Лекции.Орг


Поиск:




Категории:

Астрономия
Биология
География
Другие языки
Интернет
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Механика
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Транспорт
Физика
Философия
Финансы
Химия
Экология
Экономика
Электроника

 

 

 

 


Исходные данные к курсовой работе




Содержание

 

Введение……………………………………………………………….…………...3

1. Исходные данные к курсовой работе………………………………....4

2. Построение нагрузочной прямой по постоянному току……………6

3. Определение малосигнальных параметров транзистора ……...…..8

4. Определение величин эквивалентной схемы транзистора ………...9

5. Определение сопротивления транзистора по переменному току......11

6. Определение граничной и предельных частот………………..…...12

7. Построение сквозной характеристики………………………………. 14

8. Определение динамических параметров усилительного каскада…15

Заключение………………………………………………………………………...16

Список литературы…………………………………………………………….…17

Приложение……………………………………………………………………… 18

 

Введение

 

В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.

 

 

Исходные данные к курсовой работе

 

38 вариант

o Тип транзистора___________________КТ201Д

o Напряжение источника питания______Еп=9В

o Сопротивление в цепи коллектора____Rк=0,43 кОм

o Сопротивление нагрузки____________Rн=0,51 кОм

 

В соответствии с заданными исходными данными выбираем схему включения с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией.

 

Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор предназначен для использования в усилительных схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,6 г.[2]

Электрические параметры:

Наименование Обозначение Значения Режимы измерения
Min Max Uк Uэ Iк,мА Iэ,мА f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА Iкбо              
Обратный ток эмиттера, мкА Iэбо              
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала h21б   3×10-8          
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте |h21Э|             104
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h21Э              
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСим h22б              
Ёмкость коллекторного перехода, пФ CK             104

 

 

Максимально допустимые параметры:

 

Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=-60…+125 0С.

 

Iк max – постоянный ток коллектора, А  
Iк,и max – импульсный ток коллектора, А  
Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В  
Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В  
Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В  
Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт  
При Тс=-60…+90 0С  
При Тс=125 0С …  
Т п мах - Температура перехода, 0С  
Допустимая температура окружающей среды, 0С -60…+125

 

При повышении температуры от 90 до 125 0С допустимая мощность уменьшается линейно.

 





Поделиться с друзьями:


Дата добавления: 2016-10-22; Мы поможем в написании ваших работ!; просмотров: 276 | Нарушение авторских прав


Поиск на сайте:

Лучшие изречения:

Либо вы управляете вашим днем, либо день управляет вами. © Джим Рон
==> читать все изречения...

2255 - | 1995 -


© 2015-2024 lektsii.org - Контакты - Последнее добавление

Ген: 0.009 с.