Содержание
1. Цель работы……………………………………………………………………3
2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4
3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6
4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8
5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11
7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12
8. Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ) …………………………13
Определение динамических параметров усилительного каскада.....14
10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15
Заключение……………………………………………………………………..17
Список литературы……………………………………………………………18
Приложение…………………………………………………………………….19
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе:
Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ312В
§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп = 15 В
§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк = 0,43 кОм
§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ Rн = 0,62 кОм
Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный n-p- n-транзистор предназначен для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах.
Корпус металлический, герметичный, со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Масса транзистора не более 1 г.[2]
Электрические параметры. Классификационные параметры:
Uкэнас, Uбэнас, h 21э, | h 21э |.
| Наименование | Обозначение | Значения | Режим измерения | |||||
| Мин | типовое | Макс | Uк, В | Iк, мА | Iб, мА | f, МГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА: При Тс= +85 0С При Тс= -40 0С | Iкбо | 0,2 0,01 | ||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэб max=Uэ) | Iэбо | 0,1 | ||||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | Uкэнас | 0,18 | 0,8 | |||||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | Uбэнас | 0,83 | 1,1 | |||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте | |h21э | | |||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | h21э | |||||||
| При Тс= +85 0С | ||||||||
| При Тс= -40 0С | ||||||||
| Емкость коллекторного перехода, пФ | Ск | 3,5 | ||||||
| Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0.5В) | Сэ | |||||||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс | τк |
Максимально допустимые параметры:
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс = -40…+85 0С.
| Iк max – постоянный ток коллектора, А | |
| Iк,и max – импульсный ток коллектора, А | |
| Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В | |
| UКЭR max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£100 Ом),В | |
| Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс ≤ 25 0С), мВт | |
| P и max – импульсная рассеиваемая мощность транзистора (tи ≤ 1 мкс), мВт | |
| RT,п-о – тепловое сопротивление переход - окружающая среда, 0С/мВт | 0,4 |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+120 |
При Тс= -40…+25 0С, при Тс=25…85 0С Pк max [мВт]=75+(85- Тс)/ RT,п-о.
Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
