3 = (US– UКЭ ост. )
Подходящими в зависимости от мощности и тока коллектора могут стать кремниевые транзисторы типов:
КТ814В (p-n-p) и КТ815В (n-p-n).
КТ816В (p-n-p) и КТ817В (n-p-n).
КТ818В (p-n-p) и КТ819В (n-p-n).
Выписываем из справочников [8,9, 15] их параметры:
,
,
,
, h21E.
Выбор транзисторов VT2 и VT4
1. Мощность, рассеиваемая на коллекторах:

2. Максимальное напряжение на коллекторе

3. Максимальный ток коллектора

Подходящими могут быть транзисторы типов.
КТ361В (p-n-p) и КТ315В (n-p-n),
КТ3107В (p-n-p) и КТ315В (n-p-n),
КТ502В (p-n-p) и КТ503В (n-p-n)
Выписываем из справочников [8,9, 15] их параметры:
,
,
,
, h21E.
Сопротивления резисторов R10 и R15 определяются из выражения:

Можно принять UБЭ = 0,6…0,7 В.

Значение сопротивлений R10 и R15 принимается по ряду Е24..
Выбор элементов цепи смещения и стабилизатора тока.
Ток IГСТ должен в несколько раз превышать ток базы транзисторов VT2 и VT4:

Принимаем IГСТ = мА.
Напряжение смещения (для режима покоя в классе В)

Сопротивление резистора R8:

Выбираем подстроечный резистор с номинальным сопротивлением, большим расчетного, по ряду Е6, О кончательно его сопротивление устанавливают при настройке усилителя.
Низшее напряжение на коллекторе транзистора VT1

Принимая
(напряжение питания ОУ), и
, найдём

Сопротивление резистора R9

IR9 ≈ IZ = (7…10) мА.
Принимаем R9 по ряду (Е24.
Напряжение на стабилитроне VD3

Подходящим является стабилитрон с напряжением стабилизации, близким к расчетному значению.:
Его параметры:
,
, 
Сопротивление резистора R7
при принятом IZ = (7…10) мА.
Выбираем резистор R7 с номинальным сопротивлением по ряду Е24.






