Конструктивно-технологические характеристики микросхем

Основные показатели, характеризующие конструктивно-технологические особенности интегральных микросхем:

Плотность упаковки ИМС – отношение числа компонентов и элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, к объему ИМС без учета объема выводов.

Степень интеграции ИМС – показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

Степень интеграции интегральной микросхемы определяется по формуле

К = lg N,

где N – число элементов и компонентов ИМС. Значение К округляют до ближайшего большего целого числа. При этом, если К ≤1, ИМС считается простой, 1≤ К ≤2 – средней, 2≤ К ≤4 – большой интегральной схемой (БИС), при К≥ 4 - сверхбольшой ИМС (СБИС).

Компоненты гибридных микросхем:

 

В качестве компонентов гибридных микросхем используются как активные, так и пассивные электрорадиоэлементы: кристаллы, диоды, транзисторы, диодные и транзисторные матрицы, полупроводниковые ИМС, конденсаторы, наборы прецизионных резисторов и конденсаторов, выполненные на отдельных платах, трансформаторы, дроссели, индуктивности. Компоненты бывают корпусные и бескорпусные. Бескорпусные защищены от воздействия окружающей среды с помощью специальных покрытий (лаков, компаундов, и т.д.) и заключены в пластмассовую тару, которая снимается перед монтажом. Корпусные - помещены в корпус.

Монтаж компонентов с гибкими выводами осуществляется в результате образования эвтектических сплавов между выводами компонента и пленкой на подложке. В этом случае обеспечивается омический контакт компонента с платой.

б

После крепления кристалла к плате выводы изгибаются таким образом, чтобы они касались контактных площадок. В местах касания производится микросварка или пайка.

Монтаж компонентов с шариковыми и столбиковыми выводами осуществляется методом «перевернутого кристалла» т.е. компонент имеет контактные выступы высотой 10-15 мкм и диаметром 50-150 мкм, для обеспечения соединения с контактными площадками на плате используют термокомпрессионную или ультразвуковую сварку.

Крепление компонента с балочными выводами осуществляют приклеиванием его к плате с последующей групповой сваркой выводов с контактными площадками Балочные выводы имеют толщину 10-15 мкм и длину 200-250 мкм, выступают за края компонента на 100-150 мкм. Выступающие балки хорошо видны при монтаже и их совмещение с контактными площадками на плате не вызывает затруднений.

Выполнение работы

При работе была получена микросхема К252УД3А (рисунок 1).

 

Расшифровка названия:

К252УД3А:

К – микросхема общего назначения

2 -гибридная

52 - номерсерии

УД – операционныйдифференциальныйусилитель

3 - в серии

А -разброс 6В

Содержание золота 22,15 гр, серебра 0,04 на 1000 штук.

 

Рисунок 1