Содержание
Цель работы стр. 3
Задание на курсовую работу стр. 4
Построение нагрузочной прямой по постоянному току стр. 6
Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке cтр. 8
Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения стр. 9
Граничные и предельные частоты биполярного транзистора стр. 11
Определение сопротивления транзистора по переменному току стр. 12
Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ) стр. 13
Определение динамических параметров усилительного каскада стр. 14
Определение коэффициента нелинейных искажений стр. 16
Заключение стр. 17
Список литературы стр. 18
Приложение стр. 19
Цель курсовой работы
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого рассчитать величины элементов эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графо-аналитическим методом определить параметры усилительного каскада.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе
o Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ КТ201Г
o Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп=9В
o Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк=390 Ом
o Сопротивление нагрузки_ _ _ _ _ _ _ _ Rн=470 Ом
В соответствии с заданными исходными данными выбираем схему включения с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией.
Характеристики используемого транзистора
Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ201Г. Транзистор КТ201Г – кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p типа, предназначенный для использования в усилительных системах.
Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора 0,6 г.[2]
Электрические параметры
| Наименование | Обозначение | Значения | Режимы измерения | |||||
| Min | Max | Uк,В | Uэ,В | Iк,мА | Iэ,мА | f,кГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА | Iкбо | |||||||
| Обратный ток эмиттера, мкА | Iэбо | |||||||
| Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала | h21б | 3*10-8 | ||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте | |h21Э| | 104 | ||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером | h21Э | |||||||
| Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х.х., мкСим | h22б | |||||||
| Ёмкость коллекторного перехода, пФ | CK | 104 |
Максимально допустимые параметры
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс=-60…+125 0С.
| Iк max – постоянный ток коллектора, А | |
| Iк,и max – импульсный ток коллектора, А | |
| Uк бmax – постоянное напряжение коллектор-база, В | |
| Uкэ max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер,В | |
| Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| Pк max – постоянная рассеиваемая мощность, мВт | |
| При Тс=-60…+90 0С | |
| При Тс=125 0С … | |
| Т п мах - Температура перехода, 0С | |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+125 |
При повышении температуры от 90 до 125 0С допустимая мощность уменьшается линейно.
Рис1.Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
