Напряжение эмиттера в рабочей точке:
≈ (Uk1 – 0,6) = 2 – 0,6 = 1,4 В
Сопротивление:
RЭ2 = 
= 3000 Ом.
Входное сопротивление эмиттерного повторителя находится по формуле:
Rвхэп ≈ Rэн(1+В)= 32123 Ом, где 
= 353Ом
Необходимый ток коллектора транзистора VT1 в рабочей точке 
0,48 мА
,что значительно меньше 1 мА. При малых токах коллектора (менее 1 мА) снижается значение В, поэтому выбираем 
= 1 мА.
Ток эмиттера транзистора VT2 в рабочей точке 
определяют по выражению:
= 0,459 мА
Коэффициент усиления эмиттерного повторителя получается равным:
. = 0,98
Тогда общий коэффициент усиления будет равен КU = КусКэп. Здесь коэффициент усиления усилителя Кус определяется по формуле 
, но так как нагрузкой усилителя является входное сопротивление эмиттерного повторителя, то 
.= 1882,8 Ом
= 114
КU = КусКэп = 111,7.
Данное значение больше заданного (в пределах нормы), поэтому вносить дальнейшие изменения в схему не требуется.
Расчет емкости конденсаторов
При расчете усилителя коэффициент частотных искажений в области низких частот (на частоте fН) МН принимают равным 0,707.
МН для нескольких последовательно включенных RC -цепей равен произведению коэффициентов частотных искажений составляющих цепей. Так для схемы рис.1 МН = МН1×МНЭ×МН2,
где× МН1 - коэффициент частотных искажений входной цепи (емкость С1),
МНЭ – цепи эмиттера (емкость Сэ),
МН2 – выходной цепи (емкость С2).
Рекомендуется МНЭ взять несколько меньше, чем МН1 и МН2. Примем, МНэ = 0,85, а МН1 = МН2 = 
= 0,91
Значения емкостей для рассматриваемого примера вычисляются по уравнениям:
= 529 нФ
= 291 нФ
= 241,8 Ом 
4,54 Ом 
90909.1Ом 
0,96
= 1007,2 Ом
С1 = 529 нФ
С2 = 291 нФ
Сэ = 141 нФ
Полученные значения округлим до ближайших больших номинальных значений емкостей конденсаторов выбранного типа.
С1 = 500 нФ
С2 = 200 нФ
Сэ = 100 нФ
Вывод
Целью данной курсовой работы был расчет и анализ параметров и характеристик усилителя предварительного усиления.
В ходе работы мы ознакомились с основными характеристиками резистивных усилителей, приобрели навыки по выбору его компонентов и расчёту параметров.
Наиболее полезным в этой работе было то, что на практике применились знания полученные на лекциях, а так же лабораторных работах, что имеет огромное значение для будущего инженера.
Приложение 1
| ||||||||||
| Изм | Лист | № докум. | Подп | Дата | ||||||
| Разраб. | Баженов К.Е. | Схема электрическая принципиальная включения транзистора | Лит. | Лист | Листов | |||||
| Пров. | Кудинов С.И. | К | ||||||||
| УГТУ-УПИ ФТ - 28062 | ||||||||||
| Н. контр. | ||||||||||
| Утверд. | ||||||||||
Приложение 2
| Поз. обозна-чение | Наименование | Кол. | Примечание | ||||||||||
| Резисторы | 7 | ||||||||||||
| R1 | 8200 Ом | ||||||||||||
| R2 | 4300 Ом | ||||||||||||
| Rc | 1000 Ом | ||||||||||||
| Rк | 2000 Ом | ||||||||||||
| RЭ1 | 1000 Ом | ||||||||||||
| RЭ2 | 3000 Ом | ||||||||||||
| RН | 400 Ом | ||||||||||||
| Конденсаторы | 3 | ||||||||||||
| С1 | К50-6, 500 нФ | ||||||||||||
| С2 | К50-6, 200 нФ | ||||||||||||
| Сэ | К50-6, 100 нФ | ||||||||||||
| Транзистор | 1 | ||||||||||||
| VT | КТ339А | ||||||||||||
| Изм | Лист | № докум. | Подп | Дата | |||||||||
| Разраб. | Баженов К.Е. | Перечень элементов | Лит. | Лист | Листов | ||||||||
| Пров. | Кудинов С.И. | К | 2 | ||||||||||
| УГТУ-УПИ ФТ - 28062 | |||||||||||||
| Н. контр. | |||||||||||||
| Утверд. | |||||||||||||
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: Учеб. пособие. – Ростов н/Д: изд-во "Феникс", 2000.
2.Бакалов В. П., Игнатов А. Н., Крук Б. И. Основы теории электрических цепей и электроники: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1989. 528 с.
3.Бычков Ю. А., Золотницкий В. М., Чернышев Э. П. Основы теории электрических цепей: Учебник для вузов. – СПб.; Издательство "Лань", 2002. – 464с.
4.Гусев В. Г., Гусев Ю. М., Электроника. М. Высшая школа, 1990. 495 с. ил.
5.Воробьев Н. И. Проектирование электронных устройств. М.: Высшая школа, 1989. 230 с., ил.
6.Прянишников В. А. Электроника: Курс лекций. – 2-е изд. исп. и доп. - СПб.: КОРОНА принт, 2000. 416с.
7.Прянишников В. А. Электроника: Курс лекций. – СПб.: Корона-принт, 1998.
8.Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочное пособие/ В.А.Аронов, П. В. Баюнов, А. А. Зайцев и др. Под общей редакцией Н. Е. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1982.-904с.,ил.
9.Расчет предварительного усилителя на транзисторе. Справочное пособие/ В. В. Муханов, В. И. Паутов – Е.: Редакционно-издательский отдел ГОУ ВПО УГТУ-УПИ
