Содержание
Цель работы стр. 3
Задание на курсовую работу стр. 4
Построение нагрузочной прямой по постоянному току стр. 6
Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке cтр. 8
Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения стр. 9
Граничные и предельные частоты биполярного транзистора стр. 11
Определение сопротивления транзистора по переменному току стр. 12
Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ) стр. 13
Определение динамических параметров усилительного каскада стр. 14
Определение коэффициента нелинейных искажений стр. 16
Заключение стр. 17
Список литературы стр. 18
Приложение стр. 19
Цель курсовой работы
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе
o Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ208Л
o Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп=36В
o Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк=2,7 кОм
o Сопротивление нагрузки_ _ _ _ _ _ _ _ Rн=3,6 кОм
В соответствии с заданными исходными данными выбираем схему включения с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией.
Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор предназначен для использования в импульсных, усилительных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0.7 г [2].
Максимально допустимые параметры:
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=25…+125 0С.
| Iк max – постоянный ток коллектора, А | 0,3 |
| Iк,и max – импульсный ток коллектора, А | 0,5 |
| Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В | |
| Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм),В | |
| Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| Pк max – постоянная рассеиваемая мощность, мВт | |
| При Тс=-60…+60 0С | |
| При Тс=+60…+125 0С | |
| Т п мах - Температура перехода, 0С | |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+125 |
При понижении Тс от 15 до -60 0С значения Uк бmax , Uкэ max уменьшаются по линейному закону до 40 В, Uэб max уменьшается линейно до 15 В.
Электрические параметры:
| Наименование | Обозначение | Значения | Режим измерения | |||||
| Минима-льное | типовое | Макси-мальное | Uк, В | Iк, мА | Iк, мА | f, кГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА | Iкбо | Uк бmax | ||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА (при Uэб max=Uэ) | Iэбо | |||||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | Uкэнас | 0,4 | ||||||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | Uбэнас | 1,5 | ||||||
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме ОЭ | h21э | 0,27 | ||||||
| При Тс=125 0С | 0,27 | |||||||
| При Тс=-60 0С | 0,27 | |||||||
| Отношение статического коэффициента передачи тока в прямом и инверсном включении | h21э/ h21э | 4,5 | 0,27 | |||||
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при Iб=5мА) | h 11э | 0,27 | ||||||
| Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х.,10-4,См (при Iэ=1мА) | h22э | 0,15 | 0,3 | 0,55 | 0,27 | |||
| Емкость коллекторного перехода, пФ | Ск | 0,27 | ||||||
| Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0.5В) | Сэ | |||||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц | fгр | |||||||
| Коэффициент шума(Rт=3кОм), дБ | Кш | 0,2 |
