Содержание
Цель работы 3
Задание на курсовую работу 4
Построение нагрузочной прямой по постоянному току 6
Определение малосигнальных параметров транзистора 8
Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения 9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора 11
Определение сопротивления транзистора по переменному току 12
Построение сквозной характеристики 13
Определение динамических параметров усилительного каскада 14
Определение коэффициента нелинейных искажений 15
Заключение 17
Список литературы 18
Приложение 19
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе:
Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201А
§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп=15 В
§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк=0,91 кОм
§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ Rн=1,3 кОм
Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор предназначен для использования в усилительных схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,6 г.[2]
Электрические параметры:
| Наименование | Обозначение | Значения | Режимы измерения | |||||
| Min | Max | Uк,В | Uэ,В | Iк,мА | Iэ,мА | f,кГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА | Iкбо | |||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА | Iэбо | |||||||
| Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | h21б | 3×10-8 | ||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте | |h21Э| | 104 | ||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером | h21Э | |||||||
| Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСим | h22б | |||||||
| Ёмкость коллекторного перехода, пФ | CK | 104 |
Максимально допустимые параметры:
Ø постоянный ток коллектора Iк max = 20 мА;
Ø импульсный ток коллектора Iк,и max = 100 мА;
Ø постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max = 20 В;
Ø постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max = 20 В;
Ø постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
· при Тк = - 60…+90 0С, Pк max = 150 мВт;
· при Тк = 125 0С, Pк max =60 мВт;
Ø температура перехода Т п мах = 1500С;
Ø допустимая температура окружающей среды -60…+125 0С.
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс = - 60…+125 0С.
Рис1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
