Введение
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
Расчет усилительного каскада
Исходные данные к курсовой работе
| Тип транзистора | КТ208Г |
| Напряжение источника питания, Eп | 24 В |
| Сопротивление цепи К, Rк | 1,5 кОм |
| Сопротивление нагрузки, Rн | 2 кОм |
Характеристики используемого транзистора
Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ208Г. Транзистор типа КТ208Г - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.
Электрические параметры:
| Наименование | Обоз-наче-ние | Значения | Режимы измерения | |||||
| min | Ти-по-вое | max | Uк, В | Iк, мА | IБ, мА | f, кГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА | I КБ0 | UКБ мах | ||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА (при UЭ =UЭБ МАХ) | I ЭБ0 | |||||||
| Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В | UКЭ нас | 0.4 | ||||||
| Напряжение насыщения база- эмиттер, В | UБЭ нас | 1.5 | ||||||
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ при Тс= +125 0С при Тс= -60 0С | h21э | 0,27 0,27 0,27 | ||||||
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ, Ом (при I э=5мА) | h11э | 0,27 | ||||||
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х.,  См (при Iэ=1 мА)
| h22э | 0,15 | 0,3 | 0,55 | 0,27 | |||
| Емкость коллекторного перехода, пФ | Ск | |||||||
| Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0,5 В) | СЭ | |||||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц | fгр |
Максимально допустимые параметры:
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=25...125 0С
| IК max - Постоянный ток коллектора, А. | 0,3 |
| IК и max - Импульсный ток коллектора, А (h21Э ≥ 6, UКЭ нас≤0.7 B, IБ≥0.1 A) | 0,5 |
| IБ max- Постоянный ток базы, А | 0,1 |
| UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (при понижении Тс от +15 до -60 значения UКБ мах, UКЭ R мах уменьшаются до 10 В) | |
| UКЭ R max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм),В | |
| UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| Pк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт | |
| Т п мах - Температура перехода, 0С | |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+125 |
При Тс = +60° … +125°С мощность линейно уменьшается до 50 мВт.
Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора
Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией представлена на рисунке 1.
Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
