Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке. 1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

 

1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

 

 

 

 

2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:

 

3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:

Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято

 

(DI_к, DI_к,DU_бэ, DU_кэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).

 

1.6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора

Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 4.

 

Рис. 4

 

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода;

 

2. Выходное сопротивление транзистора;

 

 

 

3. Сопротивление коллекторного перехода;

 

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;

 

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;

 

6. Распределение сопротивления базы;

 

 

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;

 

8. Собственная постоянная времени транзистора;

 

9. Крутизна транзистора;

 

1.7.Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора.

 

1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:

2. Предельная частота в схеме с ОЭ:

 

3. Предельная частота транзистора по крутизне:

4. Максимальная частота генерации:

 

 

Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному току.

 

Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:

 

Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:

1.) ;

2.) - точка покоя (т.О)

Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 2 (прямая CD).

Построение сквозной характеристики

 

Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками приведенными на рисунке 2. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику I_к(U_бэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости I_к от U_бэ) представлены в таблице 1, а график зависимости на рисунке 5.

 

Таблица 1

Uбэ, В	0,6	0,76	0,8	0,83	0,87
Iк, мА

 

 

 

Сквозная характеристика транзистора.

 

Рис.5

Графоаналитическим методом определим максимальную амплитуду входного сигнала U_вхн, при условии получения минимальных нелинейных искажений и максимального значения U_вхн. Отсюда U_вхн =0,04 В.