1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:
2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:
3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:
4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:
Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято 
(DIк, DIк,DUбэ, DUкэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).
1.6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора
Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 4.
Рис. 4
1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода; 
2. Выходное сопротивление транзистора;
3. Сопротивление коллекторного перехода; 
4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока; 
5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока; 
6. Распределение сопротивления базы;
7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода; 
8. Собственная постоянная времени транзистора; 
9. Крутизна транзистора;
1.7.Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора.
1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:
2. Предельная частота в схеме с ОЭ:
3. Предельная частота транзистора по крутизне:
4. Максимальная частота генерации:
Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току.
Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:
Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:
1.) 
; 
2.) 
- точка покоя (т.О)
Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 2 (прямая CD).
Построение сквозной характеристики
Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками приведенными на рисунке 2. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику Iк(Uбэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости Iк от Uбэ) представлены в таблице 1, а график зависимости на рисунке 5.
Таблица 1
| Uбэ, В | 0,6 | 0,76 | 0,8 | 0,83 | 0,87 |
| Iк, мА |
Сквозная характеристика транзистора.
Рис.5
Графоаналитическим методом определим максимальную амплитуду входного сигнала Uвхн, при условии получения минимальных нелинейных искажений и максимального значения Uвхн. Отсюда Uвхн =0,04 В.
