По семейству входных и выходных характеристик найдем H-параметры:
- входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора.
- коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора.
- выходная проводимость, измеряемая
при холостом ходе на выходе транзистора.
Для всех типов биполярных транзисторов H12э=3*10-4 – коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора.
Для повышения точности расчетов приращения ∆Iк, ∆Iб, ∆Uбэ, ∆Uкэ берем симметрично относительно рабочей точки.
Рассчет параметров элементов эквивалентной
Схемы замещения транзистора
Для биполярного транзистора задана схема Джиаколлето – физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.
Рис4. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора.
Ø Барьерная ёмкость коллекторного перехода:
Ø Выходное сопротивление транзистора:
Ø Сопротивление коллекторного перехода:
Ø Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:
Ø Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:
Ø Распределение сопротивления базы:
Примем 
Ø Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:
Ø Собственная постоянная времени транзистора:
Ø Крутизна транзистора:
Граничные и предельные частоты биполярного транзистора
a) Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:
b) Предельная частота в схеме с ОЭ:
c) Предельная частота в схеме с ОБ:
d) Предельная частота транзистора по крутизне:
e) Максимальная частота генерации:
 |
Определение сопротивления транзистора по переменному току
Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:
Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:
Ø при 
Ø при 
Рис 5. Нагрузочная прямая КТ301В по переменному току
Построение сквозной характеристики
По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику Iк(Uбэ).
| Iб, мА | 0,025 | 0,05 | 0,075 | 0,1 | 0,125 | |
| Iк, мА | 0,2 | 1,1 | 3,2 | 4,2 | ||
| Uбэ, В | 0,3 | 0,5 | 0,55 | 0,62 | 0,65 | 0,67 |
Рис 6. Сквозная характеристика транзистора КТ301В
