Содержание
1. Цель работы……………………………………………………………………3
2. Задание на курсовую работу……………………………………..………....4
3.Построение нагрузочной прямой по постоянному току…………………6
4. Определение малосигнальных параметров транзистора……………..8
5. Расчет параметров элементов эквивалентной схемы замещения….9 6. Граничные и предельные частоты биполярного транзистора……….11
7. Определение сопротивления транзистора по переменному току…..12
8. Построение сквозной характеристики Iк(Uбэ) …………………………13
Определение динамических параметров усилительного каскада.....14
10. Определение коэффициента нелинейных искажений………………..15
Заключение……………………………………………………………………..17
Список литературы……………………………………………………………18
Приложение…………………………………………………………………….19
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Основы схемотехники», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а также в активизации самостоятельной учебной работы студентов, в развитии умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов, получить разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
2. 
Задание на курсовую работу
Исходные данные к курсовой работе:
Тип транзистора_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _КТ342В
§ Напряжение источника питания_ _ _ _ Еп = 6 В
§ Сопротивление в цепи коллектора_ _ _Rк = 0,12 кОм
§ Сопротивление нагрузки _ _ _ _ _ _ _ _ Rн = 0,18 кОм
Описание транзистора: кремниевый эпитаксиально-планарный n-p- n-транзистор предназначен для использования в ЭВМ «Электроника 70», в радиовещательных приемниках и в другой аппаратуре.
Корпус металлический с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,5 г.[2]
Электрические параметры. Классификационные параметры:
h 21э, | h 21э |,UКЭО гр, IКЭR, UБЭнас, IКБО.
| Наименование | Обозначение | Значения | Режим измерения | ||||
| Мин | Макс | Uк, В | Iк, мА | Iб, мА | f, МГц | ||
| Обратный ток коллектора, мкА: | IКБО | 5×10-6 | 0,05 | ||||
| Обратный ток эмиттера, мкА | IЭБО | ||||||
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RБ≤10 кОм), мкА | IКЭR | ||||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UКЭнас | 0,05 | 0,1 | ||||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UБЭнас | 0,6 | 0,9 | ||||
| Граничное напряжение транзистора, В | UКЭО гр | ||||||
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте | |h21э | | ||||||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | h21э | ||||||
| Емкость коллекторного перехода, пФ | Ск | ||||||
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала, Ом | h21б | 10-3 | |||||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс | τк |
Максимально допустимые параметры:
Гарантируются при температуре окружающей среды Тс = -60…+125 0С.
| Iк max – постоянный ток коллектора, мА | |
| Iк,и max – импульсный ток коллектора (tи≤40 мкс, Q≥500), мА | |
| Uэб max – постоянное напряжение эмиттер-база, В | |
| UКЭR max – постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£10 кОм, Iк=30 мкА), В: · при Тс= -60 0С …+100 0С · при Тс= +125 0С | |
| Uкб max – постоянное напряжение коллектор-база, В | |
| Pк max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = -60…+25 0С), мВт | |
| Tп max – температура перехода, 0С | |
| Допустимая температура окружающей среды, 0С | -60…+125 |
При температуре выше 100 0С напряжение уменьшается линейно.
При температуре более 25 0С Pк max [мВт]= (150- Тс)/ RT,п-с, где RT,п-с=0,5 0С/мВт.
Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией
